Главная страница Продукцияgallium nitride semiconductor wafer онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(65)

Вафля Sic эпитаксиальная
(39)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

gallium nitride semiconductor wafer онлайн производство

(35)

2-дюймовый N-тип GaN на сапфировом эпитаксиальном пластинке для устройства LED-лазерного PIN-кода
контакт

Description: Epiaxial wafers refer to products formed by growing a new single crystal layer on a single crystal substrate. Epiaxial wafers determine about 70% of the performance of devices and are important raw ... Подробнее

2024-12-06 17:48:43

ГаН эпитаксиальная пластина, необходимая для производства высоковольтных высокочастотных чипов
контакт

2024-12-06 17:47:04

4-дюймовый допированный свободностоящий субстрат галлиевого нитрида
контакт

Introduction to 4-inch iron doped gallium nitride (GaN) single crystal substrate 4-inch iron doped gallium nitride (GaN) single crystal substrate is a single crystal substrate made of gallium nitride (GaN) ... Подробнее

2024-12-06 17:42:36

Субстраты 325um TTV 10um GaN эпитаксиальной вафли GaN стороны m свободные стоя
контакт

5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Gallium Nitride (GaN) substrate is a high-quality single-crystal substrate. ... Подробнее

2022-10-08 17:04:46

субстрат вафли Ga2O3 10x15mm одиночное Кристл 10x10mm
контакт

10x15mm2(-201)UID-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.5nm Resistance 4.13E+17Ω/cm-3 Optoelectronic devices, insulating ... Подробнее

2022-09-27 16:57:06

эпитаксиальная пластина GaN 5x10 мм2, нелегированная, тип SI
контакт

5*10mm2 Free-Standing GaN Single Crystal Substrate (20-21)/(20-2-1) Un-Doped SI-Type 5*10mm2 SP-face (20-21)/(20-2-1) Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF ... Подробнее

2024-10-29 11:49:57

2inch ВЕДОМОЕ Сине GaN на лазере 455±10nm D'Onde Longueur кремниевой пластины
контакт

2inch Blue-LED GaN on silicon wafer Gallium Nitride is a semiconductor technology used for high power, high-frequency semiconductor applications. Gallium Nitride exhibits several characteristics that make it ... Подробнее

2025-04-04 22:43:43

10кс15мм2 УИД допилил полировать свободной стоящей вафли Га2О3 одиночной
контакт

JDCD04-001-005 10x15mm2(-201)UID-Doped Free-Standing Ga2O3 Single Crystal Substrate Product Grade Single Polishing 10x15mm2(-201)UID-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single ... Подробнее

2022-09-27 16:57:32

100mm 4 медленно двигают голубая вафля СИД GaN эпитаксиальная на толщине 5um сапфира SSP - 6um
контакт

Dimension 100 ± 0.2mm 4 Inch Blue LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Thickness 5.5 ± 0.5μm 4 inch Blue LED GaN epitaxial wafer on sapphire SSP Researchers from North Carolina State University and Purdue ... Подробнее

2022-10-08 17:07:51

Легирование Sn вафли Ga2O3 монокристаллической подложки 10x10 мм2
контакт

10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Подробнее

2024-10-29 11:49:58

Page 2 of 4|< << 1 2 3 4 >> >|

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

gallium nitride semiconductor wafer онлайн производство

2-дюймовый N-тип GaN на сапфировом эпитаксиальном пластинке для устройства LED-лазерного PIN-кода
контакт

ГаН эпитаксиальная пластина, необходимая для производства высоковольтных высокочастотных чипов
контакт

4-дюймовый допированный свободностоящий субстрат галлиевого нитрида
контакт

Субстраты 325um TTV 10um GaN эпитаксиальной вафли GaN стороны m свободные стоя
контакт

субстрат вафли Ga2O3 10x15mm одиночное Кристл 10x10mm
контакт

эпитаксиальная пластина GaN 5x10 мм2, нелегированная, тип SI
контакт

2inch ВЕДОМОЕ Сине GaN на лазере 455±10nm D'Onde Longueur кремниевой пластины
контакт

10кс15мм2 УИД допилил полировать свободной стоящей вафли Га2О3 одиночной
контакт

100mm 4 медленно двигают голубая вафля СИД GaN эпитаксиальная на толщине 5um сапфира SSP - 6um
контакт

Легирование Sn вафли Ga2O3 монокристаллической подложки 10x10 мм2
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский