Главная страница Продукцияfree standing gan substrates онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(65)

Вафля Sic эпитаксиальная
(39)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

free standing gan substrates онлайн производство

(57)

Монокристаллическая пластина нитрида галлия GaN типа SI
контакт

5*10.5mm2 SP-face (20-21)/(20-2-1) Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Overview Gallium Nitride (GaN) substrate is a high-quality single-crystal ... Подробнее

2022-10-08 15:51:24

вафля Ун эпитаксиальной вафли стороны Сп 5кс10мм2 легированная Си тип субстрат Ган одиночный кристаллический
контакт

5*10mm2 SP-face (20-21)/(20-2-1) Un-doped SI-type Free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Overview Different Types of Generative Adversarial Networks (GANs) DC GAN – ... Подробнее

2024-10-29 11:49:57

эпитаксиальная пластина GaN 5x10 мм2, нелегированная, тип SI
контакт

5*10mm2 Free-Standing GaN Single Crystal Substrate (20-21)/(20-2-1) Un-Doped SI-Type 5*10mm2 SP-face (20-21)/(20-2-1) Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF ... Подробнее

2024-10-29 11:49:57

толщина 325ум 375ум вафли ГаН стороны 5 кс 10 мм2 м эпитаксиальная
контакт

5 X 10 mm2 M Face Free-Standing GaN Substrates Thickness 350 ±25 µm 5*10mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview These GaN ... Подробнее

2024-11-18 19:17:19

Одиночная ООН стороны вафли 2inch c Кристл GaN эпитаксиальная дала допинг типу n
контакт

2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview High-quality GaN free-standing substrates with low dislocation density suitable ... Подробнее

2022-10-08 16:00:57

вафля Si 12.5mm 2inch Freestanding n GaN Epi дала допинг
контакт

(1- 100) ±0.1o, 12.5 ± 1 mm 2-Inch Free-Standing N-GaN Substrates GaN-FS-C-N-C50-SSP 2inch C-face Si-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer ... Подробнее

2024-10-29 11:49:58

Субстрат GaN одиночный кристаллический
контакт

2inch C-face Si-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview One of the key methods used to fabricate these devices is a light n-type doping ... Подробнее

2023-02-17 17:55:56

Вафля GaN Epi 2 дюймов толщины 370um 430um проставляет размеры 50mm
контакт

Thickness 400 ± 30 μm 2-Inch Free-Standing N-GaN Substrates Dimensions 50.0 ±0.3 mm 2inch C-face Si-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer ... Подробнее

2024-10-29 11:49:57

ООН дала допинг типу стороне n субстрата 5x10mm2 m GaN одиночного Кристл
контакт

5*10mm2 M-face Un-doped n-type Free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Various physical aspects and potential applications of the laser-induced ... Подробнее

2024-10-29 11:49:57

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN
контакт

10*10.5mm² C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser Overview Gallium Nitride (GaN) substrate is a high-quality single-crystal substrate. It is ... Подробнее

2022-10-09 17:04:59

Page 5 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

free standing gan substrates онлайн производство

Монокристаллическая пластина нитрида галлия GaN типа SI
контакт

вафля Ун эпитаксиальной вафли стороны Сп 5кс10мм2 легированная Си тип субстрат Ган одиночный кристаллический
контакт

эпитаксиальная пластина GaN 5x10 мм2, нелегированная, тип SI
контакт

толщина 325ум 375ум вафли ГаН стороны 5 кс 10 мм2 м эпитаксиальная
контакт

Одиночная ООН стороны вафли 2inch c Кристл GaN эпитаксиальная дала допинг типу n
контакт

вафля Si 12.5mm 2inch Freestanding n GaN Epi дала допинг
контакт

Субстрат GaN одиночный кристаллический
контакт

Вафля GaN Epi 2 дюймов толщины 370um 430um проставляет размеры 50mm
контакт

ООН дала допинг типу стороне n субстрата 5x10mm2 m GaN одиночного Кристл
контакт

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский