КИТАЙ Вафля GaN эпитаксиальная

Плоский сапфир 4-дюймовая эпитаксиальная пластина GaN с синим светодиодом на сапфире SSP

Название продукта:синь GaN-на-сапфира 4inch/зеленая вафля СИД

Толщина:650 ± 25μm

Ориентация:Самолет c (0001) с угла к ± 0.1° M-оси 0,2
Фрестандинг N GaN подложки N шероховатость поверхности 0.5um to1.5um

Название продукта:2-дюймовые свободно стоящие субстраты N-GaN

Размеры:50,0 ±0.3mm

Деталь:GaN-FS-C-N-C50-SSP
100mm 4 медленно двигают голубая вафля СИД GaN эпитаксиальная на толщине 5um сапфира SSP - 6um

Тип:Плоский сапфир

Название продукта:синь GaN-на-сапфира 4inch/зеленая вафля СИД

Польский:Одиночная сторона отполированная (SSP)/двойная отполированная сторона (DSP)
вафля Si 12.5mm 2inch Freestanding n GaN Epi дала допинг

Название продукта:2-дюймовые свободно стоящие субстраты N-GaN

Размеры:50,0 ±0.3mm

Толщина:400 ± 30μm
4-дюймовый голубой светодиод GaN, эпитаксиальная пластина C, плоский сапфир

Тип:Плоский сапфир

Название продукта:синь GaN-на-сапфира 4inch/зеленая вафля СИД

Польский:Одиночная сторона отполированная (SSP)/двойная отполированная сторона (DSP)
Свободностоящая монокристаллическая подложка GaN галлия типа A Face N, нелегированная

Название продукта:Субстрат GaN одиночный кристаллический

Размеры:² 5 x 10mm

Толщина:350 ±25µm
5*10mm2 SP-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate 20-21 / 20-2-1 10mm2 Сопротивляемость 0,05 Ω·cm

Размеры:² 5 x 10mm

Толщина:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
350 ± 25μm Толщина Недопированный свободно стоящий однокристаллический субстрат GaN N-типа с TTV ≤ 10μm и сопротивлением 0,1 Ω·cm

Размеры:² 5 x 10mm

Толщина:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
SP-Face 11-12 Недопированный N-тип свободностоящий GaN однокристаллический субстрат Сопротивляемость 0,05 Ω·cm Макродефект плотность 0cm−2

Размеры:² 5 x 10mm

Толщина:350 ±25µm

Ориентация:самолет (11-22) с угла к самолету M-оси 0 ±0.5° (11-22) с угла к C-оси - 1 ±0.2°
Устройство питания 5x10mm2 Недопированный N-тип свободно стоящий однокристаллический субстрат GaN с сопротивлением 0,1 Ω·cm и BOW в пределах 10μm

Размеры:² 5 x 10mm

Ориентация:самолет (11-22) с угла к самолету M-оси 0 ±0.5° (11-22) с угла к C-оси - 1 ±0.2°

TTV:≤ 10µm
5x10mm2 SP-Face 10-11 Недопированный N-тип свободностоящий однокристаллический субстрат GaN с TTV ≤ 10μm Сопротивляемость 0,05 Ω·cm

Размеры:² 5 x 10mm

Толщина:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
5*10mm2 SP-Face 10-11 Недопированный N-тип свободно стоящий GaN однокристаллический субстрат 0,1 Ω·cm Сопротивляемость для силового устройства

Размеры:² 5 x 10mm

Толщина:350 ±25µm

Ориентация:(10-11) угол отклонения плоскости от оси А 0 ±0,5° (10-11) угол отклонения плоскости от оси С - 1 ±0

Page 3 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

Вафля GaN эпитаксиальная

Субстрат GaN одиночный кристаллический

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN

Субстрат GaN стороны c

КИТАЙ Вафля GaN эпитаксиальная

Плоский сапфир 4-дюймовая эпитаксиальная пластина GaN с синим светодиодом на сапфире SSP

Фрестандинг N GaN подложки N шероховатость поверхности 0.5um to1.5um

100mm 4 медленно двигают голубая вафля СИД GaN эпитаксиальная на толщине 5um сапфира SSP - 6um

вафля Si 12.5mm 2inch Freestanding n GaN Epi дала допинг

4-дюймовый голубой светодиод GaN, эпитаксиальная пластина C, плоский сапфир

Свободностоящая монокристаллическая подложка GaN галлия типа A Face N, нелегированная

5*10mm2 SP-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate 20-21 / 20-2-1 10mm2 Сопротивляемость 0,05 Ω·cm

350 ± 25μm Толщина Недопированный свободно стоящий однокристаллический субстрат GaN N-типа с TTV ≤ 10μm и сопротивлением 0,1 Ω·cm

SP-Face 11-12 Недопированный N-тип свободностоящий GaN однокристаллический субстрат Сопротивляемость 0,05 Ω·cm Макродефект плотность 0cm−2

Устройство питания 5x10mm2 Недопированный N-тип свободно стоящий однокристаллический субстрат GaN с сопротивлением 0,1 Ω·cm и BOW в пределах 10μm

5x10mm2 SP-Face 10-11 Недопированный N-тип свободностоящий однокристаллический субстрат GaN с TTV ≤ 10μm Сопротивляемость 0,05 Ω·cm

5*10mm2 SP-Face 10-11 Недопированный N-тип свободно стоящий GaN однокристаллический субстрат 0,1 Ω·cm Сопротивляемость для силового устройства

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский