Отправить сообщение
Главная страница ПродукцияВафля GaN эпитаксиальная

M-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл < 0,05 Ω·см приводит прибор в действие/лазер

M-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл < 0,05 Ω·см приводит прибор в действие/лазер

M-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл &lt; 0,05 Ω·см приводит прибор в действие/лазер
M-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл &lt; 0,05 Ω·см приводит прибор в действие/лазер M-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл &lt; 0,05 Ω·см приводит прибор в действие/лазер M-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл &lt; 0,05 Ω·см приводит прибор в действие/лазер M-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл &lt; 0,05 Ω·см приводит прибор в действие/лазер

Большие изображения :  M-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл < 0,05 Ω·см приводит прибор в действие/лазер

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Сучжоу Китай
Фирменное наименование: GaNova
Сертификация: UKAS/ISO9001:2015
Номер модели: JDCD01-001-008
Оплата и доставка Условия:
Упаковывая детали: Вакуумная упаковка в чистом помещении класса 10000, в кассетах по 6 шт. или в одинарных вафельных ко
Время доставки: 3-4 рабочих дня
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 10000pcs/Month

M-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл < 0,05 Ω·см приводит прибор в действие/лазер

описание
Размеры: ² 5 x 10mm Толщина: 350 ±25µm
TTV: ≤ 10µm Смычок: - ≤ 10µm СМЫЧКА ≤ 10µm
Плотность дефекта макроса: ² 0cm⁻ Название продукта: Вафля GaN эпитаксиальная
Выделить:

Лазерный однокристаллический субстрат GaN

M-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг n типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночной кристаллической < 0="">


Обзор
Эти вафли GaN осуществляют беспрецедентные ультра-яркие лазерные диоды и приборы силы высокой эффективности для пользы в источниках света репроектора, инверторах для электротранспортов, и других применениях.
Особенности высокое кристаллическое, хорошее единообразие, и главное качество поверхности. Субстраты GaN использованы для применений LD (фиолетовый, голубой и зеленый).

M смотрит на свободно стоящие субстраты GaN
Деталь

GaN-FS-M-U-S

GaN-FS-M-N-S

GaN-FS-M-SI-S

M-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл < 0,05 Ω·см приводит прибор в действие/лазер 0

Примечания:

Угол дуги круга (r < 2="" mm="">

Размеры 5 x 10 mm2
Толщина µm 350 ±25
Ориентация

Самолет m (1 до 100) с угла к -оси 0 ±0.5°

Самолет m (1 до 100) с угла к C-оси - 1 ±0.2°

Тип кондукции N типа N типа Полу-изолировать
Резистивность (300K) < 0=""> < 0=""> > 106 Ω·см
TTV µm ≤ 10
СМЫЧОК - 10 µm ≤ 10 СМЫЧКА ≤ µm
Шершавость лицевой поверхности

< 0="">

или < 0="">

Задняя шероховатость поверхности

0,5 μm ~1,5

вариант: 1~3 nm (точная земля); < 0="">

Плотность дислокации От 1 x 105 до 3 x 106 см-2
Плотность дефекта макроса 0 см-2
Годная к употреблению область > 90% (исключение края)
Пакет Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в контейнере 6 PCS, под атмосферой азота

Приложение: Диаграмма угла miscut

M-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл < 0,05 Ω·см приводит прибор в действие/лазер 1

Если степень ±0.5 δ1 = 0, тогда самолет m (1 до 100) с угла к -оси 0 градусов ±0.5.

Если δ2 = - 1 градус ±0.2, тогда самолет m (1 до 100), то с угла к C-оси - 1 градус ±0.2.

О нас

Мы специализируем в обработке разнообразие материалов в вафли, субстраты и подгонянное оптически стекло parts.components широко используемые в электронике, оптике, opto электронике и много других полей. Мы также работали близко с много отечественных и международные университеты, научно-исследовательские институты и компании, обеспечивают подгонянные продукты и услуга для их проектов НИОКР. Наше зрение к поддержанию хорошего отношения сотрудничества с нашими всеми клиентами нашими хорошими репутациями.

вопросы и ответы

Q: Вы торговая компания или изготовитель?
Мы фабрика.
Q: Сколько времени ваш срок поставки?
Вообще 3-5 дней если товары в запасе.
или 7-10 дней если товары нет в запасе, то, оно согласно количеству.
Q: Вы обеспечиваете образцы? он свободно или дополнительные?
Да, мы смогли предложить обязанность образца бесплатно но не оплачиваем цену перевозки.
Q: Что ваши условия платежа?
Оплата <> >=5000USD оплаты, 80% T/T заранее, баланс перед пересылкой.

Контактная информация
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Контактное лицо: Xiwen Bai (Ciel)

Телефон: +8613372109561

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты