Отправить запрос |
Главная страница Продукцияfree standing gan substrates онлайн производитель
Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

free standing gan substrates онлайн производство

(57)
Купить Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN M Face Free Standing GaN субстраты онлайн производитель

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN M Face Free Standing GaN субстраты
контакт

5 X 10 mm2 M Face Free-Standing GaN Substrates 350 ±25 µm TTV ≤ 10 µm 5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN ... Подробнее
2023-02-17 10:52:50
Купить 10 X 10,5 мм2 свободно стоящие субстраты GaN - 10 Мм ≤ BOW ≤ 10 Мм онлайн производитель

10 X 10,5 мм2 свободно стоящие субстраты GaN - 10 Мм ≤ BOW ≤ 10 Мм
контакт

10*10.5mm² C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser Applications Laser diodes: violet LD, blue LD, and green LD Power electronic devices, High ... Подробнее
2025-04-27 11:43:50
Купить Толщина 350 ± 25 мкм 10 X 10,5 мм2 Отдельно стоящие подложки GaN онлайн производитель

Толщина 350 ± 25 мкм 10 X 10,5 мм2 Отдельно стоящие подложки GaN
контакт

10*10.5mm² C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser Overview GaN Substrates GaN (gallium nitride) substrates and wafers with high quality (low ... Подробнее
2025-04-04 22:43:28
Купить Субстраты GaN эпитаксиальной вафли GaN стороны свободные стоя онлайн производитель

Субстраты GaN эпитаксиальной вафли GaN стороны свободные стоя
контакт

5*10.5mm2 A Face Free-Standing GaN Substrates Thickness 350 ±25 µm 5*10.5mm2 A-face Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Overview Gallium Nitride ... Подробнее
2023-02-17 10:57:06
Купить 2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN онлайн производитель

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN
контакт

2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices To reduce the Fe trapping carrier and the sheet resistances of the two-dimension electron gas generated ... Подробнее
2024-10-14 17:06:30
Купить Субстраты 325um TTV 10um GaN эпитаксиальной вафли GaN стороны m свободные стоя онлайн производитель

Субстраты 325um TTV 10um GaN эпитаксиальной вафли GaN стороны m свободные стоя
контакт

5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Gallium Nitride (GaN) substrate is a high-quality single-crystal substrate. ... Подробнее
2022-10-08 17:04:46
Купить 10 X 10,5 мм2 C Лицо Недопированный N Тип свободно стоящий GaN однокристаллический субстрат онлайн производитель

10 X 10,5 мм2 C Лицо Недопированный N Тип свободно стоящий GaN однокристаллический субстрат
контакт

10*10.5mm² C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser Overview Premium quality GaN crystal substrates with low dislocation density (on the order ... Подробнее
2025-04-27 11:43:50
Купить TTV ≤ 10μm A-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Сопротивляемость 0,1 Ω·cm Мощное устройство/Лазер W онлайн производитель

TTV ≤ 10μm A-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Сопротивляемость 0,1 Ω·cm Мощное устройство/Лазер W
контакт

5*10mm2 A-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Gallium nitride (GaN) is a very hard, mechanically stable wide bandgap ... Подробнее
2025-04-27 11:43:51
Купить Макродефект плотность 0cm−2 Недопированный SI-тип свободностоящий GaN однокристаллический субстрат для радиочастотных устройств 5*10mm2 M-Face онлайн производитель

Макродефект плотность 0cm−2 Недопированный SI-тип свободностоящий GaN однокристаллический субстрат для радиочастотных устройств 5*10mm2 M-Face
контакт

5*10mm2 M-face Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Overview Thin Epi wafers are commonly used for leading edge MOS devices. Thick Epi or Multi... Подробнее
2025-04-27 11:43:51
Купить 5x10mm2 SP-Face 10-11 Недопированный N-тип свободностоящий однокристаллический субстрат GaN с TTV ≤ 10μm Сопротивляемость 0,05 Ω·cm онлайн производитель

5x10mm2 SP-Face 10-11 Недопированный N-тип свободностоящий однокристаллический субстрат GaN с TTV ≤ 10μm Сопротивляемость 0,05 Ω·cm
контакт

5*10mm2 SP-face (10-11) Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN has many serious advantages over silicon, being more power ... Подробнее
2025-04-27 11:43:51
Page 1 of 6|< 1 2 3 4 5 6 >|
около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший Качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.