Главная страница

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Контакты

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(65)

Вафля Sic эпитаксиальная
(39)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

Оставьте нам сообщение

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Адрес :	Здание 11, переулок 1333, проспект Цзяннань, город Чансин, район Чунмин, Шанхай
Адрес завода :	Здание 11, переулок 1333, проспект Цзяннань, город Чансин, район Чунмин, Шанхай
рабочее время :	9：10-18:00(по пекинскому времени)
Рабочий телефон :	86-18962520616(Нерабочее время)
Контакты :	Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Контактное лицо :	Xiwen Bai (Ciel)
Рабочий телефон :	+8613372109561
WhatsApp :	+8613372109561
WeChat :	+8613372109561
Электронная почта :	baixiwen2022@ganova.com.cn

Контактное лицо :	Adela
Рабочий телефон :	+8615962257010
Электронная почта :	daidongyun2020@ganova.com.cn

Контактная информация

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Контактное лицо: Xiwen Bai (Ciel)

Телефон: +8613372109561

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Контакты

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский