КИТАЙ кремниевая пластина

0,001-100 Ом-см Кремниевая пластина типа P Легирующая присадка бора

Диаметр:2"

Ранг:Основной

Метод роста:CZ
Дискретные субстраты P/E P/P e/НАПРИМЕР законченное поверхностное Si приборов /G

Метод роста:CZ

Диаметр:2"

Ранг:Основной
Основное 2" μm <10 максимальное Capabilities<5um кремниевой пластины стандартное

Диаметр:2"

Ранг:Основной

Метод роста:CZ
Микроэлектронная кремниевая эпитаксиальная пластина 279um Основная подложка

Ранг:Основной

Метод роста:CZ

Тип/Dopant:Тип p/бор, тип n/Phos, n Type/As, n Type/Sb
Тип кремниевая пластина 3" n Phos толщина 279um 380um 525um 625um

Тип/Dopant:Тип p/бор, тип n/Phos, n Type/As, n Type/Sb

Толщина (мкм):279

Допуск толщины:Стандартное ± 25μm, максимальное ± 5μm возможностей
4" 5" 6" тип p вафли Si/тип n бора/как тип/Sb n

Диаметр:2"

Ранг:Основной

Метод роста:CZ
Кремниевая пластина 5" CZ метода роста ориентация <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0>

Диаметр:2"

Ранг:Основной

Метод роста:CZ
Полупроводниковые приборы вафля 8" 12" субстрата кремния 2 дюймов

Диаметр:2"

Ранг:Основной

Метод роста:CZ
Тип тип n n Sb как кремниевая пластина 6 дюймов 8 дюймов

Метод роста:CZ

Ориентация:<1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>

Тип/Dopant:Тип p/бор, тип n/Phos, n Type/As, n Type/Sb
Кремниевая полупроводниковая пластина CZ 380um 525um 625um

Ориентация:<1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>

Толщина (мкм):279

Допуск толщины:Стандартное ± 25μm, максимальное ± 5μm возможностей
Тип тип Phos p кремниевой пластины 12 дюймов n бора

Диаметр:12"

Ранг:Основной

Метод роста:CZ
Кремний поверхность вафли 8 дюймов закончил P/E P/P e/НАПРИМЕР /G

Диаметр:8"

Ранг:Основной

Метод роста:CZ

Page 1 of 3|< << 1 2 3 >> >|

кремниевая пластина

КИТАЙ кремниевая пластина

0,001-100 Ом-см Кремниевая пластина типа P Легирующая присадка бора

Дискретные субстраты P/E P/P e/НАПРИМЕР законченное поверхностное Si приборов /G

Основное 2" μm <10 максимальное Capabilities<5um кремниевой пластины стандартное

Микроэлектронная кремниевая эпитаксиальная пластина 279um Основная подложка

Тип кремниевая пластина 3" n Phos толщина 279um 380um 525um 625um

4" 5" 6" тип p вафли Si/тип n бора/как тип/Sb n

Кремниевая пластина 5" CZ метода роста ориентация <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0>

Полупроводниковые приборы вафля 8" 12" субстрата кремния 2 дюймов

Тип тип n n Sb как кремниевая пластина 6 дюймов 8 дюймов

Кремниевая полупроводниковая пластина CZ 380um 525um 625um

Тип тип Phos p кремниевой пластины 12 дюймов n бора

Кремний поверхность вафли 8 дюймов закончил P/E P/P e/НАПРИМЕР /G

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский