вафля 6inch SiC эпитаксиальная

Внеосевое субстрата ранга 6inch 4H-SiC P-SBD N типа: ° <11-20>4°toward ±0.5

субстрат N типа P-SBD 6inch 4H-SiC ранг резистивность MPD≤0.5/Cm2 0.015Ω 350.0±25.0μM•Cm-0.025Ω•см для силы и Microw

субстрат 6inch 4H-SiC N типа

Обзор

Наше hava компании выращивание кристаллов, кристалл обрабатывая, вафля обрабатывая, полировать, очищать и испытывать полной производственной линии субстрата вафли SiC (кремниевого карбида) интегрируя. В наше время мы поставляем коммерчески вафли 4H и 6H SiC с semi изоляцией и проводимостью в на-оси или внеосевом, доступном размере: 5x5mm2,10x10mm2, 2", 3", 4" и 6", выходя сквозь отверстие ключевые технологии как подавление дефекта, обработка кристалла семени и быстрый рост, повышая основные научные исследования и разработки связанные с эпитаксией кремниевого карбида, приборы, etc.

Примечание: исключение края 3mm использовано для деталей отмеченных с ^A.

О нас

Мы специализируем в обработке разнообразие материалов в вафли, субстраты и подгонянное оптически стекло parts.components широко используемые в электронике, оптике, opto электронике и много других полей. Мы также работали близко с много отечественных и международные университеты, научно-исследовательские институты и компании, обеспечивают подгонянные продукты и услуга для их проектов НИОКР. Наше зрение к поддержанию хорошего отношения сотрудничества с нашими всеми клиентами нашими хорошими репутациями.

вопросы и ответы

Q: Вы торговая компания или изготовитель?
Мы фабрика.
Q: Сколько времени ваш срок поставки?
Вообще 3-5 дней если товары в запасе.
или 7-10 дней если товары нет в запасе, то, оно согласно количеству.
Q: Вы обеспечиваете образцы? он свободно или дополнительные?
Да, мы смогли предложить обязанность образца бесплатно но не оплачиваем цену перевозки.
Q: Что ваши условия платежа?
Оплата <> >=5000USD оплаты, 80% T/T заранее, баланс перед пересылкой.