Главная страница Продукцияn type sic epitaxial wafer онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(65)

Вафля Sic эпитаксиальная
(39)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

n type sic epitaxial wafer онлайн производство

(22)

тип субстрат 350,0 ± 25,0ум СиК ранга 4Х МОС вафли н 6инч 350,0
контакт

Подробнее

2022-10-24 10:21:10

Барьер AlGaN 4 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi вафеле галлиевого нитрида GaN-on-Si
контакт

Подробнее

2024-12-06 17:33:44

6 дюймов GaN на кремниевом HEMT Epi Wafer Power Device Галлиевый нитрид GaN на Си
контакт

Подробнее

2024-12-06 17:38:23

2 дюйма GaN на кремниевом Синий LD эпи вафли GaN синий лазер на кремниевом
контакт

Подробнее

2024-12-06 17:35:32

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI
контакт

Подробнее

2024-10-14 17:06:30

350um 4H SiC подложка
контакт

Подробнее

2022-10-09 16:57:57

4-дюймовая подложка 4H-SiC P-Level N-Type 350,0±25,0 мкм MPD≤0,5/см2 Удельное сопротивление 0,015 Ом•см — 0,025 Ом•см
контакт

Подробнее

2025-04-04 22:43:25

150-мм пластина 4H SiC Semi изолирующая подложка 6 дюймов 350 мкм
контакт

Подробнее

2022-10-24 10:22:12

Шершавость лицевой поверхности GaN на субстрате GaN кремниевой пластины
контакт

Подробнее

2022-10-08 17:19:48

Тип 6inch 4H SiC SI уровня p Semi изолируя субстрат 150mm
контакт

Подробнее

2022-10-24 10:21:46

Page 2 of 3|< << 1 2 3 >> >|

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

n type sic epitaxial wafer онлайн производство

тип субстрат 350,0 ± 25,0ум СиК ранга 4Х МОС вафли н 6инч 350,0
контакт

Барьер AlGaN 4 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi вафеле галлиевого нитрида GaN-on-Si
контакт

6 дюймов GaN на кремниевом HEMT Epi Wafer Power Device Галлиевый нитрид GaN на Си
контакт

2 дюйма GaN на кремниевом Синий LD эпи вафли GaN синий лазер на кремниевом
контакт

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI
контакт

350um 4H SiC подложка
контакт

4-дюймовая подложка 4H-SiC P-Level N-Type 350,0±25,0 мкм MPD≤0,5/см2 Удельное сопротивление 0,015 Ом•см — 0,025 Ом•см
контакт

150-мм пластина 4H SiC Semi изолирующая подложка 6 дюймов 350 мкм
контакт

Шершавость лицевой поверхности GaN на субстрате GaN кремниевой пластины
контакт

Тип 6inch 4H SiC SI уровня p Semi изолируя субстрат 150mm
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский