Главная страница Продукцияn type sic epitaxial wafer онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(65)

Вафля Sic эпитаксиальная
(39)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

n type sic epitaxial wafer онлайн производство

(22)

вафля 6inch SiC эпитаксиальная
контакт

Подробнее

2022-10-09 16:56:20

вафля 150,0 mm +0mm/-0.2mm параллельное to<11-20>±1° 47,5 mm SiC ± 1,5 mm эпитаксиальная
контакт

Подробнее

2024-10-29 11:49:58

вафля 0.015Ω 4H SiC эпитаксиальная•cm-0.025Ω•² 150,0 mm +0mm/-0.2mm см ≤4000/cm
контакт

Подробнее

2024-10-29 11:49:58

0.015Ω•cm-0.025Ω•C-стороны вафли SiC см CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский
контакт

Подробнее

2024-10-29 11:49:58

2 дюймовое устройство высокой электронной мобильности транзистор эпитаксиальная пластина
контакт

Подробнее

2024-12-06 17:41:10

Синий светодиод GaN на кремниевой пластине Синий лазер GaN эпитаксиальная пластина
контакт

Подробнее

2024-12-06 17:37:25

6-дюймовая подложка 4H SiC N, тип P, SBD, класс 350 мкм
контакт

Подробнее

2022-10-24 10:23:04

6-дюймовый 4H SiC N тип подложки 47,5 мм без вторичной плоской
контакт

Подробнее

2022-10-24 10:26:17

Тип н длина 47.5мм субстрата кремниевого карбида 6инч 4Х основная плоская
контакт

Подробнее

2022-10-24 10:22:34

Тип субстрат SiC n
контакт

Подробнее

2022-10-09 16:57:15

Page 1 of 3|< << 1 2 3 >> >|

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

n type sic epitaxial wafer онлайн производство

вафля 6inch SiC эпитаксиальная
контакт

вафля 150,0 mm +0mm/-0.2mm параллельное to<11-20>±1° 47,5 mm SiC ± 1,5 mm эпитаксиальная
контакт

вафля 0.015Ω 4H SiC эпитаксиальная•cm-0.025Ω•² 150,0 mm +0mm/-0.2mm см ≤4000/cm
контакт

0.015Ω•cm-0.025Ω•C-стороны вафли SiC см CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский
контакт

2 дюймовое устройство высокой электронной мобильности транзистор эпитаксиальная пластина
контакт

Синий светодиод GaN на кремниевой пластине Синий лазер GaN эпитаксиальная пластина
контакт

6-дюймовая подложка 4H SiC N, тип P, SBD, класс 350 мкм
контакт

6-дюймовый 4H SiC N тип подложки 47,5 мм без вторичной плоской
контакт

Тип н длина 47.5мм субстрата кремниевого карбида 6инч 4Х основная плоская
контакт

Тип субстрат SiC n
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский