Вафля GaN эпитаксиальная

Самые лучшие продукты

Субстрат GaN одиночный кристаллический

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN

Субстрат GaN стороны c

КИТАЙ Вафля GaN эпитаксиальная

5*10mm2 SP-сторона (20-21)/(20-2-1) ООН-дал допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл < 0,1 Ω·см

Размеры:² 5 x 10mm

Толщина:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности <0.1 Ω субстрата GaN одиночного Кристл·см приводит прибор в действие/лазер w

Размеры:² 5 x 10mm

Толщина:µm 350 ±25

Ориентация:Самолет (11-20) с угла к самолету M-оси 0 ±0.5° a (11-20) с угла к C-оси - 1 ±0.2°
10 X 10,5 мм2 Отдельно стоящие подложки GaN - 10 мкм ≤ BOW ≤ 10 мкм

Название продукта:Вафля GaN эпитаксиальная

Размеры:10 х 10,5 мм²

Толщина:350 ±25µm
C-сторона 10*10.5mm2 Fe-дала допинг SI типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл > 10 ⁶ Ω·Вафля приборов RF см

Размеры:10 х 10,5 мм²

Толщина:350 ±25µm

TTV:µm ≤ 10
C-сторона 10 x 10,5 mm2 ООН-дала допинг N типа свободно стоящему субстрату GaN одиночного Кристл

Название продукта:Субстрат GaN одиночный кристаллический

Размеры:10 х 10,5 мм²

Толщина:350 ±25µm

Page 6 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

Обзор категории：

Вафля GaN эпитаксиальная

Субстрат GaN одиночный кристаллический

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN

Субстрат GaN стороны c

КИТАЙ Вафля GaN эпитаксиальная

5*10mm2 SP-сторона (20-21)/(20-2-1) ООН-дал допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл < 0,1 Ω·см

-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности <0.1 Ω субстрата GaN одиночного Кристл·см приводит прибор в действие/лазер w

10 X 10,5 мм2 Отдельно стоящие подложки GaN - 10 мкм ≤ BOW ≤ 10 мкм

C-сторона 10*10.5mm2 Fe-дала допинг SI типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл > 10 ⁶ Ω·Вафля приборов RF см

C-сторона 10 x 10,5 mm2 ООН-дала допинг N типа свободно стоящему субстрату GaN одиночного Кристл

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский