Главная страница Продукцияgaas epi wafer side polished онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(65)

Вафля Sic эпитаксиальная
(39)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

gaas epi wafer side polished онлайн производство

(9)

Вафля ГаАс Эпи ВГФ 2инч нелегированная вытравленная стороной субстратов отполированная
контакт

2inch GaAs (100) Undoped Substrates Overview Gallium arsenide of a GaAs Wafer has the attribute of generating laser light from electricity in a direct manner. There are two types of GaAs Wafer; polycrystalline ... Подробнее

2022-09-27 17:19:36

субстраты вафли 17mm 2inch GaAs Epi Undoped 50.8mm
контакт

17±1mm OF Length 2inch GaAs (100) Undoped Substrates 50.8±0.2mm Overview The conversion efficiency of a high-efficiency solar-cell panel based on GaAs is up to 40%. At present, such solar-cell panels are widely ... Подробнее

2022-09-27 17:18:41

2-дюймовая пластина GaAs Epi Wafer GaAs нелегированные подложки VGF
контакт

GaAs-Si Wafer 2inch GaAs (100) Undoped Substrates EJ[0-1-1]±0.5° Overview GaAs applications cover a large variety of transistors for industry spanning optical fiber communication, wireless networks (WLAN), ... Подробнее

2022-09-27 12:00:48

вафля 0.4E18 GaAs Epi субстратов 2inch GaAs Undoped к 1E18
контакт

2inch GaAs (100) Undoped Substrates GaAs-Si Wafer 0.4E18~1E18 Overview The RF devices produced with GaAs substrates are commonly used in wireless communication applications, including wireless networks (WLAN), ... Подробнее

2022-10-09 09:53:31

Вафля UKAS GaAs Si вафли смеси 2inch GaAs Epi полупроводника
контакт

GaAs-Si Wafer 2inch GaAs (100) Undoped Substrates (100)15°±0.5° Off TowardA Overview Gallium arsenide (chemical formula GaAs) is a semiconductor compound used in some diode s, field-effect transistor s (FETs), ... Подробнее

2022-09-27 17:18:19

эпитаксиальная пластина GaN 5x10 мм2, нелегированная, тип SI
контакт

5*10mm2 Free-Standing GaN Single Crystal Substrate (20-21)/(20-2-1) Un-Doped SI-Type 5*10mm2 SP-face (20-21)/(20-2-1) Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF ... Подробнее

2024-10-29 11:49:57

Оптическая связь Светодиоды на подложке из арсенида галлия
контакт

2inch GaAs (100) Undoped Substrates Overview Gallium arsenide is used in the manufacture of light-emitting diode s (LEDs), which are found in optical communications and control systems. Gallium arsenide can ... Подробнее

2022-10-09 09:53:08

JDCD10-001-005 2 дюйма GaAs ((111) Zn Допированные субстраты
контакт

2inch GaAs(111) Zn-doped substrates Overview GaAs crystals can be created through three different methods. One of the more common methods is the vertical gradient freeze process, which involves growing crystals ... Подробнее

2025-04-27 11:43:51

JDCD10-001-003 2 дюйма GaAs ((100) Zn Допированные субстраты
контакт

2inch GaAs(100) Zn-doped substrates Overview Gallium arsenide of a GaAs Wafer has the attribute of generating laser light from electricity in a direct manner. There are two types of GaAs Wafer; polycrystalline ... Подробнее

2025-04-27 11:43:51

Page 1 of 1

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

gaas epi wafer side polished онлайн производство

Вафля ГаАс Эпи ВГФ 2инч нелегированная вытравленная стороной субстратов отполированная
контакт

субстраты вафли 17mm 2inch GaAs Epi Undoped 50.8mm
контакт

2-дюймовая пластина GaAs Epi Wafer GaAs нелегированные подложки VGF
контакт

вафля 0.4E18 GaAs Epi субстратов 2inch GaAs Undoped к 1E18
контакт

Вафля UKAS GaAs Si вафли смеси 2inch GaAs Epi полупроводника
контакт

эпитаксиальная пластина GaN 5x10 мм2, нелегированная, тип SI
контакт

Оптическая связь Светодиоды на подложке из арсенида галлия
контакт

JDCD10-001-005 2 дюйма GaAs ((111) Zn Допированные субстраты
контакт

JDCD10-001-003 2 дюйма GaAs ((100) Zn Допированные субстраты
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский