Отправить запрос |
Главная страница ПродукцияВафля GaN эпитаксиальная

625um к 675um вафля СИД GaN 4 дюймов голубая эпитаксиальная на сапфире сапфира SSP плоском

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Самые лучшие продукты
Субстрат GaN одиночный кристаллический

Субстрат GaN одиночный кристаллический

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN

Субстрат GaN стороны c

Субстрат GaN стороны c

Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

625um к 675um вафля СИД GaN 4 дюймов голубая эпитаксиальная на сапфире сапфира SSP плоском

625um к 675um вафля СИД GaN 4 дюймов голубая эпитаксиальная на сапфире сапфира SSP плоском
625um To 675um 4 Inch Blue LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Flat Sapphire
625um к 675um вафля СИД GaN 4 дюймов голубая эпитаксиальная на сапфире сапфира SSP плоском 625um к 675um вафля СИД GaN 4 дюймов голубая эпитаксиальная на сапфире сапфира SSP плоском

Большие изображения :  625um к 675um вафля СИД GaN 4 дюймов голубая эпитаксиальная на сапфире сапфира SSP плоском

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Сучжоу Китай
Фирменное наименование: GaNova
Сертификация: UKAS/ISO9001:2015
Номер модели: JDWY03-001-031
Оплата и доставка Условия:
Упаковывая детали: Вакуумная упаковка в чистом помещении класса 10000, в кассетах по 6 шт. или в одинарных вафельных ко
Время доставки: 3-4 рабочих дня
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 10000pcs/Month
контакт

625um к 675um вафля СИД GaN 4 дюймов голубая эпитаксиальная на сапфире сапфира SSP плоском

описание
Название продукта: синь GaN-на-сапфира 4inch/зеленая вафля СИД Тип: Плоский сапфир
Толщина: 650 ± 25μm Ориентация: Самолет c (0001) с угла к ± 0.1° M-оси 0,2
Польский: Одиночная сторона отполированная (SSP)/двойная отполированная сторона (DSP) Размер: 100 ± 0.2mm
Выделить:

вафля 625um GaN эпитаксиальная

,

SSP gan на вафлях сапфира

,

вафля 675um GaN эпитаксиальная

Μm ± 25 толщины 650 субстрата вафля СИД GaN 4 дюймов голубая эпитаксиальная на сапфире сапфира SSP плоском

вафля СИД GaN 4 дюймов голубая эпитаксиальная на сапфире SSP

Например, GaN субстрат который делает лазерные диоды фиолета (405 nm) возможный, без пользы нелинейного оптически удвоения частоты. Своя чувствительность к ионизирующему излучению низка (как другие нитриды группы III), делающ им соответствующий материал для массивов фотоэлемента для спутников. Применения войск и космоса смогли также помочь по мере того как приборы показывали стабильность в окружающих средах радиации.

синь GaN-на-сапфира 4inch/зеленая вафля СИД

Субстрат

 Тип Плоский сапфир

625um к 675um вафля СИД GaN 4 дюймов голубая эпитаксиальная на сапфире сапфира SSP плоском 0
Польский Одиночная сторона отполированная (SSP)/двойная отполированная сторона (DSP)
Размер ± 100 0,2 mm
Ориентация Самолет c (0001) с угла к ± 0.1° M-оси 0,2
Толщина 650 μm ± 25

Эпислой

 Структура uGaN 0.2μm pGaN/0.5μm MQWs/2.5μm nGaN/2.0μm
Толщина 5,5 ± 0.5μm
Шершавость (Ра) <0>
Плотность дислокации < 5="">8 см-2
Длина волны Голубое СИД Зеленое СИД
465 ± 10 nm 525 ± 10 nm
Длина волны FWHMs < 25="" nm=""> < 40="" nm="">
Представление обломока Отрезк-в μA voltage@1 2.3-2.5V 2.2-2.4V
Годная к употреблению область > 90% (исключение дефектов края и макроса)

Пакет

Упакованный в чистой комнате в одиночном контейнере вафли

О нас

Мы специализируем в обработке разнообразие материалов в вафли, субстраты и подгонянное оптически стекло parts.components широко используемые в электронике, оптике, opto электронике и много других полей. Мы также работали близко с много отечественных и международные университеты, научно-исследовательские институты и компании, обеспечивают подгонянные продукты и услуга для их проектов НИОКР. Наше зрение к поддержанию хорошего отношения сотрудничества с нашими всеми клиентами нашими хорошими репутациями.

вопросы и ответы

Q: Вы торговая компания или изготовитель?
Мы фабрика.
Q: Сколько времени ваш срок поставки?
Вообще 3-5 дней если товары в запасе.
или 7-10 дней если товары нет в запасе, то, оно согласно количеству.
Q: Вы обеспечиваете образцы? он свободно или дополнительные?
Да, мы смогли предложить обязанность образца бесплатно но не оплачиваем цену перевозки.
Q: Что ваши условия платежа?
Оплата <> >=5000USD оплаты, 80% T/T заранее, баланс перед пересылкой.

тег:

Вафля полупроводника нитрида галлия,

Свободные стоящие субстраты GaN,

Голубая вафля СИД GaN эпитаксиальная

Контактная информация
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Контактное лицо: Xiwen Bai (Ciel)

Телефон: +8613372109561

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Размеры: ± 50,8 1 mm

Название продукта: свободно стоящие субстраты GaN

Толщина: 350 ±25µm

Ориентация: Самолет c (0001) с угла к M-оси
Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

Размеры: ± 50,8 1 mm

Толщина: 350 ±25µm

Смычок: - ≤ 10µm СМЫЧКА ≤ 10µm

Плотность дефекта макроса: ² 0cm⁻
2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Размеры: ± 50,8 1 mm

Толщина: 350 ±25µm

TTV: ≤ 10µm

Смычок: μm ≤ 20
Самолет вафли полупроводника 325um нитрида галлия 375um c

Самолет вафли полупроводника 325um нитрида галлия 375um c

Название продукта: Субстрат GaN одиночный кристаллический

Размеры: ± 50,8 1 mm

Толщина: 350 ±25µm

Ориентация: Самолет c (0001) с угла к M-оси
Эпитаксиальная пластина GaN 375 мкм Отдельно стоящие подложки U-GaN SI-GaN

Эпитаксиальная пластина GaN 375 мкм Отдельно стоящие подложки U-GaN SI-GaN

Название продукта: 2-дюймовые свободно стоящие субстраты U-GaN/SI-GaN

Размеры: 50,8 ± 1mm

Толщина: 350 ± 25μm

Квартира ориентации: ± 0.5˚ (1-100), 16 ± 1mm
около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.