Отправить запрос |
Главная страница Продукцияfree standing gan substrates онлайн производитель
Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

free standing gan substrates онлайн производство

(57)
Купить JDCD04-001-007 10x10 мм2 (010) Легированная оловом отдельно стоящая монокристаллическая подложка Ga2O3 Класс продукта Одинарная полировка онлайн производитель

JDCD04-001-007 10x10 мм2 (010) Легированная оловом отдельно стоящая монокристаллическая подложка Ga2O3 Класс продукта Одинарная полировка
контакт

Подробнее
2025-04-27 11:43:51
Купить JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-дало допинг свободно стоящему Ga2O3 одиночному Кристл продукт субстрата ранг одиночный полировать онлайн производитель

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-дало допинг свободно стоящему Ga2O3 одиночному Кристл продукт субстрата ранг одиночный полировать
контакт

Подробнее
2025-04-27 11:43:51
Купить JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe Допированный свободно стоящий Ga2O3 Однокристаллический субстрат Уровень продукта Однопольная полировка онлайн производитель

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe Допированный свободно стоящий Ga2O3 Однокристаллический субстрат Уровень продукта Однопольная полировка
контакт

Подробнее
2025-04-27 11:43:51
Купить 4-дюймовый допированный свободностоящий субстрат галлиевого нитрида онлайн производитель

4-дюймовый допированный свободностоящий субстрат галлиевого нитрида
контакт

Подробнее
2024-12-06 17:42:36
Купить Шершавость лицевой поверхности GaN на субстрате GaN кремниевой пластины онлайн производитель

Шершавость лицевой поверхности GaN на субстрате GaN кремниевой пластины
контакт

Подробнее
2022-10-08 17:19:48
Купить Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI онлайн производитель

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI
контакт

Подробнее
2024-10-14 17:06:30
Купить Эпитаксиальная пластина GaN 375 мкм Отдельно стоящие подложки U-GaN SI-GaN онлайн производитель

Эпитаксиальная пластина GaN 375 мкм Отдельно стоящие подложки U-GaN SI-GaN
контакт

Подробнее
2024-11-18 19:17:19
Купить Толщина 325ум вафли нитрида галлия ГаН - 375ум Фрестандинг онлайн производитель

Толщина 325ум вафли нитрида галлия ГаН - 375ум Фрестандинг
контакт

Подробнее
2022-10-08 17:00:13
Купить Однокристаллическая вафель с галлиевым нитридом 4 дюйма онлайн производитель

Однокристаллическая вафель с галлиевым нитридом 4 дюйма
контакт

Подробнее
2024-12-06 17:44:01
Купить SP Face 5 X 10 мм2 Подложка из нитрида галлия 350 мкм онлайн производитель

SP Face 5 X 10 мм2 Подложка из нитрида галлия 350 мкм
контакт

Подробнее
2022-10-08 16:41:01
Page 4 of 6|< 1 2 3 4 5 6 >|
около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.