Купить p type silicon substrate, хорошее качество p type silicon substrate производитель

2-дюймовая подложка SiC 350 мкм для требовательной силовой электроники
контакт

P-Level 2-Inch SiC Substrate 4H-N/SI260μm±25μm For Demanding Power Electronics JDCD03-001-001 2-inch SiC substrate P-level 4H-N/SI260μm±25μm for power devices and microwave devices Overview High crystal quality ... Подробнее

2024-10-29 11:49:58

Шершавость лицевой поверхности GaN на субстрате GaN кремниевой пластины
контакт

M Face Free-Standing GaN Substrates Front Surface Roughness < 0.2 Nm (Polished) Or < 0.3 nm 5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser ... Подробнее

2022-10-08 17:19:48

Синий светодиод GaN на кремниевой пластине Синий лазер GaN эпитаксиальная пластина
контакт

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Подробнее

2024-12-06 17:37:25

JDCD06-001-006 8-дюймовый кремниевый пластинка MEMS устройства интегральные схемы специальные подложки для дискретных устройств
контакт

8-inch silicon wafer MEMS devices, integrated circuits,dedicated substrates for discrete devices Overview In electronics, Silicon wafers (also known as substrates) are thin slices of highly pure crystalline ... Подробнее

2025-04-27 11:43:51

JDCD06-001-002 3-дюймовые МЭМС-устройства на кремниевых пластинах, интегральные схемы, специальные подложки для дискретных устройств
контакт

3-inch silicon wafer MEMS devices, integrated circuits,dedicated substrates for discrete devices Overview Silicon wafers act as a substrate for microelectronic devices and are especially useful in building ... Подробнее

2025-04-04 22:43:44

Приборы кремниевой пластины MEMS JDCD06-001-003 4-Inch, интегральные схемаы, преданные субстраты для дискретных приборов
контакт

4-inch silicon wafer MEMS devices, integrated circuits,dedicated substrates for discrete devices A silicon wafer is a material essential for manufacturing semiconductors, which are found in all kinds of ... Подробнее

2025-04-04 22:43:44

JDCD06-001-004 5-дюймовая кремниевая пластина MEMS устройства интегрированные схемы специальные подложки для дискретных устройств
контакт

5-inch silicon wafer MEMS devices, integrated circuits,dedicated substrates for discrete devices Overview Although silicon crystals may look metallic, they are not entirely metals. Due to the "free electrons" ... Подробнее

2025-04-27 11:43:51

JDCD06-001-005 6-дюймовые кремниевые пластинки MEMS устройства интегральные схемы специальные подложки для дискретных устройств
контакт

6-inch silicon wafer MEMS devices, integrated circuits,dedicated substrates for discrete devices Overview Silicon is typically found compounded with other elements. Silicon elements are able to bind atoms ... Подробнее

2025-04-27 11:43:51

JDCD06-001-007 12-дюймовый кремниевый пластинка MEMS устройства интегральные схемы выделенные подложки для дискретных устройств
контакт

12-inch silicon wafer MEMS devices, integrated circuits,dedicated substrates for discrete devices Overview A silicon wafer is a material essential for manufacturing semiconductors, which are found in all kinds ... Подробнее

2025-04-27 11:43:51

2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства
контакт

2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices Overview Gallium Nitride (GaN) epitaxial wafers (epi-wafers). GaN high-electron-mobility transistors ... Подробнее

2025-04-04 22:43:44

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

p type silicon substrate онлайн производство

2-дюймовая подложка SiC 350 мкм для требовательной силовой электроники
контакт

Шершавость лицевой поверхности GaN на субстрате GaN кремниевой пластины
контакт

Синий светодиод GaN на кремниевой пластине Синий лазер GaN эпитаксиальная пластина
контакт

JDCD06-001-006 8-дюймовый кремниевый пластинка MEMS устройства интегральные схемы специальные подложки для дискретных устройств
контакт

JDCD06-001-002 3-дюймовые МЭМС-устройства на кремниевых пластинах, интегральные схемы, специальные подложки для дискретных устройств
контакт

Приборы кремниевой пластины MEMS JDCD06-001-003 4-Inch, интегральные схемаы, преданные субстраты для дискретных приборов
контакт

JDCD06-001-004 5-дюймовая кремниевая пластина MEMS устройства интегрированные схемы специальные подложки для дискретных устройств
контакт

JDCD06-001-005 6-дюймовые кремниевые пластинки MEMS устройства интегральные схемы специальные подложки для дискретных устройств
контакт

JDCD06-001-007 12-дюймовый кремниевый пластинка MEMS устройства интегральные схемы выделенные подложки для дискретных устройств
контакт

2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский