|
Подробная информация о продукте:
|
| Название продукта: | 2-дюймовые свободно стоящие субстраты U-GaN/SI-GaN | Размеры: | 50,8 ± 1mm |
|---|---|---|---|
| Толщина: | 350 ± 25μm | Квартира ориентации: | ± 0.5˚ (1-100), 16 ± 1mm |
| Вторичная квартира ориентации: | ± 3˚ (11-20), 8 ± 1mm | Шероховатость поверхности стороны Ga: | < 0=""> |
| Выделить: | Одиночная вафля Кристл GaN эпитаксиальная,ООН дала допинг вафле ngle кристаллической,Тип n вафли GaN эпитаксиальный |
||
C-сторона 2inch ООН-дала допинг n типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночной кристаллической < 0="">
Обзор
Высококачественные субстраты GaN свободно стоящие с низкой плотностью дислокации соответствующей для изготовляя лазерных диодов быть использованным как источники света для дисководов или репроекторов Blu-ray.
Шаблон GaN на кремнии сделан методом эпитаксии участка пара гидрида (HVPE) основанным на. Во время процесса HVPE, HCl реагирует с жидким Ga для того чтобы сформировать GaCl, которое в свою очередь реагирует с NH3 для того чтобы сформировать GaN. Шаблон GaN на кремнии рентабельный путь заменить субстрат GaN одиночный кристаллический.
| 2-дюймовые свободно стоящие субстраты U-GaN/SI-GaN | |||||||
|
Превосходный уровень (s) |
Уровень продукции (a) |
Исследование уровень (b) |
Манекен уровень (c) |
Примечание: (1) годная к употреблению область: исключение дефектов края и макроса (2) 3 пункта: miscut двигает под углом положений (2, 4, 5) 0,35 ± 0,15o |
|||
| S-1 | S-2 | A-1 | A-2 | ||||
| Размеры | ± 50,8 1 mm | ||||||
| Толщина | 350 μm ± 25 | ||||||
| Квартира ориентации | ± 0,5o (1-100), ± 16 1 mm | ||||||
| Вторичная квартира ориентации | ± 3o (11-20), ± 8 1 mm | ||||||
| Резистивность (300K) |
< 0=""> или > 1 x 106 Ω·см для Fe-данный допинг Полу-изолировать (; GaN-FS-C-SI-C50) |
||||||
| TTV | μm ≤ 15 | ||||||
| СМЫЧОК | μm ≤ 40 μm ≤ 20 | ||||||
| Шероховатость поверхности стороны Ga |
< 0=""> или < 0=""> |
||||||
| Шероховатость поверхности стороны n |
0,5 μm ~1,5 вариант: 1~3 nm (точная земля); < 0=""> |
||||||
| Пакет | Упакованный в чистой комнате в одиночном контейнере вафли | ||||||
| Годная к употреблению область | > 90% | >80% | >70% | ||||
| Плотность дислокации | <9>5 см-2 | <3x10>6 см-2 | <9>5 см-2 | <3x10>6 см-2 | <3x10>6 см-2 | ||
| Ориентация: Самолет c (0001) с угла к M-оси |
0,35 ± 0,15o (3 пункта) |
0,35 ± 0,15o (3 пункта) |
0,35 ± 0,15o (3 пункта) |
||||
| Плотность дефекта макроса (отверстие) | 0 см-2 | < 0="">-2 | < 1="" cm="">-2 | ||||
| Максимальный размер дефектов макроса | < 700=""> | < 2000=""> | < 4000=""> | ||||
О нас
Мы специализируем в обработке разнообразие материалов в вафли, субстраты и подгонянное оптически стекло parts.components широко используемые в электронике, оптике, opto электронике и много других полей. Мы также работали близко с много отечественных и международные университеты, научно-исследовательские институты и компании, обеспечивают подгонянные продукты и услуга для их проектов НИОКР. Наше зрение к поддержанию хорошего отношения сотрудничества с нашими всеми клиентами нашими хорошими репутациями.
вопросы и ответы
Q: Вы торговая компания или изготовитель?
Мы фабрика.
Q: Сколько времени ваш срок поставки?
Вообще 3-5 дней если товары в запасе.
или 7-10 дней если товары нет в запасе, то, оно согласно количеству.
Q: Вы обеспечиваете образцы? он свободно или дополнительные?
Да, мы смогли предложить обязанность образца бесплатно но не оплачиваем цену перевозки.
Q: Что ваши условия платежа?
Оплата <>
>=5000USD оплаты, 80% T/T заранее, баланс перед пересылкой.
Контактное лицо: Xiwen Bai (Ciel)
Телефон: +8613372109561
