Вафля GaN эпитаксиальная

Самые лучшие продукты

Субстрат GaN одиночный кристаллический

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN

Субстрат GaN стороны c

КИТАЙ Вафля GaN эпитаксиальная

ГаН эпитаксиальная пластина, необходимая для производства высоковольтных высокочастотных чипов

Тип::Плоский сапфир

полированный:Одиночная сторона отполированная (SSP)/двойная отполированная сторона (DSP)

Размер:50.8±0.2 мм (2 дюйма)/100±0.2 мм ((4 дюйма)/150 +0.2 мм (6 дюймов)
625um до 675um 4 дюйма Синий светодиод галлиевого нитрида GaN Эпитаксиальная пластина на сапфире SSP Плоский сапфир

Наименование продукта:синь GaN-на-сапфира 4inch/зеленая вафля СИД

Тип:Плоский сапфир

Толщина:650 ± 25μm
GaN 2 дюйма Нитрид галлия однокристаллический субстрат

Количество мин заказа:1

Упаковывая детали:Внутренняя упаковка: специальная упаковочная коробка для пластинок, наружная упаковка: картонная кор

Условия оплаты:T/T
Однокристаллическая вафель с галлиевым нитридом 4 дюйма

Количество мин заказа:1

Упаковывая детали:Внутренняя упаковка: специальная упаковочная коробка для пластинок, наружная упаковка: картонная кор

Условия оплаты:T/T
4-дюймовый допированный свободностоящий субстрат галлиевого нитрида

Количество мин заказа:1

Упаковывая детали:Внутренняя упаковка: специальная упаковочная коробка для пластинок, наружная упаковка: картонная кор

Условия оплаты:T/T

Page 6 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

Обзор категории：

Вафля GaN эпитаксиальная

Субстрат GaN одиночный кристаллический

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN

Субстрат GaN стороны c

КИТАЙ Вафля GaN эпитаксиальная

ГаН эпитаксиальная пластина, необходимая для производства высоковольтных высокочастотных чипов

625um до 675um 4 дюйма Синий светодиод галлиевого нитрида GaN Эпитаксиальная пластина на сапфире SSP Плоский сапфир

GaN 2 дюйма Нитрид галлия однокристаллический субстрат

Однокристаллическая вафель с галлиевым нитридом 4 дюйма

4-дюймовый допированный свободностоящий субстрат галлиевого нитрида

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский