КИТАЙ Вафля GaN эпитаксиальная

вафля Ун эпитаксиальной вафли стороны Сп 5кс10мм2 легированная Си тип субстрат Ган одиночный кристаллический

Название продукта:Свободно стоящий субстрат GaN одиночного Кристл

Размеры:² 5 x10mm

Толщина:350 ±25µm
Шершавость лицевой поверхности GaN на субстрате GaN кремниевой пластины

Название продукта:M смотрит на свободно стоящие субстраты GaN

Размеры:5 х 10,5 мм²

Толщина:350 ±25µm
Субстраты 325um TTV 10um GaN эпитаксиальной вафли GaN стороны m свободные стоя

Название продукта:Подложка GaN

Размеры:5 х 10,5 мм²

Толщина:350 ±25µm
ООН дала допинг типу стороне n субстрата 5x10mm2 m GaN одиночного Кристл

Название продукта:Субстрат GaN одиночный кристаллический

Размеры:² 5 x 10mm

Толщина:350 ±25µm
Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN M Face Free Standing GaN субстраты

Название продукта:Свободно стоящий субстрат GaN

Размеры:5 x 10 mm ²

Толщина:350 ±25µm
Толщина 325ум вафли нитрида галлия ГаН - 375ум Фрестандинг

Название продукта:Субстрат GaN одиночный кристаллический

Размеры:² 5 x 10mm

Толщина:350 ±25µm
толщина 325ум 375ум вафли ГаН стороны 5 кс 10 мм2 м эпитаксиальная

Название продукта:Подложка GaN

Размеры:² 5 x 10mm

Толщина:350 ±25µm
Монокристаллическая полупроводниковая пластина нитрида галлия TTV 10um

Размеры:5 x 10 mm ²

Толщина:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
Субстраты GaN эпитаксиальной вафли GaN стороны свободные стоя

Название продукта:Субстраты GaN стороны свободно стоящие

Размеры:² 5 x 10mm

Толщина:350 ±25µm
Вафля GaN Epi 2 дюймов толщины 370um 430um проставляет размеры 50mm

Название продукта:2-дюймовые свободно стоящие субстраты N-GaN

Смычок:≤ 20μm

Квартира ориентации:(1 до 100) ±0.1˚, ± 12,5 1mm
625um к 675um вафля СИД GaN 4 дюймов голубая эпитаксиальная на сапфире сапфира SSP плоском

Название продукта:синь GaN-на-сапфира 4inch/зеленая вафля СИД

Тип:Плоский сапфир

Толщина:650 ± 25μm
4inch GaN на сапфире вафли СИД вафли сапфира голубом зеленом плоском 100 mm

Название продукта:синь GaN-на-сапфира 4inch/зеленая вафля СИД

Толщина:650 ± 25μm

Тип:Плоский сапфир

Page 2 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

Вафля GaN эпитаксиальная

Субстрат GaN одиночный кристаллический

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN

Субстрат GaN стороны c

КИТАЙ Вафля GaN эпитаксиальная

вафля Ун эпитаксиальной вафли стороны Сп 5кс10мм2 легированная Си тип субстрат Ган одиночный кристаллический

Шершавость лицевой поверхности GaN на субстрате GaN кремниевой пластины

Субстраты 325um TTV 10um GaN эпитаксиальной вафли GaN стороны m свободные стоя

ООН дала допинг типу стороне n субстрата 5x10mm2 m GaN одиночного Кристл

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN M Face Free Standing GaN субстраты

Толщина 325ум вафли нитрида галлия ГаН - 375ум Фрестандинг

толщина 325ум 375ум вафли ГаН стороны 5 кс 10 мм2 м эпитаксиальная

Монокристаллическая полупроводниковая пластина нитрида галлия TTV 10um

Субстраты GaN эпитаксиальной вафли GaN стороны свободные стоя

Вафля GaN Epi 2 дюймов толщины 370um 430um проставляет размеры 50mm

625um к 675um вафля СИД GaN 4 дюймов голубая эпитаксиальная на сапфире сапфира SSP плоском

4inch GaN на сапфире вафли СИД вафли сапфира голубом зеленом плоском 100 mm

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский