КИТАЙ CVD-алмазные подложки

Диэлектрическая постоянная 5,5 субстратов диаманта CVD электронной ранга

Плотность (г/см3):3,515

Название продукта:CVD-алмазные подложки

Коэффициент трения:0,1
XRD

Плотность (г/см3):3,515

Название продукта:CVD-алмазные подложки

Коэффициент трения:0,1
Содержание n 3 субстратов диаманта CVD X 3mm2 < 100ppb для теплоотвода

Плотность (г/см3):3,515

Модуль Юнга (PGa):1050

Название продукта:CVD-алмазные подложки
Вафля электронной ранга Контент

Плотность (г/см3):3,515

Модуль Юнга (PGa):1050

Название продукта:CVD-алмазные подложки
диамант 3.515г/км3 КВД пропускает свет 225нм к дальнему инфракрасному

Плотность (г/см3):3,515

Модуль Юнга (PGa):1050

Название продукта:CVD-алмазные подложки
Ранг Young субстрата модуля 1050PGa одиночного Кристл электронная

Название продукта:CVD-алмазные подложки

Прочность на излом (МПа·м1/2):1~8

Коэффициент трения:0,1
Wm k 1000 | проводимость 2000 субстратов диаманта CVD термальная 300K

Плотность (г/см3):3,515

Модуль Юнга (PGa):1050

Название продукта:CVD-алмазные подложки
225нм к содержанию н вафли диаманта ранга дальнего инфракрасного электронного одиночного Кристл

Название продукта:CVD-алмазные подложки

Плотность (г/см3):3,515

Модуль Юнга (PGa):1050
Ранг 70 до 120 субстратов диаманта CVD PGa одиночная кристаллическая электронная

Плотность (г/см3):3,515

Модуль Юнга (PGa):1050

Название продукта:CVD-алмазные подложки
диамант 225nm одиночного Кристл ранга 3x3mm2 0.3mm электронный к длинноволновой части инфракрасной области

Плотность (г/см3):3,515

Модуль Юнга (PGa):1050

Название продукта:CVD-алмазные подложки
JDCD05-001-004 3*3 мм2*0,5 мм Монокристаллический алмаз электронного качества, содержание азота

Плотность (г/см3):3,515

Модуль Юнга (PGa):1050

Название продукта:CVD-алмазные подложки
Субстраты диаманта CVD JDCD05-001-007

Плотность (г/см3):3,515

Модуль Юнга (PGa):1050

Название продукта:CVD-алмазные подложки

Page 1 of 2|< << 1 2 >> >|

CVD-алмазные подложки

КИТАЙ CVD-алмазные подложки

Диэлектрическая постоянная 5,5 субстратов диаманта CVD электронной ранга

XRD

Содержание n 3 субстратов диаманта CVD X 3mm2 < 100ppb для теплоотвода

Вафля электронной ранга Контент

диамант 3.515г/км3 КВД пропускает свет 225нм к дальнему инфракрасному

Ранг Young субстрата модуля 1050PGa одиночного Кристл электронная

Wm k 1000 | проводимость 2000 субстратов диаманта CVD термальная 300K

225нм к содержанию н вафли диаманта ранга дальнего инфракрасного электронного одиночного Кристл

Ранг 70 до 120 субстратов диаманта CVD PGa одиночная кристаллическая электронная

диамант 225nm одиночного Кристл ранга 3x3mm2 0.3mm электронный к длинноволновой части инфракрасной области

JDCD05-001-004 33 мм20,5 мм Монокристаллический алмаз электронного качества, содержание азота

Субстраты диаманта CVD JDCD05-001-007

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский