Отправить запрос |
Главная страница Продукцияsemiconductor diode laser chip онлайн производитель
Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

semiconductor diode laser chip онлайн производство

(4)
Купить Длина волны 915нм размера излучателя 94мкм обломока 1.0В/А полупроводника лазерного диода печатания лазера онлайн производитель

Длина волны 915нм размера излучателя 94мкм обломока 1.0В/А полупроводника лазерного диода печатания лазера
контакт

Laser Printing Laser Diode Chip 1.0W/A Emitter Size 94μm Wavelength 915nm 915nm 10W COS Diode Laser Chip On Submount Design Chip on Submount COS Laser Diode employing AuSn bonding and P Down package with ... Подробнее
2022-09-22 15:10:25
Купить Пороговый ток 0.5A Эффективность преобразования мощности 58% чипа лазерного диода онлайн производитель

Пороговый ток 0.5A Эффективность преобразования мощности 58% чипа лазерного диода
контакт

Threshold Current 0.5A Laser Diode Chip Power Conversion Efficiency 58% 915nm 10W COS Diode Laser Chip On Submount Design On-chip integration of laser diodes and photodetectors with silicon nanowire waveguides ... Подробнее
2022-09-22 15:12:40
Купить Эффективность 1.0В/А наклона печатания лазера обломока лазерного диода тока 0.5А порогового значения онлайн производитель

Эффективность 1.0В/А наклона печатания лазера обломока лазерного диода тока 0.5А порогового значения
контакт

Threshold Current 0.5A Laser Diode Chip Laser Printing Slope Efficiency 1.0W/A 915nm 10W COS Diode Laser Chip On Submount Design The light source is integrated by flip-chip bonding directly onto the Si ... Подробнее
2022-09-22 15:13:34
Купить Ориентировка кристаллов C/M0.2 субстрата сапфира Thk 430um онлайн производитель

Ориентировка кристаллов C/M0.2 субстрата сапфира Thk 430um
контакт

Thk 430μm Sapphire Substrate Wafer Crystal Orientation C/M0.2, OF Length (Mm) 16 LED Chip JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 LED ... Подробнее
2023-02-17 10:18:05
Page 1 of 1
около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший Качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.