Главная страница Продукцияfree standing gan substrates онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(65)

Вафля Sic эпитаксиальная
(39)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

free standing gan substrates онлайн производство

(57)

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN M Face Free Standing GaN субстраты
контакт

Подробнее

2023-02-17 10:52:50

10 X 10,5 мм2 свободно стоящие субстраты GaN - 10 Мм ≤ BOW ≤ 10 Мм
контакт

Подробнее

2025-04-27 11:43:50

Субстраты GaN эпитаксиальной вафли GaN стороны свободные стоя
контакт

Подробнее

2023-02-17 10:57:06

Толщина 350 ± 25 мкм 10 X 10,5 мм2 Отдельно стоящие подложки GaN
контакт

Подробнее

2025-04-04 22:43:28

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN
контакт

Подробнее

2024-10-14 17:06:30

Субстраты 325um TTV 10um GaN эпитаксиальной вафли GaN стороны m свободные стоя
контакт

Подробнее

2022-10-08 17:04:46

10 X 10,5 мм2 C Лицо Недопированный N Тип свободно стоящий GaN однокристаллический субстрат
контакт

Подробнее

2025-04-27 11:43:50

TTV ≤ 10μm A-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Сопротивляемость 0,1 Ω·cm Мощное устройство/Лазер W
контакт

Подробнее

2025-04-27 11:43:51

Макродефект плотность 0cm−2 Недопированный SI-тип свободностоящий GaN однокристаллический субстрат для радиочастотных устройств 5*10mm2 M-Face
контакт

Подробнее

2025-04-27 11:43:51

5x10mm2 SP-Face 10-11 Недопированный N-тип свободностоящий однокристаллический субстрат GaN с TTV ≤ 10μm Сопротивляемость 0,05 Ω·cm
контакт

Подробнее

2025-04-27 11:43:51

Page 1 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

free standing gan substrates онлайн производство

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN M Face Free Standing GaN субстраты
контакт

10 X 10,5 мм2 свободно стоящие субстраты GaN - 10 Мм ≤ BOW ≤ 10 Мм
контакт

Субстраты GaN эпитаксиальной вафли GaN стороны свободные стоя
контакт

Толщина 350 ± 25 мкм 10 X 10,5 мм2 Отдельно стоящие подложки GaN
контакт

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN
контакт

Субстраты 325um TTV 10um GaN эпитаксиальной вафли GaN стороны m свободные стоя
контакт

10 X 10,5 мм2 C Лицо Недопированный N Тип свободно стоящий GaN однокристаллический субстрат
контакт

TTV ≤ 10μm A-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Сопротивляемость 0,1 Ω·cm Мощное устройство/Лазер W
контакт

Макродефект плотность 0cm−2 Недопированный SI-тип свободностоящий GaN однокристаллический субстрат для радиочастотных устройств 5*10mm2 M-Face
контакт

5x10mm2 SP-Face 10-11 Недопированный N-тип свободностоящий однокристаллический субстрат GaN с TTV ≤ 10μm Сопротивляемость 0,05 Ω·cm
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский