Вафля GaN эпитаксиальная

Самые лучшие продукты

Субстрат GaN одиночный кристаллический

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN

Субстрат GaN стороны c

КИТАЙ Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Размеры:± 50,8 1 mm

Название продукта:свободно стоящие субстраты GaN

Толщина:350 ±25µm
Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

Размеры:± 50,8 1 mm

Толщина:350 ±25µm

Смычок:- ≤ 10µm СМЫЧКА ≤ 10µm
2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Размеры:± 50,8 1 mm

Толщина:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
Самолет вафли полупроводника 325um нитрида галлия 375um c

Название продукта:Субстрат GaN одиночный кристаллический

Размеры:± 50,8 1 mm

Толщина:350 ±25µm
Эпитаксиальная пластина GaN 375 мкм Отдельно стоящие подложки U-GaN SI-GaN

Название продукта:2-дюймовые свободно стоящие субстраты U-GaN/SI-GaN

Размеры:50,8 ± 1mm

Толщина:350 ± 25μm
Субстраты SI GaN субстратов 2 дюймов u GaN 50.8mm

Название продукта:2-дюймовые свободно стоящие субстраты U-GaN/SI-GaN

Размеры:50,8 ± 1mm

Толщина:350 ± 25μm
Одиночная ООН стороны вафли 2inch c Кристл GaN эпитаксиальная дала допинг типу n

Название продукта:2-дюймовые свободно стоящие субстраты U-GaN/SI-GaN

Размеры:50,8 ± 1mm

Толщина:350 ± 25μm
вафля полупроводника нитрида галлия 50.8mm положение 2 дюймов свободное

Название продукта:2-дюймовые свободно стоящие субстраты U-GaN/SI-GaN

Шероховатость поверхности стороны Ga:< 0="">

Квартира ориентации:± 0.5˚ (1-100), 16 ± 1mm
Свободное положение u/вафля 50,8 mm 350 SI GaN эпитаксиальная um

Название продукта:2-дюймовые свободно стоящие субстраты U-GaN/SI-GaN

Размеры:50,8 ± 1mm

Толщина:350 ± 25μm
SP Face 5 X 10 мм2 Подложка из нитрида галлия 350 мкм

Название продукта:свободно стоящие субстраты GaN

Толщина:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
эпитаксиальная пластина GaN 5x10 мм2, нелегированная, тип SI

Название продукта:Свободно стоящий субстрат GaN одиночного Кристл

Толщина:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
Монокристаллическая пластина нитрида галлия GaN типа SI

Размеры:² 5 x 10mm

Название продукта:свободно стоящие субстраты GaN

Толщина:350 ±25µm

Page 1 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

Обзор категории：

Вафля GaN эпитаксиальная

Субстрат GaN одиночный кристаллический

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN

Субстрат GaN стороны c

КИТАЙ Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Самолет вафли полупроводника 325um нитрида галлия 375um c

Эпитаксиальная пластина GaN 375 мкм Отдельно стоящие подложки U-GaN SI-GaN

Субстраты SI GaN субстратов 2 дюймов u GaN 50.8mm

Одиночная ООН стороны вафли 2inch c Кристл GaN эпитаксиальная дала допинг типу n

вафля полупроводника нитрида галлия 50.8mm положение 2 дюймов свободное

Свободное положение u/вафля 50,8 mm 350 SI GaN эпитаксиальная um

SP Face 5 X 10 мм2 Подложка из нитрида галлия 350 мкм

эпитаксиальная пластина GaN 5x10 мм2, нелегированная, тип SI

Монокристаллическая пластина нитрида галлия GaN типа SI

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский