Отправить сообщение
Главная страница ПродукцияВафля GaN эпитаксиальная

вафля полупроводника нитрида галлия 50.8mm положение 2 дюймов свободное

вафля полупроводника нитрида галлия 50.8mm положение 2 дюймов свободное

вафля полупроводника нитрида галлия 50.8mm положение 2 дюймов свободное
вафля полупроводника нитрида галлия 50.8mm положение 2 дюймов свободное

Большие изображения :  вафля полупроводника нитрида галлия 50.8mm положение 2 дюймов свободное

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Сучжоу Китай
Фирменное наименование: GaNova
Сертификация: UKAS/ISO9001:2015
Номер модели: JDCD01-001-019
Оплата и доставка Условия:
Упаковывая детали: Вакуумная упаковка в чистом помещении класса 10000, в кассетах по 6 шт. или в одинарных вафельных ко
Время доставки: 3-4 рабочих дня
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 10000pcs/Month

вафля полупроводника нитрида галлия 50.8mm положение 2 дюймов свободное

описание
Название продукта: 2-дюймовые свободно стоящие субстраты U-GaN/SI-GaN Шероховатость поверхности стороны Ga: < 0="">
Квартира ориентации: ± 0.5˚ (1-100), 16 ± 1mm Размеры: 50,8 ± 1mm
Толщина: 350 ± 25μm Вторичная квартира ориентации: ± 3˚ (11-20), 8 ± 1mm
Выделить:

Вафля полупроводника нитрида галлия

,

субстраты 50.8mm gan

,

Вафля полупроводника 2 дюйма

± 50,8 1 2-дюймового свободно стоящего mm ± 0,5o субстратов U-GaN/SI-GaN (1-100), ± 16 1 mm

C-сторона 2inch ООН-дала допинг n типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночной кристаллической < 0="">


Обзор
Поле нервного расстройства GaN

Более высокое поле нервного расстройства значит что нитрид галлия главн над кремнием в высоковольтных цепях как высокомощные продукты. Изготовители и инженеры могут также использовать GaN в подобных применениях напряжения тока пока поддерживающ значительно более небольшой след ноги.

2-дюймовые свободно стоящие субстраты U-GaN/SI-GaN

Превосходный уровень (s)

Уровень продукции (a)

Исследование

уровень (b)

Манекен

уровень (c)

вафля полупроводника нитрида галлия 50.8mm положение 2 дюймов свободное 0

Примечание:

(1) годная к употреблению область: исключение дефектов края и макроса

(2) 3 пункта: miscut двигает под углом положений (2, 4, 5) 0,35 ± 0,15o

S-1 S-2 A-1 A-2
Размеры ± 50,8 1 mm
Толщина 350 μm ± 25
Квартира ориентации ± 0,5o (1-100), ± 16 1 mm
Вторичная квартира ориентации ± 3o (11-20), ± 8 1 mm
Резистивность (300K)

< 0="">

или > 1 x 106 Ω·см для Fe-данный допинг Полу-изолировать (; GaN-FS-C-SI-C50)

TTV μm ≤ 15
СМЫЧОК μm ≤ 40 μm ≤ 20
Шероховатость поверхности стороны Ga

< 0="">

или < 0="">

Шероховатость поверхности стороны n

0,5 μm ~1,5

вариант: 1~3 nm (точная земля); < 0="">

Пакет Упакованный в чистой комнате в одиночном контейнере вафли
Годная к употреблению область > 90% >80% >70%
Плотность дислокации <9>5 см-2 <3x10>6 см-2 <9>5 см-2 <3x10>6 см-2 <3x10>6 см-2
Ориентация: Самолет c (0001) с угла к M-оси

0,35 ± 0,15o

(3 пункта)

0,35 ± 0,15o

(3 пункта)

0,35 ± 0,15o

(3 пункта)

Плотность дефекта макроса (отверстие) 0 см-2 < 0="">-2 < 1="" cm="">-2
Максимальный размер дефектов макроса < 700=""> < 2000=""> < 4000="">

О нас

Мы специализируем в обработке разнообразие материалов в вафли, субстраты и подгонянное оптически стекло parts.components широко используемые в электронике, оптике, opto электронике и много других полей. Мы также работали близко с много отечественных и международные университеты, научно-исследовательские институты и компании, обеспечивают подгонянные продукты и услуга для их проектов НИОКР. Наше зрение к поддержанию хорошего отношения сотрудничества с нашими всеми клиентами нашими хорошими репутациями.

вопросы и ответы

Q: Вы торговая компания или изготовитель?
Мы фабрика.
Q: Сколько времени ваш срок поставки?
Вообще 3-5 дней если товары в запасе.
или 7-10 дней если товары нет в запасе, то, оно согласно количеству.
Q: Вы обеспечиваете образцы? он свободно или дополнительные?
Да, мы смогли предложить обязанность образца бесплатно но не оплачиваем цену перевозки.
Q: Что ваши условия платежа?
Оплата <> >=5000USD оплаты, 80% T/T заранее, баланс перед пересылкой.

Контактная информация
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Контактное лицо: Xiwen Bai (Ciel)

Телефон: +8613372109561

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты