Отправить запрос |
Главная страница Продукцияgallium nitride semiconductor wafer онлайн производитель
Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

gallium nitride semiconductor wafer онлайн производство

(35)
Купить Толщина 0.6mm до 0.8mm субстрата одиночного Кристл вафли FWHM<350arcsec Ga2O3 онлайн производитель

Толщина 0.6mm до 0.8mm субстрата одиночного Кристл вафли FWHM<350arcsec Ga2O3
контакт

Подробнее
2023-02-17 14:17:37
Купить Mg-данная допинг 4-Inch вафля PIN лазера СИД см субстратов SSP Resistivity~10Ω GaN/сапфира эпитаксиальная онлайн производитель

Mg-данная допинг 4-Inch вафля PIN лазера СИД см субстратов SSP Resistivity~10Ω GaN/сапфира эпитаксиальная
контакт

Подробнее
2025-04-04 22:43:47
Купить 2-дюймовый зеленый светодиод GaN на кремниевой пластине онлайн производитель

2-дюймовый зеленый светодиод GaN на кремниевой пластине
контакт

Подробнее
2025-04-27 11:43:50
Купить Размер 520±10nm 2inch ВЕДОМОЕ Зелен GaN на слое кремниевой пластины 20nmContact онлайн производитель

Размер 520±10nm 2inch ВЕДОМОЕ Зелен GaN на слое кремниевой пластины 20nmContact
контакт

Подробнее
2025-04-04 22:43:39
Купить Ра 0,3 нм Ga2O3 монокристаллическая эпитаксиальная пластина 2 дюйма 4 дюйма онлайн производитель

Ра 0,3 нм Ga2O3 монокристаллическая эпитаксиальная пластина 2 дюйма 4 дюйма
контакт

Подробнее
2023-02-17 14:34:04
Купить Положение субстрата 10кс10мм2 вафли Га2О3 легированное Фе одиночное кристаллическое свободное онлайн производитель

Положение субстрата 10кс10мм2 вафли Га2О3 легированное Фе одиночное кристаллическое свободное
контакт

Подробнее
2022-10-09 10:34:19
Купить полировать субстрата 0.6mm 0.8mm Ga2O3 одиночное Кристл одиночный онлайн производитель

полировать субстрата 0.6mm 0.8mm Ga2O3 одиночное Кристл одиночный
контакт

Подробнее
2024-10-29 11:49:58
Купить Одиночная отполированная стороной толщина 0.6мм 0.8мм монокристаллической подложки Га2О3 онлайн производитель

Одиночная отполированная стороной толщина 0.6мм 0.8мм монокристаллической подложки Га2О3
контакт

Подробнее
2023-02-17 14:30:35
Купить 10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Макродефект плотность 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Сопротивление 106 Ω·Cm Устройства для радиочастотного облучения онлайн производитель

10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Макродефект плотность 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Сопротивление 106 Ω·Cm Устройства для радиочастотного облучения
контакт

Подробнее
2025-04-27 11:43:51
Купить JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe Допированный свободно стоящий Ga2O3 Однокристаллический субстрат Уровень продукта Однопольная полировка онлайн производитель

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe Допированный свободно стоящий Ga2O3 Однокристаллический субстрат Уровень продукта Однопольная полировка
контакт

Подробнее
2025-04-27 11:43:51
Page 3 of 4|< 1 2 3 4 >|
около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.