Отправить сообщение
Главная страница ПродукцияВафля GaN эпитаксиальная

2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства

2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства

2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства
2inch C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10⁶ Ω·cm RF Devices
2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства 2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства 2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства 2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства 2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства

Большие изображения :  2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Сучжоу Китай
Фирменное наименование: Nanowin
Сертификация: UKAS/ISO9001:2015
Номер модели: JDCD01-001-021
Оплата и доставка Условия:
Упаковывая детали: Вакуумная упаковка в чистых помещениях класса 10000, в кассетах по 25 шт. или в одинарных вафельных
Время доставки: 3-4 рабочих дня

2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства

описание
Размеры: 50,8 ± 1mm Толщина: 350 ± 25μm
Квартира ориентации: ± 0.5˚ (1-100), 16 ± 1mm Вторичная квартира ориентации: ± 3˚ (11-20), 8 ± 1mm
TTV: ≤ 15μm Смычок: ≤ 40μm ≤ 20μm
Выделить:

2 дюйма GaN однокристаллический субстрат

,

Сопротивляемость GaN однокристаллический субстрат

2-дюймовая отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI с С-образной поверхностью, легированная Fe Удельное сопротивление > 106Ом·см РЧ-устройства

 

Обзор

Эпитаксиальные пластины нитрида галлия (GaN) (эпи-пластины).Пластины GaN-транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT) на различных подложках, таких как кремниевая подложка, сапфировая подложка, подложка из карбида кремния (SiC).Мы предлагаем GaN на пластинах SiC для ВЧ и силовых приложений.
 

 

2-дюймовые отдельно стоящие подложки U-GaN/SI-GaN
 

 

Отличный уровень (С)

 

Уровень производства (В)

Исследовать

уровень (В)

Дурачок

уровень (С)

2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства 0

 

 

 

 

 

 

Примечание:

(1) Полезная площадь: исключение кромок и макродефектов

(2) 3 балла: углы смещения позиций (2, 4, 5) составляют 0,35 ± 0,15о

С-1 С-2 А-1 А-2
Размеры 50,8 ± 1 мм
Толщина 350 ± 25 мкм
Ориентация плоская (1-100) ± 0,5о, 16 ± 1 мм
Вторичная ориентация плоская (11-20) ± 3о, 8 ± 1 мм
Удельное сопротивление (300K)

< 0,5 Ом·см для N-типа (нелегированный; GaN-FS-CU-C50)

или > 1 х 106Ом·см для полуизолирующих (легированных Fe; GaN-FS-C-SI-C50)

ТТВ ≤ 15 мкм
ПОКЛОН ≤ 20 мкм ≤ 40 мкм
Шероховатость поверхности Ga

< 0,2 нм (полированный)

или < 0,3 нм (полировка и обработка поверхности для эпитаксии)

N шероховатость лицевой поверхности

0,5 ~ 1,5 мкм

вариант: 1~3 нм (мелкий помол);< 0,2 нм (полированный)

Упаковка Упаковано в чистом помещении в одиночный вафельный контейнер
Полезная площадь > 90% >80% >70%
Плотность дислокаций <9,9x105см-2 <3x106см-2 <9,9x105см-2 <3x106см-2 <3x106см-2
Ориентация: плоскость C (0001) под углом к ​​оси M

0,35 ± 0,15о

(3 балла)

0,35 ± 0,15о

(3 балла)

0,35 ± 0,15о

(3 балла)

Плотность макродефектов (отверстие) 0 см-2 < 0,3 см-2 < 1 см-2
Максимальный размер макродефектов   < 700 мкм < 2000 мкм < 4000 мкм

 

 

 

О нас

Мы специализируемся на переработке различных материалов в пластины, подложки и индивидуальные детали из оптического стекла. Компоненты широко используются в электронике, оптике, оптоэлектронике и многих других областях.Мы также тесно сотрудничаем со многими отечественными и зарубежными университетами, научно-исследовательскими институтами и компаниями, предоставляя индивидуальные продукты и услуги для их научно-исследовательских проектов.Наше видение - поддерживать хорошие отношения сотрудничества со всеми нашими клиентами благодаря нашей хорошей репутации.

 

 

Часто задаваемые вопросы

В: вы торговая компания или производитель?
Мы фабрика.
Q: Как долго ваше время доставки?
Обычно это 3-5 дней, если товар есть на складе.
или 7-10 дней, если товара нет на складе, в зависимости от количества.
Q: Предоставляете ли вы образцы?это бесплатно или дополнительно?
Да, мы можем предложить образец бесплатно, но не оплачиваем стоимость перевозки.
В: Каковы ваши условия оплаты?
Оплата <=5000USD, 100% предоплата.
Paymen> = 5000USD, 80% T/T заранее, остаток перед отправкой.

 

Контактная информация
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Контактное лицо: Xiwen Bai (Ciel)

Телефон: +8613372109561

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты