КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Карта сайта

Вафля GaN эпитаксиальная

• Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI
• Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см
• 2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN
• Самолет вафли полупроводника 325um нитрида галлия 375um c

Вафля Sic эпитаксиальная

• Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм
• тип субстрат 350,0 ± 25,0ум СиК ранга 4Х МОС вафли н 6инч 350,0
• край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум
• Тип 6inch 4H SiC SI уровня p Semi изолируя субстрат 150mm

Эпи-пластина GaAs

• 2-дюймовая пластина GaAs Epi Wafer GaAs нелегированные подложки VGF
• S-C-N Conduct 2-дюймовые нелегированные подложки GaAs Высокая подвижность электронов
• вафля 0.4E18 GaAs Epi субстратов 2inch GaAs Undoped к 1E18
• Dopant субстратов 2inch GaAs Si VGF GaAs Undoped

CVD-алмазные подложки

• Диэлектрическая постоянная 5,5 субстратов диаманта CVD электронной ранга
• XRD
• Содержание n 3 субстратов диаманта CVD X 3mm2 < 100ppb для теплоотвода
• Вафля электронной ранга Контент

Быстрая термальная обжигая система

• Ускоренная термическая обработка RTP-SA-8 система отжига
• система 150mm быстрая термальная обжигая с 3 газами наборов отростчатыми

Тестер датчика Холла

• Измерение резистивности подвижности тестера датчика эффекта Холла коэффициента Hall
• Индустрия полупроводника тестера датчика эффекта Холла концентрации несущей
• Измерение концентрации несущей тестера датчика эффекта Холла материалов полупроводника

Вафля нитрида алюминия

• 1" химическая полировка вафли 400ум с/п/р нитрида алюминия АлН
• форма 25.4mm 1inch AlN одиночное Кристл 400um 2H Кристл
• вафля 450um нитрида алюминия 1inch AlN одиночного Кристл
• C Plane AIN на отполированной стороне вафли сапфира одиночной или двойной

Обломок лазерного диода

• Эффективность 1.0В/А наклона печатания лазера обломока лазерного диода тока 0.5А порогового значения
• Диодный лазерный чип COS 915 нм мощностью 10 Вт на конструкции с подкреплением
• пакет держателя печатания обломока лазерного диода 915nm поверхностный стандартный
• Обломок лазера диода размера 94ум излучателя на пороговом течении 0.5А дизайна Субмаунта

Кремниевый карбид Кристл

• Основной плоский кремниевый карбид Кристл длины 32.5mm 4" ранг 100.0mm p
• кремниевый карбид 4" 4H Politype одиночного Кристл сторона Si ранга p
• 0.015ohm.cm до 0.028ohm.cm кристалл карбида кремния типа N
• кремниевый карбид Кристл 100.0mm 4" ранг 18.0mm p

Ga2O3 пластина

• Толщина 0.6mm до 0.8mm субстрата одиночного Кристл вафли FWHM<350arcsec Ga2O3
• Одиночная отполированная стороной толщина 0.6мм 0.8мм монокристаллической подложки Га2О3
• субстрат вафли Ga2O3 10x15mm одиночное Кристл 10x10mm
• Давать допинг субстрата UID окиси галлия одиночного Кристл полупроводника

кремниевая пластина

• 0,001-100 Ом-см Кремниевая пластина типа P Легирующая присадка бора
• Дискретные субстраты P/E P/P e/НАПРИМЕР законченное поверхностное Si приборов /G
• Основное 2" μm <10 максимальное Capabilities<5um кремниевой пластины стандартное
• Микроэлектронная кремниевая эпитаксиальная пластина 279um Основная подложка

Вафля сапфира

• зеркало вафли R9 сапфира 50mm отполировало тип края r вафли EPI готовый
• Ориентировка кристаллов C/M0.2 субстрата сапфира Thk 430um
• Зеркало вафли сапфира ориентации поверхности плоскости отполировало ЭПИ готовое
• Вафля подложки сапфира Ал2О3 50мм особой чистоты Тхк 430мкм

Сделанные по образцу субстраты сапфира

• Сапфир плоского угла края 16мм сделал по образцу переднюю поверхность субстратов
• Сделанный по образцу субстрат сапфира вафли сапфирового стекла 2inch
• 50,80мм сделанные по образцу сапфировые подложки 430ум плоскость
• Назад Лазерное изготовление узорчатой ​​сапфировой подложки PSS TTV 5um

Держатель вафли тефлона

• 6-дюймовый тефлоновый вафельный держатель для очистки цветочных корзин и ручек

Машина для нарезки вафель

• 0.1mm/s к оси машины x вафли 600mm/s Dicing режа ряд 260mm
• Машина для нарезки кремниевых пластин 260 мм автоматическая пила для нарезки кубиками
• Автоматическая машина для нарезки вафель 8 дюймов × 250 мм 250 мм 300 мм
• 8-дюймовая машина для нарезки вафельных кубиков по оси X Диапазон резки 260 мм 1,8 кВт 2,2 кВт