Главная страница Продукцияgallium nitride semiconductor wafer онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(65)

Вафля Sic эпитаксиальная
(39)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

gallium nitride semiconductor wafer онлайн производство

(35)

вафля полупроводника нитрида галлия 50.8mm положение 2 дюймов свободное
контакт

50.8 ± 1 mm 2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates (1-100) ± 0.5o, 16 ± 1 mm 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer ... Подробнее

2022-10-08 17:22:16

Самолет вафли полупроводника 325um нитрида галлия 375um c
контакт

2-inch Free-standing SI-GaN Substrates An epitaxial wafer (also called epi wafer, epi-wafer, or epiwafer) is a wafer of semiconducting material made by epitaxial growth (epitaxy) for use in photonics, ... Подробнее

2024-10-29 11:49:57

Монокристаллическая полупроводниковая пластина нитрида галлия TTV 10um
контакт

5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN substrate has a damage-free, very flat (Rms < 0.2 nm), controlled surface ... Подробнее

2024-10-29 11:49:57

Монокристаллическая пластина нитрида галлия GaN типа SI
контакт

5*10.5mm2 SP-face (20-21)/(20-2-1) Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Overview Gallium Nitride (GaN) substrate is a high-quality single-crystal ... Подробнее

2022-10-08 15:51:24

Однокристаллическая вафель с галлиевым нитридом 4 дюйма
контакт

Introduction to 4-inch iron doped gallium nitride single crystal GaN substrate 4-inch iron doped gallium nitride single crystal GaN substrate is a single crystal substrate made of gallium nitride (GaN) material... Подробнее

2024-12-06 17:44:01

Давать допинг субстрата UID окиси галлия одиночного Кристл полупроводника
контакт

Ga2O3 Single Crystal Substrate Thickness 0.6~0.8mm FWHM Подробнее

2022-10-09 10:30:43

Одиночный бортовой отполированный субстрат одиночного Кристл вафли Ga2O3
контакт

10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Подробнее

2024-10-29 11:49:58

Эпитаксиальная пластина GaN 375 мкм Отдельно стоящие подложки U-GaN SI-GaN
контакт

350 ± 25 μm (11-20) ± 3o, 8 ± 1 mm 2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview ... Подробнее

2024-11-18 19:17:19

2 дюйма GaN на кремниевом зеленом светодиодном эпи вафле Галлиевый нитрид на кремниевом
контакт

Introduction to GaN on Silicon Green LED Epi wafer GaN on Silicon Green LED Epi wafer are semiconductor structures formed on silicon substrate materials through epitaxial growth technology for manufacturing ... Подробнее

2024-12-06 17:35:32

4 дюйма UGaN на кремниевом недопированном галлиевом нитриде на кремниевом эпитаксиальном пластинке
контакт

2024-12-06 17:33:43

Page 1 of 4|< << 1 2 3 4 >> >|

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

gallium nitride semiconductor wafer онлайн производство

вафля полупроводника нитрида галлия 50.8mm положение 2 дюймов свободное
контакт

Самолет вафли полупроводника 325um нитрида галлия 375um c
контакт

Монокристаллическая полупроводниковая пластина нитрида галлия TTV 10um
контакт

Монокристаллическая пластина нитрида галлия GaN типа SI
контакт

Однокристаллическая вафель с галлиевым нитридом 4 дюйма
контакт

Давать допинг субстрата UID окиси галлия одиночного Кристл полупроводника
контакт

Одиночный бортовой отполированный субстрат одиночного Кристл вафли Ga2O3
контакт

Эпитаксиальная пластина GaN 375 мкм Отдельно стоящие подложки U-GaN SI-GaN
контакт

2 дюйма GaN на кремниевом зеленом светодиодном эпи вафле Галлиевый нитрид на кремниевом
контакт

4 дюйма UGaN на кремниевом недопированном галлиевом нитриде на кремниевом эпитаксиальном пластинке
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский