КИТАЙ Вафля GaN эпитаксиальная

ГаН эпитаксиальная пластина, необходимая для производства высоковольтных высокочастотных чипов

Тип::Плоский сапфир

полированный:Одиночная сторона отполированная (SSP)/двойная отполированная сторона (DSP)

Размер:50.8±0.2 мм (2 дюйма)/100±0.2 мм ((4 дюйма)/150 +0.2 мм (6 дюймов)
625um до 675um 4 дюйма Синий светодиод галлиевого нитрида GaN Эпитаксиальная пластина на сапфире SSP Плоский сапфир

Наименование продукта:синь GaN-на-сапфира 4inch/зеленая вафля СИД

Тип:Плоский сапфир

Толщина:650 ± 25μm
GaN 2 дюйма Нитрид галлия однокристаллический субстрат

Количество мин заказа:1

Упаковывая детали:Внутренняя упаковка: специальная упаковочная коробка для пластинок, наружная упаковка: картонная кор

Условия оплаты:T/T
Однокристаллическая вафель с галлиевым нитридом 4 дюйма

Количество мин заказа:1

Упаковывая детали:Внутренняя упаковка: специальная упаковочная коробка для пластинок, наружная упаковка: картонная кор

Условия оплаты:T/T
4-дюймовый допированный свободностоящий субстрат галлиевого нитрида

Количество мин заказа:1

Упаковывая детали:Внутренняя упаковка: специальная упаковочная коробка для пластинок, наружная упаковка: картонная кор

Условия оплаты:T/T
2-дюймовый зеленый светодиод GaN на кремниевой пластине размером 520 ± 10 нм

Название продукта:ВЕДОМОЕ Зелен GaN на кремниевой пластине

Размер:2 дюйма 4 дюйма

Структура субстрата:111) субстрат 20nmContact layer/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si (
5*10mm2 SP-сторона (20-21)/(20-2-1) ООН-дал допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл < 0,05 Ω·см

Размеры:² 5 x 10mm

Толщина:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
SP-сторона 5*10mm2 (11-12) ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл < 0,1 Ω·см приводит прибор в действие

Размеры:² 5 x 10mm

Ориентация:самолет (11-22) с угла к самолету M-оси 0 ±0.5° (11-22) с угла к C-оси - 1 ±0.2°

TTV:≤ 10µm
5*10 мм2 SP-Face (11-12) Нелегированная N-тип Отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN Удельное сопротивление

Размеры:² 5 x 10mm

Толщина:350 ±25µm

Ориентация:самолет (11-22) с угла к самолету M-оси 0 ±0.5° (11-22) с угла к C-оси - 1 ±0.2°
M-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг SI типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл > 10 ⁶ Ω·Вафля приборов RF см

Размеры:² 5 x 10mm

Толщина:350 ±25µm

Смычок:- ≤ 10µm СМЫЧКА ≤ 10µm
SP-сторона 5*10mm2 (10-11) ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл < 0,05 Ω·см

Размеры:² 5 x 10mm

Толщина:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
SP-сторона 5*10mm2 (10-11) ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности <0.1 Ω субстрата GaN одиночного Кристл·см приводит прибор в действие

Размеры:² 5 x 10mm

Толщина:350 ±25µm

Ориентация:(10-11) угол отклонения плоскости от оси А 0 ±0,5° (10-11) угол отклонения плоскости от оси С - 1 ±0

Page 5 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

Вафля GaN эпитаксиальная

Субстрат GaN одиночный кристаллический

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN

Субстрат GaN стороны c

КИТАЙ Вафля GaN эпитаксиальная

ГаН эпитаксиальная пластина, необходимая для производства высоковольтных высокочастотных чипов

625um до 675um 4 дюйма Синий светодиод галлиевого нитрида GaN Эпитаксиальная пластина на сапфире SSP Плоский сапфир

GaN 2 дюйма Нитрид галлия однокристаллический субстрат

Однокристаллическая вафель с галлиевым нитридом 4 дюйма

4-дюймовый допированный свободностоящий субстрат галлиевого нитрида

2-дюймовый зеленый светодиод GaN на кремниевой пластине размером 520 ± 10 нм

5*10mm2 SP-сторона (20-21)/(20-2-1) ООН-дал допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл < 0,05 Ω·см

SP-сторона 5*10mm2 (11-12) ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл < 0,1 Ω·см приводит прибор в действие

5*10 мм2 SP-Face (11-12) Нелегированная N-тип Отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN Удельное сопротивление

M-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг SI типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл > 10 ⁶ Ω·Вафля приборов RF см

SP-сторона 5*10mm2 (10-11) ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл < 0,05 Ω·см

SP-сторона 5*10mm2 (10-11) ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности <0.1 Ω субстрата GaN одиночного Кристл·см приводит прибор в действие

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский