Вафля GaN эпитаксиальная

Самые лучшие продукты

Субстрат GaN одиночный кристаллический

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN

Субстрат GaN стороны c

КИТАЙ Вафля GaN эпитаксиальная

Макродефект плотность 0cm−2 Недопированный SI-тип свободностоящий GaN однокристаллический субстрат для радиочастотных устройств 5*10mm2 M-Face

Размеры:² 5 x 10mm

Толщина:350 ±25µm

Смычок:- ≤ 10µm СМЫЧКА ≤ 10µm
TTV ≤ 10μm A-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Сопротивляемость 0,1 Ω·cm Мощное устройство/Лазер W

Размеры:² 5 x 10mm

Толщина:µm 350 ±25

Ориентация:Самолет (11-20) с угла к самолету M-оси 0 ±0.5° a (11-20) с угла к C-оси - 1 ±0.2°
10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Макродефект плотность 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Сопротивление 106 Ω·Cm Устройства для радиочастотного облучения

Размеры:10 х 10,5 мм²

Толщина:350 ±25µm

TTV:µm ≤ 10
2-дюймовый зеленый светодиод GaN на кремниевой пластине

Название продукта:ВЕДОМОЕ Зелен GaN на кремниевой пластине

Размер:2 дюйма 4 дюйма

Структура субстрата:111) субстрат 20nmContact layer/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si (
10 X 10,5 мм2 C Лицо Недопированный N Тип свободно стоящий GaN однокристаллический субстрат

Название продукта:Субстрат GaN одиночный кристаллический

Размеры:10 х 10,5 мм²

Толщина:350 ±25µm
10 X 10,5 мм2 свободно стоящие субстраты GaN - 10 Мм ≤ BOW ≤ 10 Мм

Название продукта:Вафля GaN эпитаксиальная

Размеры:10 х 10,5 мм²

Толщина:350 ±25µm
4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN

Размеры:100 ± 0.2mm

Толщина/толщина STD:4,5 ± 0.5μm/< 3%

Ориентация:Плоскость С (0001) под углом к оси А 0,2 ± 0,1 °
4-дюймовый легированный магнием GaN P-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление ~ 10 Ом См Светодиодный лазер PIN Эпитаксиальная пластина

Размеры:100 ± 0.2mm

Название продукта:Mg-данные допинг 4-inch субстраты GaN/сапфира

Тип кондукции:P типа
Mg-данная допинг 4-Inch вафля PIN лазера СИД см субстратов SSP Resistivity~10Ω GaN/сапфира эпитаксиальная

Название продукта:Mg-данные допинг 4-inch субстраты GaN/сапфира

Размеры:100 ± 0.2mm

Тип кондукции:P типа
2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства

Размеры:50,8 ± 1mm

Толщина:350 ± 25μm

Квартира ориентации:± 0.5˚ (1-100), 16 ± 1mm
2inch ВЕДОМОЕ Сине GaN на лазере 455±10nm D'Onde Longueur кремниевой пластины

Название продукта:ВЕДОМОЕ Сине GaN на кремниевой пластине

Размеры:2 дюйма

Толщина буфера AlGaN:400-600nm
Размер 520±10nm 2inch ВЕДОМОЕ Зелен GaN на слое кремниевой пластины 20nmContact

Название продукта:2-4inch ВЕДОМОЕ Зелен GaN на кремнии

Размер:2 дюйма, 4 дюйма

Размер:520±10nm

Page 4 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

Обзор категории：

Вафля GaN эпитаксиальная

Субстрат GaN одиночный кристаллический

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN

Субстрат GaN стороны c

КИТАЙ Вафля GaN эпитаксиальная

Макродефект плотность 0cm−2 Недопированный SI-тип свободностоящий GaN однокристаллический субстрат для радиочастотных устройств 5*10mm2 M-Face

TTV ≤ 10μm A-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Сопротивляемость 0,1 Ω·cm Мощное устройство/Лазер W

10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Макродефект плотность 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Сопротивление 106 Ω·Cm Устройства для радиочастотного облучения

2-дюймовый зеленый светодиод GaN на кремниевой пластине

10 X 10,5 мм2 C Лицо Недопированный N Тип свободно стоящий GaN однокристаллический субстрат

10 X 10,5 мм2 свободно стоящие субстраты GaN - 10 Мм ≤ BOW ≤ 10 Мм

4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN

4-дюймовый легированный магнием GaN P-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление ~ 10 Ом См Светодиодный лазер PIN Эпитаксиальная пластина

Mg-данная допинг 4-Inch вафля PIN лазера СИД см субстратов SSP Resistivity~10Ω GaN/сапфира эпитаксиальная

2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства

2inch ВЕДОМОЕ Сине GaN на лазере 455±10nm D'Onde Longueur кремниевой пластины

Размер 520±10nm 2inch ВЕДОМОЕ Зелен GaN на слое кремниевой пластины 20nmContact

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский