Главная страница Продукцияsemiconductor diode laser chip онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(62)

Вафля Sic эпитаксиальная
(28)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

semiconductor diode laser chip онлайн производство

(4)

Длина волны 915нм размера излучателя 94мкм обломока 1.0В/А полупроводника лазерного диода печатания лазера
контакт

Подробнее

2022-09-22 15:10:25

Пороговый ток 0.5A Эффективность преобразования мощности 58% чипа лазерного диода
контакт

Подробнее

2022-09-22 15:12:40

Эффективность 1.0В/А наклона печатания лазера обломока лазерного диода тока 0.5А порогового значения
контакт

Подробнее

2022-09-22 15:13:34

Ориентировка кристаллов C/M0.2 субстрата сапфира Thk 430um
контакт

Подробнее

2023-02-17 10:18:05

Page 1 of 1

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

semiconductor diode laser chip онлайн производство

Длина волны 915нм размера излучателя 94мкм обломока 1.0В/А полупроводника лазерного диода печатания лазера
контакт

Пороговый ток 0.5A Эффективность преобразования мощности 58% чипа лазерного диода
контакт

Эффективность 1.0В/А наклона печатания лазера обломока лазерного диода тока 0.5А порогового значения
контакт

Ориентировка кристаллов C/M0.2 субстрата сапфира Thk 430um
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский