КИТАЙ Вафля GaN эпитаксиальная

M-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл < 0,05 Ω·см приводит прибор в действие/лазер

Размеры:² 5 x 10mm

Толщина:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
SP-сторона 5*10mm2 (10-11) ООН-дала допинг SI типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл > 10 ⁶ Ω·Прибор RF см

Размеры:² 5 x 10mm

Толщина:350 ±25µm

Ориентация:(10-11) угол отклонения плоскости от оси А 0 ±0,5° (10-11) угол отклонения плоскости от оси С - 1 ±0
-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг n типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночной кристаллической < 0,05 Ω·см приводит прибор в действие/лазер

Размеры:² 5 x 10mm

Толщина:350 ±25µm

Ориентация:Самолет (11-20) с угла к самолету M-оси 0 ±0.5° a (11-20) с угла к C-оси - 1 ±0.2°
SP-сторона 5*10mm2 (11-12) ООН-дала допинг SI типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл > 10 ⁶ Ω·Прибор RF см

Размеры:² 5 x 10mm

Толщина:350 ±25µm

Ориентация:самолет (11-22) с угла к самолету M-оси 0 ±0.5° (11-22) с угла к C-оси - 1 ±0.2°
-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг SI типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл > 10 ⁶ Ω·Вафля приборов RF см

Размеры:² 5 x 10mm

Толщина:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
самолет c субстрата 10*10.5mm2 GaN одиночного Кристл (0001) с угла к M-оси 0,35 ±0.15°

Размеры:10 х 10,5 мм²

Толщина:350 ±25µm

Ориентация:Плоскость С (0001) под углом к оси М 0,35 ±0,15°
Толщина 350 ± 25 мкм 10 X 10,5 мм2 Отдельно стоящие подложки GaN

Название продукта:свободно стоящие субстраты GaN

Размеры:10 х 10,5 мм²

Толщина:350 ±25µm
µm ≤ 10 µm ±25 TTV толщины 350 субстрата 10*10.5mm2 GaN одиночного Кристл

Название продукта:Вафля GaN эпитаксиальная

Размеры:10*10,5 мм²

Толщина:350 ±25µm
4 дюйма N типа Si-данное допинг GaN на СИД см вафли SSP Resistivity<0.05 Ω сапфира, лазере, вафле PIN эпитаксиальной

Название продукта:4-дюймовые подложки GaN/сапфир, легированные кремнием

Толщина/толщина STD:4,5 ± 0.5μm/< 3%

Ориентация:Плоскость С (0001) под углом к оси А 0,2 ± 0,1 °
Шероховатость лицевой поверхности GaN-подложек Ga

Название продукта:Субстрат GaN одиночный кристаллический

Размеры:10 х 10,5 мм²

Толщина:350 ±25µm
Толщина буфера AlGaN 600 нм 2-дюймовый синий светодиод GaN на кремниевой пластине

Размеры:2 дюйма/4 дюйма

Толщина буфера AlGaN:600NM

Лазер d'onde Longueur:455±10nm
2-дюймовый N-тип GaN на сапфировом эпитаксиальном пластинке для устройства LED-лазерного PIN-кода

Тип::Плоский сапфир

полированный:Одиночная сторона отполированная (SSP)/двойная отполированная сторона (DSP)

Размер:50.8±0.2 мм (2 дюйма)/100±0.2 мм ((4 дюйма)/150 +0.2 мм (6 дюймов)

Page 4 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

Вафля GaN эпитаксиальная

Субстрат GaN одиночный кристаллический

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN

Субстрат GaN стороны c

КИТАЙ Вафля GaN эпитаксиальная

M-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл < 0,05 Ω·см приводит прибор в действие/лазер

SP-сторона 5*10mm2 (10-11) ООН-дала допинг SI типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл > 10 ⁶ Ω·Прибор RF см

-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг n типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночной кристаллической < 0,05 Ω·см приводит прибор в действие/лазер

SP-сторона 5*10mm2 (11-12) ООН-дала допинг SI типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл > 10 ⁶ Ω·Прибор RF см

-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг SI типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл > 10 ⁶ Ω·Вафля приборов RF см

самолет c субстрата 10*10.5mm2 GaN одиночного Кристл (0001) с угла к M-оси 0,35 ±0.15°

Толщина 350 ± 25 мкм 10 X 10,5 мм2 Отдельно стоящие подложки GaN

µm ≤ 10 µm ±25 TTV толщины 350 субстрата 10*10.5mm2 GaN одиночного Кристл

4 дюйма N типа Si-данное допинг GaN на СИД см вафли SSP Resistivity<0.05 Ω сапфира, лазере, вафле PIN эпитаксиальной

Шероховатость лицевой поверхности GaN-подложек Ga

Толщина буфера AlGaN 600 нм 2-дюймовый синий светодиод GaN на кремниевой пластине

2-дюймовый N-тип GaN на сапфировом эпитаксиальном пластинке для устройства LED-лазерного PIN-кода

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский