КИТАЙ Кремниевый карбид Кристл

• 

  Основной плоский кремниевый карбид Кристл длины 32.5mm 4" ранг 100.0mm p

  Политип:4h

  Диаметр:100,0 мм ± 0,5 мм

  Тип несущей:N-TYPE

  Контакт
• 

  кремниевый карбид 4" 4H Politype одиночного Кристл сторона Si ранга p

  Политип:4h

  Диаметр:100,0 мм ± 0,5 мм

  Ориентация:4,0°±0,2°

  Контакт
• 

  0.015ohm.cm до 0.028ohm.cm кристалл карбида кремния типа N

  Тип несущей:N-TYPE

  резистивность:0.015~0.028ohm.cm

  Ориентация:4,0°±0,2°

  Контакт
• 

  кремниевый карбид Кристл 100.0mm 4" ранг 18.0mm p

  Политип:4h

  Диаметр:100,0 мм ± 0,5 мм

  Тип несущей:N-TYPE

  Контакт
• 

  кремниевый карбид Кристл 100.0mm 4" ранг Politype 4H p

  Политип:4h

  Диаметр:100,0 мм ± 0,5 мм

  Тип несущей:N-TYPE

  Контакт
• 

  4" удельное сопротивление 0.015ohm.cm кристалла кремниевого карбида ранга p к 0.028ohm.cm

  Политип:4h

  Тип несущей:N-TYPE

  резистивность:0.015~0.028ohm.cm

  Контакт
• 

  Слиток Кристл JDZJ01-001-002 SiC 4" ранг d

  Политип:4h

  Диаметр:100,0 мм ± 0,5 мм

  Тип несущей:N-TYPE

  Контакт
• 

  JDZJ01-001-008 4 и 6-дюймовый затравочный кристалл SiC

  Политип:4h

  Диаметр:105±0,5 мм

  Толщина:500±50 мкм

  Контакт
• 

  Семя Кристл кремниевого карбида JDZJ01-001-007

  Диаметр:105±0,5 мм

  Тип несущей:500±50 мкм

  TTV:≤15μm

  Контакт
• 

  Семя Кристл s JDZJ01-001-005 SiC ранг 6" ранг φ153±0.5mm s

  Искривление (μm):≤50μm

  Диаметр:153±0,5 мм

  Толщина:500±50мм

  Контакт
• 

  JDZJ01-001-004 Кристалл SiC в слитках 6 дюймов, класс P

  Политип:4h

  Диаметр:150,0 мм ± 0,5 мм

  Тип несущей:N-TYPE

  Контакт
• 

  Семя Кристл s JDZJ01-001-006 SiC ранг 6" ранг φ153±0.5mm s

  Искривление (μm):≤50μm

  Диаметр:153±0,5 мм

  Длина основной позиционирующей кромки:8,0±2,0

  Контакт