Главная страница Продукция Вафля GaN эпитаксиальная

Свободностоящая монокристаллическая подложка GaN галлия типа A Face N, нелегированная

Name: Свободностоящая монокристаллическая подложка GaN галлия типа A Face N, нелегированная
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDCD01-001-005
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(65)

Вафля Sic эпитаксиальная
(39)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Самые лучшие продукты

Субстрат GaN одиночный кристаллический

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN

Субстрат GaN стороны c

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

Свободностоящая монокристаллическая подложка GaN галлия типа A Face N, нелегированная

Большие изображения : Свободностоящая монокристаллическая подложка GaN галлия типа A Face N, нелегированная

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	Сучжоу Китай
Фирменное наименование:	GaNova
Сертификация:	UKAS/ISO9001:2015
Номер модели:	JDCD01-001-005

Оплата и доставка Условия:

Упаковывая детали:	Вакуумная упаковка в чистом помещении класса 10000, в кассетах по 6 шт. или в одинарных вафельных ко
Время доставки:	3-4 рабочих дня
Условия оплаты:	T/T
Поставка способности:	10000pcs/Month

контакт

Свободностоящая монокристаллическая подложка GaN галлия типа A Face N, нелегированная

описание

Название продукта:	Субстрат GaN одиночный кристаллический	Размеры:	² 5 x 10mm
Толщина:	350 ±25µm	Ориентация:	Самолет (11-20) с угла к самолету M-оси 0 ±0.5° a (11-20) с угла к C-оси - 1 ±0.2°
TTV:	≤ 10µm	Смычок:	- ≤ 10µm СМЫЧКА ≤ 10µm
Выделить:	Нитрид галлия типа N , эпитаксиальная подложка GaN без примесей , подложка из нитрида галлия с лицевой стороной

5*10,5 мм2 A-грань Нелегированная отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN n-типа Удельное сопротивление < 0,05 Ом·см Силовое устройство/лазерная пластина

Обзор

Плотность мощности значительно выше в устройствах на основе нитрида галлия по сравнению с кремниевыми, поскольку GaN способен поддерживать гораздо более высокие частоты переключения.Он также имеет повышенную способность выдерживать повышенные температуры.

А фтуз Фри-стангянг гаН Сабул.ратес
Элемент	GaN-FS-AUS	GaN-FS-ANS	GaN-FS-A-SI-S	Примечания: Угол дуги окружности (R < 2 мм) используется для различения передней и задней поверхностей.
Размеры	5 х 10 мм²
Толщина	350 ±25 мкм
Ориентация	Плоскость (11-20) под углом к оси М 0 ±0,5° Плоскость (11-20) под углом к оси С - 1 ±0,2°
Тип проводимости	N-тип	N-тип	Полуизолирующий
Удельное сопротивление (300K)	< 0,1 Ом·см	< 0,05 Ом·см	> 10⁶Ом·см
ТТВ	≤ 10 мкм
ПОКЛОН	- 10 мкм ≤ BOW ≤ 10 мкм
Шероховатость передней поверхности	< 0,2 нм (полированный); или < 0,3 нм (полировка и обработка поверхности для эпитаксии)
Шероховатость задней поверхности	0,5 ~ 1,5 мкм вариант: 1~3 нм (мелкий помол);< 0,2 нм (полированный)
Плотность дислокации	От 1 х 10⁵до 3 х 10⁶см^-2
Плотность макродефектов	0 см^-2
Полезная площадь	> 90% (краевое исключение)
Упаковка	Упаковано в чистом помещении класса 100, в контейнере по 6 шт., в атмосфере азота.

Приложение: Диаграмма угла миската

Свободностоящая монокристаллическая подложка GaN галлия типа A Face N, нелегированная 1

Если δ₁= 0 ±0,5°, то угол наклона плоскости (11-20) к оси М составляет 0 ±0,5°.

Если δ₂= - 1 ±0,2°, то угол наклона плоскости (11-20) к оси С составляет - 1 ±0,2°.

О нас

Мы специализируемся на переработке различных материалов в пластины, подложки и индивидуальные детали из оптического стекла. Компоненты широко используются в электронике, оптике, оптоэлектронике и многих других областях.Мы также тесно сотрудничаем со многими отечественными и зарубежными университетами, научно-исследовательскими институтами и компаниями, предоставляя индивидуальные продукты и услуги для их научно-исследовательских проектов.Наше видение - поддерживать хорошие отношения сотрудничества со всеми нашими клиентами благодаря нашей хорошей репутации.

Часто задаваемые вопросы

В: вы торговая компания или производитель?
Мы фабрика.
Q: Как долго ваше время доставки?
Обычно это 3-5 дней, если товар есть на складе.
или 7-10 дней, если товара нет на складе, в зависимости от количества.
Q: Предоставляете ли вы образцы?это бесплатно или дополнительно?
Да, мы можем предложить образец бесплатно, но не оплачиваем стоимость перевозки.
В: Каковы ваши условия оплаты?
Оплата <=5000USD, 100% предоплата.
Paymen> = 5000USD, 80% T/T заранее, остаток перед отправкой.

тег:

Контактное лицо: Xiwen Bai (Ciel)

Телефон: +8613372109561

Другие продукты

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Размеры: ± 50,8 1 mm

Название продукта: свободно стоящие субстраты GaN

Толщина: 350 ±25µm

Ориентация: Самолет c (0001) с угла к M-оси

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

Размеры: ± 50,8 1 mm

Толщина: 350 ±25µm

Смычок: - ≤ 10µm СМЫЧКА ≤ 10µm

Плотность дефекта макроса: ² 0cm⁻

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Размеры: ± 50,8 1 mm

Толщина: 350 ±25µm

TTV: ≤ 10µm

Смычок: μm ≤ 20

Самолет вафли полупроводника 325um нитрида галлия 375um c

Название продукта: Субстрат GaN одиночный кристаллический

Размеры: ± 50,8 1 mm

Толщина: 350 ±25µm

Ориентация: Самолет c (0001) с угла к M-оси

Эпитаксиальная пластина GaN 375 мкм Отдельно стоящие подложки U-GaN SI-GaN

Название продукта: 2-дюймовые свободно стоящие субстраты U-GaN/SI-GaN

Размеры: 50,8 ± 1mm

Толщина: 350 ± 25μm

Квартира ориентации: ± 0.5˚ (1-100), 16 ± 1mm

Свободностоящая монокристаллическая подложка GaN галлия типа A Face N, нелегированная

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

Субстрат GaN одиночный кристаллический

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN

Субстрат GaN стороны c

Свободностоящая монокристаллическая подложка GaN галлия типа A Face N, нелегированная

Свободностоящая монокристаллическая подложка GaN галлия типа A Face N, нелегированная

Нитрид галлия типа N

эпитаксиальная подложка GaN без примесей

подложка из нитрида галлия с лицевой стороной

Вафля полупроводника нитрида галлия,

Свободные стоящие субстраты GaN,

Голубая вафля СИД GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Самолет вафли полупроводника 325um нитрида галлия 375um c

Эпитаксиальная пластина GaN 375 мкм Отдельно стоящие подложки U-GaN SI-GaN

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский