Главная страница Продукция Вафля GaN эпитаксиальная

Эпитаксиальная пластина GaN 375 мкм Отдельно стоящие подложки U-GaN SI-GaN

Name: Эпитаксиальная пластина GaN 375 мкм Отдельно стоящие подложки U-GaN SI-GaN
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDCD01-001-019
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(65)

Вафля Sic эпитаксиальная
(39)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Самые лучшие продукты

Субстрат GaN одиночный кристаллический

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN

Субстрат GaN стороны c

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

Эпитаксиальная пластина GaN 375 мкм Отдельно стоящие подложки U-GaN SI-GaN

Большие изображения : Эпитаксиальная пластина GaN 375 мкм Отдельно стоящие подложки U-GaN SI-GaN

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	Сучжоу Китай
Фирменное наименование:	GaNova
Сертификация:	UKAS/ISO9001:2015
Номер модели:	JDCD01-001-019

Оплата и доставка Условия:

Упаковывая детали:	Вакуумная упаковка в чистом помещении класса 10000, в кассетах по 6 шт. или в одинарных вафельных ко
Время доставки:	3-4 рабочих дня
Условия оплаты:	T/T
Поставка способности:	10000pcs/Month

контакт

Эпитаксиальная пластина GaN 375 мкм Отдельно стоящие подложки U-GaN SI-GaN

описание

Название продукта:	2-дюймовые свободно стоящие субстраты U-GaN/SI-GaN	Размеры:	50,8 ± 1mm
Толщина:	350 ± 25μm	Квартира ориентации:	± 0.5˚ (1-100), 16 ± 1mm
Вторичная квартира ориентации:	± 3˚ (11-20), 8 ± 1mm	Шероховатость поверхности стороны Ga:	< 0="">
Выделить:	Эпитаксиальная пластина GaN 375um , пластина нитрида галлия UKAS , эпитаксиальная пластина GaN 50

350 ± 25 мкм (11-20) ± 3^о, 8 ± 1 мм 2-дюймовые отдельно стоящие подложки U-GaN/SI-GaN

2-дюймовая C-образная нелегированная отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN n-типа Удельное сопротивление < 0,1 Ом·см Силовое устройство/лазерная пластина

Обзор
Стандарт в промышленности полупроводниковых материалов определяет метод проверки шероховатости поверхности монокристаллической подложки GaN с помощью атомно-силового микроскопа, который применяется к монокристаллическим подложкам GaN, выращенным химическим осаждением из паровой фазы и другими методами с шероховатостью поверхности менее 10 нм.

2-дюймовые отдельно стоящие подложки U-GaN/SI-GaN
	Отличный уровень (С)		Уровень производства (А)		Исследовать уровень (В)	Дурачок уровень (С)	Примечание: (1) Полезная площадь: исключение кромок и макродефектов (2) 3 балла: углы смещения позиций (2, 4, 5) составляют 0,35 ± 0,15^о
	С-1	С-2	А-1	А-2
Размеры	50,8 ± 1 мм
Толщина	350 ± 25 мкм
Ориентация плоская	(1-100) ± 0,5^о, 16 ± 1 мм
Вторичная ориентация плоская	(11-20) ± 3^о, 8 ± 1 мм
Удельное сопротивление (300K)	< 0,5 Ом·см для N-типа (нелегированный; GaN-FS-CU-C50) или > 1 х 10⁶Ом·см для полуизолирующих (легированных Fe; GaN-FS-C-SI-C50)
ТТВ	≤ 15 мкм
ПОКЛОН	≤ 20 мкм ≤ 40 мкм
Шероховатость поверхности Ga	< 0,2 нм (полированный) или < 0,3 нм (полировка и обработка поверхности для эпитаксии)
N шероховатость лицевой поверхности	0,5 ~ 1,5 мкм вариант: 1~3 нм (мелкий помол);< 0,2 нм (полированный)
Упаковка	Упаковано в чистом помещении в одиночный вафельный контейнер
Полезная площадь	> 90%				>80%	>70%
Плотность дислокаций	<9,9x10⁵см^-2	<3x10⁶см^-2	<9,9x10⁵см^-2	<3x10⁶см^-2	<3x10⁶см^-2
Ориентация: плоскость C (0001) под углом к оси M	0,35 ± 0,15^о (3 балла)		0,35 ± 0,15^о (3 балла)		0,35 ± 0,15^о (3 балла)
Плотность макродефектов (отверстие)	0 см^-2		< 0,3 см^-2		< 1 см^-2
Максимальный размер макродефектов			< 700 мкм		< 2000 мкм	< 4000 мкм

О нас

Мы специализируемся на переработке различных материалов в пластины, подложки и индивидуальные детали из оптического стекла. Компоненты широко используются в электронике, оптике, оптоэлектронике и многих других областях.Мы также тесно сотрудничаем со многими отечественными и зарубежными университетами, научно-исследовательскими институтами и компаниями, предоставляя индивидуальные продукты и услуги для их научно-исследовательских проектов.Наше видение - поддерживать хорошие отношения сотрудничества со всеми нашими клиентами благодаря нашей хорошей репутации.

Часто задаваемые вопросы

В: вы торговая компания или производитель?
Мы фабрика.
Q: Как долго ваше время доставки?
Обычно это 3-5 дней, если товар есть на складе.
или 7-10 дней, если товара нет на складе, в зависимости от количества.
Q: Предоставляете ли вы образцы?это бесплатно или дополнительно?
Да, мы можем предложить образец бесплатно, но не оплачиваем стоимость перевозки.
В: Каковы ваши условия оплаты?
Оплата <=5000USD, 100% предоплата.
Paymen> = 5000USD, 80% T/T заранее, остаток перед отправкой.

тег:

Контактное лицо: Xiwen Bai (Ciel)

Телефон: +8613372109561

Другие продукты

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Размеры: ± 50,8 1 mm

Название продукта: свободно стоящие субстраты GaN

Толщина: 350 ±25µm

Ориентация: Самолет c (0001) с угла к M-оси

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

Размеры: ± 50,8 1 mm

Толщина: 350 ±25µm

Смычок: - ≤ 10µm СМЫЧКА ≤ 10µm

Плотность дефекта макроса: ² 0cm⁻

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Размеры: ± 50,8 1 mm

Толщина: 350 ±25µm

TTV: ≤ 10µm

Смычок: μm ≤ 20

Самолет вафли полупроводника 325um нитрида галлия 375um c

Название продукта: Субстрат GaN одиночный кристаллический

Размеры: ± 50,8 1 mm

Толщина: 350 ±25µm

Ориентация: Самолет c (0001) с угла к M-оси

Субстраты SI GaN субстратов 2 дюймов u GaN 50.8mm

Название продукта: 2-дюймовые свободно стоящие субстраты U-GaN/SI-GaN

Размеры: 50,8 ± 1mm

Толщина: 350 ± 25μm

Квартира ориентации: ± 0.5˚ (1-100), 16 ± 1mm

Эпитаксиальная пластина GaN 375 мкм Отдельно стоящие подложки U-GaN SI-GaN

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

Субстрат GaN одиночный кристаллический

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN

Субстрат GaN стороны c

Эпитаксиальная пластина GaN 375 мкм Отдельно стоящие подложки U-GaN SI-GaN

Эпитаксиальная пластина GaN 375 мкм Отдельно стоящие подложки U-GaN SI-GaN

Эпитаксиальная пластина GaN 375um

пластина нитрида галлия UKAS

эпитаксиальная пластина GaN 50

Вафля полупроводника нитрида галлия,

Свободные стоящие субстраты GaN,

Голубая вафля СИД GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Самолет вафли полупроводника 325um нитрида галлия 375um c

Субстраты SI GaN субстратов 2 дюймов u GaN 50.8mm

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский