Купить gallium nitride semiconductor wafer, хорошее качество gallium nitride semiconductor wafer производитель

Толщина 0.6mm до 0.8mm субстрата одиночного Кристл вафли FWHM<350arcsec Ga2O3
контакт

FWHM Подробнее

2023-02-17 14:17:37

Mg-данная допинг 4-Inch вафля PIN лазера СИД см субстратов SSP Resistivity~10Ω GaN/сапфира эпитаксиальная
контакт

4 inch P-type Mg-doped GaN on sapphire wafer SSP resistivity~10Ω cm LED, laser, PIN epitaxial wafer Why Use GaN Wafers? Gallium Nitride on sapphire is the ideal material for radio energy amplification. It ... Подробнее

2025-04-04 22:43:47

2-дюймовый зеленый светодиод GaN на кремниевой пластине
контакт

2inch Green-LED GaN on silicon wafer Overview Gallium nitride (GaN) is creating an innovative shift throughout the power electronics world. For decades, silicon-based MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field ... Подробнее

2025-04-27 11:43:50

Размер 520±10nm 2inch ВЕДОМОЕ Зелен GaN на слое кремниевой пластины 20nmContact
контакт

2inch Green-LED GaN on silicon wafer Overview Gallium nitride (GaN) is creating an innovative shift throughout the power electronics world. For decades, silicon-based MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field ... Подробнее

2025-04-04 22:43:39

Ра 0,3 нм Ga2O3 монокристаллическая эпитаксиальная пластина 2 дюйма 4 дюйма
контакт

Ra≤0.3nm Single Crystal Substrate Thickness 0.6~0.8mm Orientation (-201) 10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec... Подробнее

2023-02-17 14:34:04

Положение субстрата 10кс10мм2 вафли Га2О3 легированное Фе одиночное кристаллическое свободное
контакт

10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Подробнее

2022-10-09 10:34:19

полировать субстрата 0.6mm 0.8mm Ga2O3 одиночное Кристл одиночный
контакт

10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Подробнее

2024-10-29 11:49:58

Одиночная отполированная стороной толщина 0.6мм 0.8мм монокристаллической подложки Га2О3
контакт

Single side polished Ga2O3 Single Crystal Substrate Thickness 0.6~0.8mm 10x15mm2(010)Sn-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0... Подробнее

2023-02-17 14:30:35

10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Макродефект плотность 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Сопротивление 106 Ω·Cm Устройства для радиочастотного облучения
контакт

10*10.5mm2 C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Overview We sell directly from the factory, and therefore can offer the best prices on the ... Подробнее

2025-04-27 11:43:51

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe Допированный свободно стоящий Ga2O3 Однокристаллический субстрат Уровень продукта Однопольная полировка
контакт

10x10mm2 100(off 6°) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤5nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Подробнее

2025-04-27 11:43:51

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

gallium nitride semiconductor wafer онлайн производство

Толщина 0.6mm до 0.8mm субстрата одиночного Кристл вафли FWHM<350arcsec Ga2O3
контакт

Mg-данная допинг 4-Inch вафля PIN лазера СИД см субстратов SSP Resistivity~10Ω GaN/сапфира эпитаксиальная
контакт

2-дюймовый зеленый светодиод GaN на кремниевой пластине
контакт

Размер 520±10nm 2inch ВЕДОМОЕ Зелен GaN на слое кремниевой пластины 20nmContact
контакт

Ра 0,3 нм Ga2O3 монокристаллическая эпитаксиальная пластина 2 дюйма 4 дюйма
контакт

Положение субстрата 10кс10мм2 вафли Га2О3 легированное Фе одиночное кристаллическое свободное
контакт

полировать субстрата 0.6mm 0.8mm Ga2O3 одиночное Кристл одиночный
контакт

Одиночная отполированная стороной толщина 0.6мм 0.8мм монокристаллической подложки Га2О3
контакт

10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Макродефект плотность 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Сопротивление 106 Ω·Cm Устройства для радиочастотного облучения
контакт

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe Допированный свободно стоящий Ga2O3 Однокристаллический субстрат Уровень продукта Однопольная полировка
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский