• Russian
    English
    French
    German
    Italian
    Russian
    Spanish
    Portuguese
    Dutch
    Greek
    Japanese
    Korean
    Arabic
    Turkish
    Polish
Отправить запрос |
Главная страница ПродукцияЭпи-пластина GaAs

вафля 0.4E18 GaAs Epi субстратов 2inch GaAs Undoped к 1E18

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

вафля 0.4E18 GaAs Epi субстратов 2inch GaAs Undoped к 1E18

вафля 0.4E18 GaAs Epi субстратов 2inch GaAs Undoped к 1E18
вафля 0.4E18 GaAs Epi субстратов 2inch GaAs Undoped к 1E18

Большие изображения :  вафля 0.4E18 GaAs Epi субстратов 2inch GaAs Undoped к 1E18

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Сучжоу Китай
Фирменное наименование: GaNova
Сертификация: UKAS/ISO9001:2015
Номер модели: JDCD10-001-002
Оплата и доставка Условия:
Упаковывая детали: Вакуумная упаковка в чистых помещениях класса 10000, в кассетах по 25 шт. или в одинарных вафельных
Время доставки: 3-4 рабочих дня
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 10000pcs/Month
контакт

вафля 0.4E18 GaAs Epi субстратов 2inch GaAs Undoped к 1E18

описание
Тип поведения: S-C-N Легирующая примесь: GaAs-Si
Угол ориентации: 0° Ориентация: ЭД[0-1-1]±0,5°
Длина (мм): 17±1 Если ориентация: ЭД[0-11]±0,5°
Выделить:

Undoped вафля GaAs Epi

,

субстраты 1E18 gaas

,

Вафля 0.4E18 GaAs Epi

вафля 0.4E18~1E18 GaAs-Si (100) Undoped субстратов 2inch GaAs

Обзор

Приборы RF произведенные с субстратами GaAs обыкновенно использованы в беспроводных коммуникационных программах, включая беспроводные сети (WLAN), мобильную телефонную связь, базовые станции 4G/5G, спутниковые связи, и связи WiFi.

Вафля GaAs-Si

Метод роста

 VGF
Тип проведения S-C-N
Dopant GaAs-Si
Ориентация (100) 15°±0.5° с TowardA<111>
Угол ориентации 0°
ориентации EJ [0-1-1] ±0.5°
длины (mm) 17±1
ЕСЛИ ориентация EJ [0-11] ±0.5°
ЕСЛИ длина, то (mm) 7±1
Диаметр (mm) 50.8±0.2
CC (/c.c.) 0.4E18~1E18
Резистивность (ohm.cm) N/A
Подвижность (см2 /v.s) ≥1000
EPD (/cm2) ≤5000
Толщина (um) 350±20
TTV (um) <10>
TTR (um) <10>
Обхватывайте (um) <15>
Снуйте (um) <15>
Поверхность Side1: Отполированное Side2: Вытравленный
Упаковка Кассета или одиночное

О нас

Мы специализируем в обработке разнообразие материалов в вафли, субстраты и подгонянное оптически стекло parts.components широко используемые в электронике, оптике, opto электронике и много других полей. Мы также работали близко с много отечественных и международные университеты, научно-исследовательские институты и компании, обеспечивают подгонянные продукты и услуга для их проектов НИОКР. Наше зрение к поддержанию хорошего отношения сотрудничества с нашими всеми клиентами нашими хорошими репутациями.

вопросы и ответы

Q: Вы торговая компания или изготовитель?
Мы фабрика.
Q: Сколько времени ваш срок поставки?
Вообще 3-5 дней если товары в запасе.
или 7-10 дней если товары нет в запасе, то, оно согласно количеству.
Q: Вы обеспечиваете образцы? он свободно или дополнительные?
Да, мы смогли предложить обязанность образца бесплатно но не оплачиваем цену перевозки.
Q: Что ваши условия платежа?
Оплата <> >=5000USD оплаты, 80% T/T заранее, баланс перед пересылкой.

тег:

GaAs Epi Wafer с полированной стороной,

GaAs Epi Wafer,

нелегированные подложки

Контактная информация
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Контактное лицо: Xiwen Bai (Ciel)

Телефон: +8613372109561

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2025 epi-wafers.com. All Rights Reserved.