Russian

English

French

German

Italian

Russian

Spanish

Portuguese

Dutch

Greek

Japanese

Korean

Arabic

Turkish

Polish

Отправить запрос |

Главная страница Продукцияblue led gan epitaxial wafer онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(65)

Вафля Sic эпитаксиальная
(39)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

blue led gan epitaxial wafer онлайн производство

(15)

4-дюймовый голубой светодиод GaN, эпитаксиальная пластина C, плоский сапфир
контакт

Подробнее

2024-11-18 19:17:19

Плоский сапфир 4-дюймовая эпитаксиальная пластина GaN с синим светодиодом на сапфире SSP
контакт

Подробнее

2022-10-08 17:23:32

100mm 4 медленно двигают голубая вафля СИД GaN эпитаксиальная на толщине 5um сапфира SSP - 6um
контакт

Подробнее

2022-10-08 17:07:51

625um к 675um вафля СИД GaN 4 дюймов голубая эпитаксиальная на сапфире сапфира SSP плоском
контакт

Подробнее

2024-10-29 11:49:57

625um до 675um 4 дюйма Синий светодиод галлиевого нитрида GaN Эпитаксиальная пластина на сапфире SSP Плоский сапфир
контакт

Подробнее

2024-12-06 17:46:07

Синий светодиод GaN на кремниевой пластине Синий лазер GaN эпитаксиальная пластина
контакт

Подробнее

2024-12-06 17:37:25

Толщина буфера AlGaN 600 нм 2-дюймовый синий светодиод GaN на кремниевой пластине
контакт

Подробнее

2025-04-04 22:42:47

4-дюймовый GaN на Силиконовом зеленом светодиодном эпи вафле Си Си эпитаксиальные вафли
контакт

Подробнее

2024-12-06 17:33:43

4-дюймовый GaN на Силиконовом зеленом светодиодном эпи вафле Си Си эпитаксиальные вафли
контакт

Подробнее

2024-12-06 17:33:43

4 дюйма UGaN на кремниевом недопированном галлиевом нитриде на кремниевом эпитаксиальном пластинке
контакт

Подробнее

2024-12-06 17:33:43

Page 1 of 2|< << 1 2 >> >|

около

Вафля GaN эпитаксиальная: Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI; Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см; 2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная: Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм; край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум; C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение