Главная страница Продукция Вафля сапфира

зеркало вафли R9 сапфира 50mm отполировало тип края r вафли EPI готовый

Name: зеркало вафли R9 сапфира 50mm отполировало тип края r вафли EPI готовый
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDCD08-001-001
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(65)

Вафля Sic эпитаксиальная
(39)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

зеркало вафли R9 сапфира 50mm отполировало тип края r вафли EPI готовый

Большие изображения : зеркало вафли R9 сапфира 50mm отполировало тип края r вафли EPI готовый

Подробная информация о продукте:

Номер модели:	JDCD08-001-001

Оплата и доставка Условия:

Упаковывая детали:	Вакуумная упаковка в чистых помещениях класса 10000, в кассетах по 25 шт. или в одинарных вафельных
Условия оплаты:	T/T

контакт

зеркало вафли R9 сапфира 50mm отполировало тип края r вафли EPI готовый

описание

Диаметр:	50,8 ±0.10	Поверхностная ориентация:	-самолет (11-20)
Метка лазера:	По мере того как требуемый клиент	Край вафли:	R типа
Материал:	₃ ₂ o Al особой чистоты (>99.995%)	Толщина:	430 ±15μm
Выделить:	вафля сапфира 50mm , Отполированная зеркалом вафля EPI готовая , Вафля R9 сапфира

ЗеркалоR9 Al₂o₃>99.995% особой чистотыотполировалоEPI-готовыйкрайвафлиRтипа

JDCD08-001-001 вафля субстрата сапфира диаметра 50mm, Thk 430μm, ориентировка кристаллов C/M0.2, длины (mm) обломок 16 СИД, материал субстрата

Высокую эффективность приборов кремния (Si) и германия (Ge) основанных на можно сделать возможным сквозным субстратом сапфира, который позволяет наборам микросхем быть очень быстр в представлении. Присутсвие Si и Ge обеспечивает высокую подвижность электрона и низкую двойную плотность дефекта в наборах микросхем. Подвижность электрона в приборах SiGe выше чем в случае приборов Si.

Параметры	Спецификация
Параметры	Блок	Цель	Допуск
Материал	Al₂ o₃ особой чистоты (>99.995%)
Диаметр	mm	50,8	±0.10
Толщина	μm	430	±15
Поверхностная ориентация	C-самолет (0001)
- С угла к M-оси	степень	0,20	±0.10
- С угла к -оси	степень	0,00	±0.10
Плоская ориентация	-самолет (11-20)
- Плоский смещенный угол	степень	0,0	±0.2
Плоская длина	mm	16,0	±1
R-самолет	R9
Шершавость лицевой поверхности (Ра)	nm	<0.3
Задняя шероховатость поверхности	μm	0.8~1.2μm
Качество лицевой поверхности	Зеркало отполировало, EPI-готовый
Край вафли	R типа
Скосите амплитуду	μm	80-160
Радиан угла разделки кромки между плоским краем и круглым краем	mm	R=9
TTV	μm	≤5
LTV (5x5mm)	μm	≤1.5
Смычок	μm	0~-5
Искривление	μm	≤10
Метка лазера		По мере того как требуемый клиент

О нас

Мы специализируем в обработке разнообразие материалов в вафли, субстраты и подгонянное оптически стекло parts.components широко используемые в электронике, оптике, opto электронике и много других полей. Мы также работали близко с много отечественных и международные университеты, научно-исследовательские институты и компании, обеспечивают подгонянные продукты и услуга для их проектов НИОКР. Наше зрение к поддержанию хорошего отношения сотрудничества с нашими всеми клиентами нашими хорошими репутациями.

вопросы и ответы

Q: Вы торговая компания или изготовитель?
Мы фабрика.
Q: Сколько времени ваш срок поставки?
Вообще 3-5 дней если товары в запасе.
или 7-10 дней если товары нет в запасе, то, оно согласно количеству.
Q: Вы обеспечиваете образцы? он свободно или дополнительные?
Да, мы смогли предложить обязанность образца бесплатно но не оплачиваем цену перевозки.
Q: Что ваши условия платежа?
Оплата <> >=5000USD оплаты, 80% T/T заранее, баланс перед пересылкой.

тег:

Контактное лицо: Xiwen Bai (Ciel)

Телефон: +8613372109561

Другие продукты