Тип н длина 47.5мм субстрата кремниевого карбида 6инч 4Х основная плоская

6-дюймовая подложка 4H-SiC N-типа D класса 350,0±25,0 мкм MPD≤5/см2 Удельное сопротивление 0,014 Ом•см — 0,028 Ом•см для силовых и микроволновых устройств

Обзор
Карбид кремния (SiC) представляет собой твердое вещество с ковалентной сеткой.Если мы посмотрим на его структуру, то обнаружим, что атомы кремния соединены вместе с атомами углерода с помощью ковалентной связи тетраэдрически.

Мы предлагаем комплексное решение по материалам SiC с гибкими спецификациями.

Толстые слои эпидермиса С буфером или без него
Многослойные структуры Различные уровни легирования, в том числе pn-переходы
В процессе эпитаксии Заглубленные и заглубленные конструкции, контактные слои

Примечание. Исключение края 3 мм используется для элементов, отмеченных^а.

О нас

Мы специализируемся на переработке различных материалов в пластины, подложки и индивидуальные детали из оптического стекла. Компоненты широко используются в электронике, оптике, оптоэлектронике и многих других областях.Мы также тесно сотрудничаем со многими отечественными и зарубежными университетами, научно-исследовательскими институтами и компаниями, предоставляя индивидуальные продукты и услуги для их научно-исследовательских проектов.Наше видение - поддерживать хорошие отношения сотрудничества со всеми нашими клиентами благодаря нашей хорошей репутации.

Часто задаваемые вопросы

В: вы торговая компания или производитель?
Мы фабрика.
Q: Как долго ваше время доставки?
Обычно это 3-5 дней, если товар есть на складе.
или 7-10 дней, если товара нет на складе, в зависимости от количества.
Q: Предоставляете ли вы образцы?это бесплатно или дополнительно?
Да, мы можем предложить образец бесплатно, но не оплачиваем стоимость перевозки.
В: Каковы ваши условия оплаты?
Оплата <=5000USD, 100% предоплата.
Paymen> = 5000USD, 80% T/T заранее, остаток перед отправкой.