Отправить запрос |
Главная страница ПродукцияВафля Sic эпитаксиальная

350um 4H SiC подложка

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Самые лучшие продукты
350um 4H SiC подложка

350um 4H SiC подложка

Тип субстрат SiC n

Тип субстрат SiC n

вафля 6inch SiC эпитаксиальная

вафля 6inch SiC эпитаксиальная

Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

350um 4H SiC подложка

350um 4H SiC подложка
350um 4H SiC подложка

Большие изображения :  350um 4H SiC подложка

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Сучжоу Китай
Фирменное наименование: GaNova
Сертификация: UKAS/ISO9001:2015
Оплата и доставка Условия:
Упаковывая детали: Вакуумная упаковка в чистых помещениях класса 10000, в кассетах по 25 шт. или в одинарных вафельных
Время доставки: 3-4 рабочих дня
Условия оплаты: T/T
контакт

350um 4H SiC подложка

описание
Форма Кристл: 4h Загрязнение поверхности металлом: (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, k, ti, Ca, v, Mn) см-2 ≤1E11
Название продукта: Вафля Sic эпитаксиальная Диаметр: 150.0mm +0mm/-0.2mm
Поверхностная ориентация: Внеосевой: ° 4°toward <11-20>±0.5 Основная плоская длина: ± 1.5mm 47.5mm
Вторичная плоская длина: Отсутствие вторичной квартиры Основная плоская ориентация: Параллельное to<11-20>±1°
Ортогональное Misorientation: ±5.0°
Выделить:

Подложка SiC 4H 350 мкм

,

микроэпитаксиальная пластина

,

подложка SiC 4H типа N

6-дюймовая подложка 4H-SiC N-типа P-SBD класса 350,0 ± 25,0 мкм MPD≤0,5/см2Удельное сопротивление 0,015 Ом•см — 0,025 Ом•см для мощности и микроволн

 

6-дюймовая подложка 4H-SiC N-типа

 

Обзор

Карбид кремния (SiC) представляет собой неоксидный керамический конструкционный материал, вызвавший значительный интерес.Частицы SiC обладают относительно низким тепловым расширением, высокой теплопроводностью, высокой твердостью и устойчивостью к истиранию и коррозии.

 

 

Свойство

 P-MOS класс P-SBD класс D класс
Кристаллическая Форма 4 часа
Политип Разрешено Площадь≤5%
(MPD)а ≤0,2 /см2 ≤0,5 /см2 ≤5 /см2
Шестигранные пластины Разрешено Площадь≤5%
Шестиугольный поликристалл Разрешено
Включенияа Площадь≤0,05% Площадь≤0,05% Н/Д
Удельное сопротивление 0,015 Ом•см — 0,025 Ом•см 0,015 Ом•см — 0,025 Ом•см 0,014 Ом•см — 0,028 Ом•см
(ЭПД)а ≤4000/см2 ≤8000/см2 Н/Д
(ТЕД)а ≤3000/см2 ≤6000/см2 Н/Д
(БПД)а ≤1000/см2 ≤2000/см2 Н/Д
(ТСД)а ≤600/см2 ≤1000/см2 Н/Д
Ошибка укладки ≤0,5% площади ≤1% Площадь Н/Д

 

Загрязнение поверхности металлом

 

(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) ≤1E11 см-2
Диаметр 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм
Ориентация поверхности Вне оси: 4 ° в сторону <11-20> ± 0,5 °
Первичная плоская длина 47,5 мм ± 1,5 мм
Вторичная плоская длина Нет вторичной квартиры
Первичная плоская ориентация Параллельно <11-20>±1°
Вторичная плоская ориентация Н/Д
Ортогональная разориентация ±5,0°
Чистота поверхности C-лицо: оптическая полировка, Si-лицо: CMP
Вафельный край скашивание

Шероховатость поверхности

(10 мкм × 10 мкм)

 Si Face Ra≤0,20 нм ； C Face Ra≤0,50 нм
Толщинаа 350,0 мкм ± 25,0 мкм
LTV(10мм×10мм)а ≤2 мкм ≤3 мкм
(ТТВ)а ≤6 мкм ≤10 мкм
(ПОКЛОН)а ≤15 мкм ≤25 мкм ≤40 мкм
(Деформация)а ≤25 мкм ≤40 мкм ≤60 мкм
Сколы/отступы Не допускается Ширина и глубина ≥0,5 мм Кол-во 2 ≤1,0 мм Ширина и глубина

Царапиныа

(Си Лицо, CS8520)

 ≤5 и совокупная длина≤0,5×диаметр пластины

≤5 и совокупная длина≤1,5 × пластина

Диаметр
БТУ(2мм*2мм) ≥98% ≥95% Н/Д
Трещины Разрешено
Загрязнение Разрешено
Свойство P-MOS класс P-SBD класс D класс
Исключение краев 3 мм

Примечание. Исключение края 3 мм используется для элементов, отмеченныха.

 

 

О нас

Мы специализируемся на переработке различных материалов в пластины, подложки и индивидуальные детали из оптического стекла. Компоненты широко используются в электронике, оптике, оптоэлектронике и многих других областях.Мы также тесно сотрудничаем со многими отечественными и зарубежными университетами, научно-исследовательскими институтами и компаниями, предоставляя индивидуальные продукты и услуги для их научно-исследовательских проектов.Наше видение - поддерживать хорошие отношения сотрудничества со всеми нашими клиентами благодаря нашей хорошей репутации.

 

Часто задаваемые вопросы

В: вы торговая компания или производитель?
Мы фабрика.
Q: Как долго ваше время доставки?
Обычно это 3-5 дней, если товар есть на складе.
или 7-10 дней, если товара нет на складе, в зависимости от количества.
Q: Предоставляете ли вы образцы?это бесплатно или дополнительно?
Да, мы можем предложить образец бесплатно, но не оплачиваем стоимость перевозки.
В: Каковы ваши условия оплаты?
Оплата <=5000USD, 100% предоплата.
Paymen> = 5000USD, 80% T/T заранее, остаток перед отправкой.

тег:

Вафли кремниевого карбида эпитаксиальные,

Тип вафля n Sic эпитаксиальная,

Сторона c вафли Sic эпитаксиальная

Контактная информация
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Контактное лицо: Xiwen Bai (Ciel)

Телефон: +8613372109561

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.