КИТАЙ Ga2O3 пластина

Толщина 0.6mm до 0.8mm субстрата одиночного Кристл вафли FWHM<350arcsec Ga2O3

Толщина:0.6~0.8mm

Название продукта:Субстрат одиночного Кристл

Ориентация:(010)
Одиночная отполированная стороной толщина 0.6мм 0.8мм монокристаллической подложки Га2О3

Ра:≤0.5nm

Толщина:0.6~0.8mm

Название продукта:Субстрат одиночного Кристл
субстрат вафли Ga2O3 10x15mm одиночное Кристл 10x10mm

Ориентация:(010) (201)

Размеры:10*10mm; 10*15mm

Название продукта:Субстрат одиночного Кристл
Давать допинг субстрата UID окиси галлия одиночного Кристл полупроводника

Толщина:0.6~0.8mm

Название продукта:Субстрат одиночного Кристл

Ориентация:(010) (201)
10кс15мм2 УИД допилил полировать свободной стоящей вафли Га2О3 одиночной

Толщина:0.6~0.8mm

Название продукта:Субстрат одиночного Кристл

Ориентация:(010) (201)
Ра 0,3 нм Ga2O3 монокристаллическая эпитаксиальная пластина 2 дюйма 4 дюйма

Название продукта:Субстрат одиночного Кристл

Толщина:0.6~0.8mm

Ориентация:(201)
Легирование Sn вафли Ga2O3 монокристаллической подложки 10x10 мм2

Толщина:0.6~0.8mm

Название продукта:Субстрат одиночного Кристл

Ориентация:(201)
Положение субстрата 10кс10мм2 вафли Га2О3 легированное Фе одиночное кристаллическое свободное

FWHM:<350arcsec>

Отполированная поверхность:Одиночная отполированная сторона

Толщина:0.6~0.8mm
Одиночный бортовой отполированный субстрат одиночного Кристл вафли Ga2O3

Название продукта:Субстрат одиночного Кристл

Толщина:0.6~0.8mm

Отполированная поверхность:Одиночная отполированная сторона
полировать субстрата 0.6mm 0.8mm Ga2O3 одиночное Кристл одиночный

Название продукта:Субстрат одиночного Кристл

Ориентация:(201)

Отполированная поверхность:Одиночная отполированная сторона
JDCD04-001-007 10x10 мм2 (010) Легированная оловом отдельно стоящая монокристаллическая подложка Ga2O3 Класс продукта Одинарная полировка

Толщина:0.6~0.8mm

Название продукта:Субстрат одиночного Кристл

Ориентация:(101)
JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-дало допинг свободно стоящему Ga2O3 одиночному Кристл продукт субстрата ранг одиночный полировать

Толщина:0.6~0.8mm

Название продукта:Субстрат одиночного Кристл

Ориентация:(201)

Page 1 of 2|< << 1 2 >> >|

Ga2O3 пластина

КИТАЙ Ga2O3 пластина

Толщина 0.6mm до 0.8mm субстрата одиночного Кристл вафли FWHM<350arcsec Ga2O3

Одиночная отполированная стороной толщина 0.6мм 0.8мм монокристаллической подложки Га2О3

субстрат вафли Ga2O3 10x15mm одиночное Кристл 10x10mm

Давать допинг субстрата UID окиси галлия одиночного Кристл полупроводника

10кс15мм2 УИД допилил полировать свободной стоящей вафли Га2О3 одиночной

Ра 0,3 нм Ga2O3 монокристаллическая эпитаксиальная пластина 2 дюйма 4 дюйма

Легирование Sn вафли Ga2O3 монокристаллической подложки 10x10 мм2

Положение субстрата 10кс10мм2 вафли Га2О3 легированное Фе одиночное кристаллическое свободное

Одиночный бортовой отполированный субстрат одиночного Кристл вафли Ga2O3

полировать субстрата 0.6mm 0.8mm Ga2O3 одиночное Кристл одиночный

JDCD04-001-007 10x10 мм2 (010) Легированная оловом отдельно стоящая монокристаллическая подложка Ga2O3 Класс продукта Одинарная полировка

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-дало допинг свободно стоящему Ga2O3 одиночному Кристл продукт субстрата ранг одиночный полировать

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский