Главная страница Продукцияp type silicon substrate онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(65)

Вафля Sic эпитаксиальная
(39)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

p type silicon substrate онлайн производство

(81)

Устройства МЭМС Кремниевые подложки Интегральные схемы Выделенные
контакт

2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview A silicon wafer is a material essential for manufacturing semiconductors, which are found in all kinds ... Подробнее

2022-09-27 16:52:41

Полупроводниковые приборы вафля 8" 12" субстрата кремния 2 дюймов
контакт

2-Inch Silicon Wafer 2"/3"/4"/5"/6"/8"/12" Prime Grade 0.001-100 ohm-cm 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview Nearly all the electronic ... Подробнее

2022-09-27 16:53:03

4" 5" 6" тип p вафли Si/тип n бора/как тип/Sb n
контакт

2"/3"/4"/5"/6"/8"/12" Silicon Wafer P Type/Boron,N Type/Phos,N Type/As, N Type/Sb 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview Silicon wafer can be n... Подробнее

2022-09-27 16:54:01

Микроэлектронная кремниевая эпитаксиальная пластина 279um Основная подложка
контакт

Thickness(μm)279 Silicon Wafer TTV(μm) Standard Подробнее

2022-09-27 16:51:53

2" толщина 279μm кремниевой пластины полупроводника
контакт

2-Inch Silicon Wafer Thickness(μm)279 Resistivity 0.001-100 Ohm-cm 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview Few of us have a chance to encounter ... Подробнее

2022-09-27 16:54:31

Тип кремниевая пластина 3" n Phos толщина 279um 380um 525um 625um
контакт

Resistivity 0.001-100 ohm-cm Silicon Wafer Thickness(μm) 279/380/525/625/675/725/775 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview After this cleaning ... Подробнее

2022-09-27 16:51:42

Тип н длина 47.5мм субстрата кремниевого карбида 6инч 4Х основная плоская
контакт

6inch 4H-SiC substrate N-Type D Grade 350.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity 0.014Ω•cm—0.028Ω•cm for power and microwave devices Overview Silicon Carbide (SiC) is a covalent network solid. If we look at its ... Подробнее

2022-10-24 10:22:34

Кремний поверхность вафли 8 дюймов закончил P/E P/P e/НАПРИМЕР /G
контакт

2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview In daily life we hardly ever see a silicon wafer, but they are used in every sort of electronic device ... Подробнее

2023-02-17 12:41:33

Тип тип Phos p кремниевой пластины 12 дюймов n бора
контакт

Silicon Wafer Type/Dopant P Type/Boron,N Type/Phos,N Type/As, N Type/Sb 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview All sorts of technological ... Подробнее

2023-02-17 12:42:20

2 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi пластинке для устройства питания
контакт

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Подробнее

2024-12-06 17:40:06

Page 1 of 9|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >> >|

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

p type silicon substrate онлайн производство

Устройства МЭМС Кремниевые подложки Интегральные схемы Выделенные
контакт

Полупроводниковые приборы вафля 8" 12" субстрата кремния 2 дюймов
контакт

4" 5" 6" тип p вафли Si/тип n бора/как тип/Sb n
контакт

Микроэлектронная кремниевая эпитаксиальная пластина 279um Основная подложка
контакт

2" толщина 279μm кремниевой пластины полупроводника
контакт

Тип кремниевая пластина 3" n Phos толщина 279um 380um 525um 625um
контакт

Тип н длина 47.5мм субстрата кремниевого карбида 6инч 4Х основная плоская
контакт

Кремний поверхность вафли 8 дюймов закончил P/E P/P e/НАПРИМЕР /G
контакт

Тип тип Phos p кремниевой пластины 12 дюймов n бора
контакт

2 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi пластинке для устройства питания
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский