Отправить сообщение
Главная страница ПродукцияОбломок лазерного диода

Диодный лазерный чип COS 915 нм мощностью 10 Вт на конструкции с подкреплением

Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

Диодный лазерный чип COS 915 нм мощностью 10 Вт на конструкции с подкреплением

Диодный лазерный чип COS 915 нм мощностью 10 Вт на конструкции с подкреплением
Диодный лазерный чип COS 915 нм мощностью 10 Вт на конструкции с подкреплением

Большие изображения :  Диодный лазерный чип COS 915 нм мощностью 10 Вт на конструкции с подкреплением

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Сучжоу Китай
Фирменное наименование: GaNova
Оплата и доставка Условия:
Упаковывая детали: Вакуумная упаковка в чистых помещениях класса 10000, в кассетах по 25 шт. или в одинарных вафельных
Условия оплаты: T/T

Диодный лазерный чип COS 915 нм мощностью 10 Вт на конструкции с подкреплением

описание
Тип: Лазерный диод Применение: Лазерная печать
Тип пакета: Поверхностный монтаж, стандартный пакет Рабочая температура: 15-55℃
Длина волны: 915нм Сила выхода: 10
Эффективность наклона: 1,0 Вт/А Размер излучателя: 94 мкм
Пороговый ток: 0.5A Эффективность преобразования энергии: 58%
Выделить:

Диодный лазерный чип COS

,

синий лазерный диодный чип

,

диодный лазерный чип на подставке

Диодный лазерный чип COS 915 нм мощностью 10 Вт на конструкции с подкреплением

 

В последние годы были проведены обширные исследования различных типов оптических компонентов на основе кремния, необходимых для оптических межсоединений на кристалле.К таким компонентам относятся волноводы, источники света, фотодетекторы и модуляторы.

Из-за сложности реализации кремниевых излучателей света с электрической накачкой прямая интеграция материалов является сильным кандидатом на создание эффективного встроенного источника света.

 

оптический
Центральная длина волны
915нм
Выходная мощность
10 Вт
Ширина спектра на полувысоте
≤6нм
Эффективность наклона
1,0 Вт/А
Быстрое расхождение осей
60 градусов
Медленное расхождение осей
11 градусов
Режим поляризации
ТЭ
Размер излучателя
94 мкм
Электрический
Пороговый ток
0,5А
Рабочий ток
12А
Рабочее напряжение
1,65 В
Эффективность преобразования энергии
58%
Термальный
Рабочая Температура
15-55℃
Температура хранения
-30-70℃
Длина волны Темп.Коэффициент
0,3 нм/℃
Рисунок

Диодный лазерный чип COS 915 нм мощностью 10 Вт на конструкции с подкреплением 0

 

Часто задаваемые вопросы

Q1: Какие способы оплаты вы поддерживаете?
T/T и Western Union, на ваш выбор

Q2: Как долго я могу получить посылку?
Обычно 1-2 недели FedEx, DHL Express, UPS, TNT

 

Q3: какое время выполнения заказа?
Стандартный продукт все в наличии.Доставка через экспресс в течение 3-4 рабочих дней.Индивидуальный стек требует 15 рабочих дней.

Q4: вы торговая компания или производитель?
Мы являемся производителем с более чем 11-летним опытом, а также предоставляем техническое решение для всех клиентов.

Q5: Можете ли вы гарантировать качество?
Конечно, мы являемся одним из самых известных производителей в Китае.Качество для нас самое главное, мы дорожим своей репутацией.Лучшее качество - наш постоянный принцип.
 

Контактная информация
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Контактное лицо: Xiwen Bai (Ciel)

Телефон: +8613372109561

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты