gallium nitride semiconductor wafer онлайн производство

(35)

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-дало допинг свободно стоящему Ga2O3 одиночному Кристл продукт субстрата ранг одиночный полировать
контакт

10x10mm2 (-201) Sn-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Resistance Подробнее

2025-04-27 11:43:51

TTV ≤ 10μm A-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Сопротивляемость 0,1 Ω·cm Мощное устройство/Лазер W
контакт

5*10mm2 A-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Gallium nitride (GaN) is a very hard, mechanically stable wide bandgap ... Подробнее

2025-04-27 11:43:51

JDCD04-001-007 10x10 мм2 (010) Легированная оловом отдельно стоящая монокристаллическая подложка Ga2O3 Класс продукта Одинарная полировка
контакт

10x10mm2(010)Sn-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.5nm Resistance 1.53E+18Ω/cm-3 Optoelectronic devices, insulating layers ... Подробнее

2025-04-27 11:43:51

Устройство питания 5x10mm2 Недопированный N-тип свободно стоящий однокристаллический субстрат GaN с сопротивлением 0,1 Ω·cm и BOW в пределах 10μm
контакт

5*10mm2 SP-face (11-12) Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device Overview Since the 1990s, it has been used commonly in light emitting diodes (LED). Gallium ... Подробнее

2025-04-27 11:43:51

Ускоренная термическая обработка RTP-SA-8 система отжига
контакт

1.Basic configuration of equipment system 1.1outline The Rapid Thermal Processing is a vertical semi-automatic 8-inch wafer rapid annealing furnace, which uses two layers of infrared halogen lamps as heat ... Подробнее

2024-12-06 17:48:00

Page 4 of 4|< << 1 2 3 4 >> >|

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

gallium nitride semiconductor wafer онлайн производство

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-дало допинг свободно стоящему Ga2O3 одиночному Кристл продукт субстрата ранг одиночный полировать
контакт

TTV ≤ 10μm A-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Сопротивляемость 0,1 Ω·cm Мощное устройство/Лазер W
контакт

JDCD04-001-007 10x10 мм2 (010) Легированная оловом отдельно стоящая монокристаллическая подложка Ga2O3 Класс продукта Одинарная полировка
контакт

Устройство питания 5x10mm2 Недопированный N-тип свободно стоящий однокристаллический субстрат GaN с сопротивлением 0,1 Ω·cm и BOW в пределах 10μm
контакт

Ускоренная термическая обработка RTP-SA-8 система отжига
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский