Russian

English

French

German

Italian

Russian

Spanish

Portuguese

Dutch

Greek

Japanese

Korean

Arabic

Turkish

Polish

Отправить запрос |

Главная страница Продукцияhigh power laser diode chip онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(61)

Вафля Sic эпитаксиальная
(28)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

high power laser diode chip онлайн производство

(12)

длина волны 915nm эффективности 1.0W/A наклона обломока лазерного диода 94um
контакт

Подробнее

2022-10-09 10:04:51

Пороговый ток 0.5A Эффективность преобразования мощности 58% чипа лазерного диода
контакт

Подробнее

2022-09-22 15:12:40

Стандартный корпус для поверхностного монтажа Чип лазерного диода 1,0 Вт/А
контакт

Подробнее

2022-09-22 15:13:00

лазерные диоды 0.5A откалывают держатель длины волны 915nm печатания лазера поверхностный
контакт

Подробнее

2022-09-22 15:04:02

пакет держателя печатания обломока лазерного диода 915nm поверхностный стандартный
контакт

Подробнее

2022-09-22 15:13:16

Эффективность 1.0В/А наклона печатания лазера обломока лазерного диода тока 0.5А порогового значения
контакт

Подробнее

2022-09-22 15:13:34

Сила 10W выхода степени рабочей температуры 15 до 55 обломока диода печатания лазера
контакт

Подробнее

2022-09-22 15:09:34

Длина волны 915нм размера излучателя 94мкм обломока 1.0В/А полупроводника лазерного диода печатания лазера
контакт

Подробнее

2022-09-22 15:10:25

Обломок лазера диода размера 94ум излучателя на пороговом течении 0.5А дизайна Субмаунта
контакт

Подробнее

2022-09-26 11:34:28

Диодный лазерный чип COS 915 нм мощностью 10 Вт на конструкции с подкреплением
контакт

Подробнее

2022-09-22 15:11:09

Page 1 of 2|< << 1 2 >> >|

около

Вафля GaN эпитаксиальная: Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI; Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см; 2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная: Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм; край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум; C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение