КИТАЙ Вафля GaN эпитаксиальная

Плоский сапфир 4-дюймовая эпитаксиальная пластина GaN с синим светодиодом на сапфире SSP

Название продукта:синь GaN-на-сапфира 4inch/зеленая вафля СИД

Толщина:650 ± 25μm

Ориентация:Самолет c (0001) с угла к ± 0.1° M-оси 0,2
Фрестандинг N GaN подложки N шероховатость поверхности 0.5um to1.5um

Название продукта:2-дюймовые свободно стоящие субстраты N-GaN

Размеры:50,0 ±0.3mm

Деталь:GaN-FS-C-N-C50-SSP
100mm 4 медленно двигают голубая вафля СИД GaN эпитаксиальная на толщине 5um сапфира SSP - 6um

Тип:Плоский сапфир

Название продукта:синь GaN-на-сапфира 4inch/зеленая вафля СИД

Польский:Одиночная сторона отполированная (SSP)/двойная отполированная сторона (DSP)
вафля Si 12.5mm 2inch Freestanding n GaN Epi дала допинг

Название продукта:2-дюймовые свободно стоящие субстраты N-GaN

Размеры:50,0 ±0.3mm

Толщина:400 ± 30μm
4-дюймовый голубой светодиод GaN, эпитаксиальная пластина C, плоский сапфир

Тип:Плоский сапфир

Название продукта:синь GaN-на-сапфира 4inch/зеленая вафля СИД

Польский:Одиночная сторона отполированная (SSP)/двойная отполированная сторона (DSP)
Свободностоящая монокристаллическая подложка GaN галлия типа A Face N, нелегированная

Название продукта:Субстрат GaN одиночный кристаллический

Размеры:² 5 x 10mm

Толщина:350 ±25µm
4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN

Размеры:100 ± 0.2mm

Толщина/толщина STD:4,5 ± 0.5μm/< 3%

Ориентация:Плоскость С (0001) под углом к оси А 0,2 ± 0,1 °
4-дюймовый легированный магнием GaN P-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление ~ 10 Ом См Светодиодный лазер PIN Эпитаксиальная пластина

Размеры:100 ± 0.2mm

Название продукта:Mg-данные допинг 4-inch субстраты GaN/сапфира

Тип кондукции:P типа
Mg-данная допинг 4-Inch вафля PIN лазера СИД см субстратов SSP Resistivity~10Ω GaN/сапфира эпитаксиальная

Название продукта:Mg-данные допинг 4-inch субстраты GaN/сапфира

Размеры:100 ± 0.2mm

Тип кондукции:P типа
2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства

Размеры:50,8 ± 1mm

Толщина:350 ± 25μm

Квартира ориентации:± 0.5˚ (1-100), 16 ± 1mm
2inch ВЕДОМОЕ Сине GaN на лазере 455±10nm D'Onde Longueur кремниевой пластины

Название продукта:ВЕДОМОЕ Сине GaN на кремниевой пластине

Размеры:2 дюйма

Толщина буфера AlGaN:400-600nm
Размер 520±10nm 2inch ВЕДОМОЕ Зелен GaN на слое кремниевой пластины 20nmContact

Название продукта:2-4inch ВЕДОМОЕ Зелен GaN на кремнии

Размер:2 дюйма, 4 дюйма

Размер:520±10nm

Page 3 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

Вафля GaN эпитаксиальная

Субстрат GaN одиночный кристаллический

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN

Субстрат GaN стороны c

КИТАЙ Вафля GaN эпитаксиальная

Плоский сапфир 4-дюймовая эпитаксиальная пластина GaN с синим светодиодом на сапфире SSP

Фрестандинг N GaN подложки N шероховатость поверхности 0.5um to1.5um

100mm 4 медленно двигают голубая вафля СИД GaN эпитаксиальная на толщине 5um сапфира SSP - 6um

вафля Si 12.5mm 2inch Freestanding n GaN Epi дала допинг

4-дюймовый голубой светодиод GaN, эпитаксиальная пластина C, плоский сапфир

Свободностоящая монокристаллическая подложка GaN галлия типа A Face N, нелегированная

4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN

4-дюймовый легированный магнием GaN P-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление ~ 10 Ом См Светодиодный лазер PIN Эпитаксиальная пластина

Mg-данная допинг 4-Inch вафля PIN лазера СИД см субстратов SSP Resistivity~10Ω GaN/сапфира эпитаксиальная

2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства

2inch ВЕДОМОЕ Сине GaN на лазере 455±10nm D'Onde Longueur кремниевой пластины

Размер 520±10nm 2inch ВЕДОМОЕ Зелен GaN на слое кремниевой пластины 20nmContact

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский