Отправить запрос |
Главная страница Продукцияhigh power laser diode chip онлайн производитель
Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

high power laser diode chip онлайн производство

(12)
Купить длина волны 915nm эффективности 1.0W/A наклона обломока лазерного диода 94um онлайн производитель

длина волны 915nm эффективности 1.0W/A наклона обломока лазерного диода 94um
контакт

Подробнее
2022-10-09 10:04:51
Купить Пороговый ток 0.5A Эффективность преобразования мощности 58% чипа лазерного диода онлайн производитель

Пороговый ток 0.5A Эффективность преобразования мощности 58% чипа лазерного диода
контакт

Подробнее
2022-09-22 15:12:40
Купить Стандартный корпус для поверхностного монтажа Чип лазерного диода 1,0 Вт/А онлайн производитель

Стандартный корпус для поверхностного монтажа Чип лазерного диода 1,0 Вт/А
контакт

Подробнее
2022-09-22 15:13:00
Купить лазерные диоды 0.5A откалывают держатель длины волны 915nm печатания лазера поверхностный онлайн производитель

лазерные диоды 0.5A откалывают держатель длины волны 915nm печатания лазера поверхностный
контакт

Подробнее
2022-09-22 15:04:02
Купить Эффективность 1.0В/А наклона печатания лазера обломока лазерного диода тока 0.5А порогового значения онлайн производитель

Эффективность 1.0В/А наклона печатания лазера обломока лазерного диода тока 0.5А порогового значения
контакт

Подробнее
2022-09-22 15:13:34
Купить пакет держателя печатания обломока лазерного диода 915nm поверхностный стандартный онлайн производитель

пакет держателя печатания обломока лазерного диода 915nm поверхностный стандартный
контакт

Подробнее
2022-09-22 15:13:16
Купить Сила 10W выхода степени рабочей температуры 15 до 55 обломока диода печатания лазера онлайн производитель

Сила 10W выхода степени рабочей температуры 15 до 55 обломока диода печатания лазера
контакт

Подробнее
2022-09-22 15:09:34
Купить Длина волны 915нм размера излучателя 94мкм обломока 1.0В/А полупроводника лазерного диода печатания лазера онлайн производитель

Длина волны 915нм размера излучателя 94мкм обломока 1.0В/А полупроводника лазерного диода печатания лазера
контакт

Подробнее
2022-09-22 15:10:25
Купить Диодный лазерный чип COS 915 нм мощностью 10 Вт на конструкции с подкреплением онлайн производитель

Диодный лазерный чип COS 915 нм мощностью 10 Вт на конструкции с подкреплением
контакт

Подробнее
2022-09-22 15:11:09
Купить Обломок лазера диода размера 94ум излучателя на пороговом течении 0.5А дизайна Субмаунта онлайн производитель

Обломок лазера диода размера 94ум излучателя на пороговом течении 0.5А дизайна Субмаунта
контакт

Подробнее
2022-09-26 11:34:28
Page 1 of 2|< 1 2 >|
около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.