кремниевая пластина

КИТАЙ кремниевая пластина

Дискретные устройства толщина 675ум 725ум 775ум кремниевой пластины 2 дюймов

Диаметр:2"

Ранг:Основной

Метод роста:CZ
775um 725um 675um полупроводниковые устройства вафли 8 дюймов

Диаметр:2"

Ранг:Основной

Метод роста:CZ
2" толщина 279μm кремниевой пластины полупроводника

Диаметр:2"

Ориентация:<1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>

Тип/Dopant:Тип p/бор, тип n/Phos, n Type/As, n Type/Sb
Устройства МЭМС Кремниевые подложки Интегральные схемы Выделенные

Диаметр:2"

Ранг:Основной

Метод роста:CZ
Приборы кремниевой пластины MEMS JDCD06-001-003 4-Inch, интегральные схемаы, преданные субстраты для дискретных приборов

Диаметр:4"

Ранг:Основной

Метод роста:CZ
JDCD06-001-002 3-дюймовые МЭМС-устройства на кремниевых пластинах, интегральные схемы, специальные подложки для дискретных устройств

Диаметр:3"

Ранг:Основной

Метод роста:CZ
Вафля JDCD07-001-003 6-Inch SOI эпитаксиальная для обработки MEMS

Ориентация:<100>,<111>

Тип/Dopant:Тип p/бор, тип n/Phos, n Type/As, n Type/Sb

Толщина (мкм):300-725
JDCD07-001-004 7-дюймовая эпитаксиальная пластина SOI для обработки МЭМС

Диаметр:7"

Ориентация:<100>,<111>

Тип/Dopant:Тип p/бор, тип n/Phos, n Type/As, n Type/Sb
Вафля JDCD07-001-002 5-Inch SOI эпитаксиальная для обработки MEMS

Ориентация:<100>,<111>

Тип/Dopant:Тип p/бор, тип n/Phos, n Type/As, n Type/Sb

Единообразие:<5>
JDCD07-001-001 4-дюймовая эпитаксиальная пластина SOI для обработки МЭМС

Диаметр:4"

Ориентация:<100>,<111>

Тип/Dopant:Тип p/бор, тип n/Phos, n Type/As, n Type/Sb
Приборы кремниевой пластины MEMS JDCD06-001-007 12-Inch, интегральные схемаы, преданные субстраты для дискретных приборов

Диаметр:12"

Ранг:Основной

Метод роста:CZ
JDCD06-001-006 8-дюймовые МЭМС-устройства на кремниевых пластинах, интегральные схемы, специальные подложки для дискретных устройств

Диаметр:8"

Ранг:Основной

Метод роста:CZ

Page 2 of 3|< << 1 2 3 >> >|

Обзор категории：

кремниевая пластина

КИТАЙ кремниевая пластина

Дискретные устройства толщина 675ум 725ум 775ум кремниевой пластины 2 дюймов

775um 725um 675um полупроводниковые устройства вафли 8 дюймов

2" толщина 279μm кремниевой пластины полупроводника

Устройства МЭМС Кремниевые подложки Интегральные схемы Выделенные

Приборы кремниевой пластины MEMS JDCD06-001-003 4-Inch, интегральные схемаы, преданные субстраты для дискретных приборов

JDCD06-001-002 3-дюймовые МЭМС-устройства на кремниевых пластинах, интегральные схемы, специальные подложки для дискретных устройств

Вафля JDCD07-001-003 6-Inch SOI эпитаксиальная для обработки MEMS

JDCD07-001-004 7-дюймовая эпитаксиальная пластина SOI для обработки МЭМС

Вафля JDCD07-001-002 5-Inch SOI эпитаксиальная для обработки MEMS

JDCD07-001-001 4-дюймовая эпитаксиальная пластина SOI для обработки МЭМС

Приборы кремниевой пластины MEMS JDCD06-001-007 12-Inch, интегральные схемаы, преданные субстраты для дискретных приборов

JDCD06-001-006 8-дюймовые МЭМС-устройства на кремниевых пластинах, интегральные схемы, специальные подложки для дискретных устройств

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский