Отправить запрос |
Главная страница Продукцияsic epitaxial wafer c face онлайн производитель
Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

sic epitaxial wafer c face онлайн производство

(33)
Купить C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский онлайн производитель

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский
контакт

JDCD03-001-004 SiC Epitaxial Wafer C-Face:Optical Polish,Si-Face:CMP Overview It involves the growth of crystals of one material on the crystal face of another (heteroepitaxy) or the same (homoepitaxy) material... Подробнее
2022-10-24 10:26:24
Купить 0.015Ω•cm-0.025Ω•C-стороны вафли SiC см CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский онлайн производитель

0.015Ω•cm-0.025Ω•C-стороны вафли SiC см CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский
контакт

0.015Ω•cm—0.025Ω•cm SiC Epitaxial Wafer C-Face:Optical Polish,Si-Face CMP Overview A SiC wafer is a semiconductor material made of silicon. A silicon carbide wafer is a crystalline material that is made by ... Подробнее
2024-10-29 11:49:58
Купить подложка вафли СиК эпитаксиальной вафли 4Х СиК для фотонных приборов ИСО9001 онлайн производитель

подложка вафли СиК эпитаксиальной вафли 4Х СиК для фотонных приборов ИСО9001
контакт

4H SiC Epitaxial Wafer ≤0.2 /Cm2 150.0 Mm +0mm/-0.2mm 47.5 Mm ± 1.5 Mm JDCD03-001-004 Overview An epitaixal wafer is a wafer of semiconducting material made by epitaxial growth (called epitaxy) for use in ... Подробнее
2022-10-25 14:35:48
Купить вафля 150,0 mm +0mm/-0.2mm параллельное to<11-20>±1° 47,5 mm SiC ± 1,5 mm эпитаксиальная онлайн производитель

вафля 150,0 mm +0mm/-0.2mm параллельное to<11-20>±1° 47,5 mm SiC ± 1,5 mm эпитаксиальная
контакт

47.5 mm ± 1.5 mm SiC Epitaxial Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm Parallel to±1° JDCD03-001-003 Overview Currently, there are two main types of SiC wafers. The first type is the polished wafer, which is a single ... Подробнее
2024-10-29 11:49:58
Купить 150,0 мм + форма кристалла вафли 4Х СиК 0мм/-0.2мм эпитаксиальная кристаллическая онлайн производитель

150,0 мм + форма кристалла вафли 4Х СиК 0мм/-0.2мм эпитаксиальная кристаллическая
контакт

150.0 mm +0mm/-0.2mm Sic Epitaxial Wafer Off-Axis:4°Toward ±0.5 ° JDCD03-001-004 Overview A SiC wafer is a semiconductor made of silicon. Its flatness, thermal conductivity, and electrical conductivity make it ... Подробнее
2022-10-24 10:20:57
Купить Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм онлайн производитель

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм
контакт

Beveling SiC Epitaxial Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0μm± 25.0 μm JDCD03-001-004 Overview The 200-mm wafers can be used for a variety of applications. These wafers are 50% thinner than the standard silicon ... Подробнее
2022-10-24 10:21:01
Купить край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум онлайн производитель

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум
контакт

JDCD03-001-004 SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350.0μm± 25.0 μm JDCD03-001-004 Overview Several methods of growing the epitaxial layer on existing silicon or other wafers are currently used: metal ... Подробнее
2022-10-24 10:21:37
Купить эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 47,5 мм ± 1,5 мм онлайн производитель

эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 47,5 мм ± 1,5 мм
контакт

150.0mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-004 SiC Epitaxial Wafer 47.5 mm ± 1.5 mm Overview Because SiC has a high thermal conductivity, SiC dissipates heat more rapidly than other semiconductor materials. This enables ... Подробнее
2022-10-24 10:23:40
Купить вафля ≤0.2 /cm2 0.015Ω 4H SiC эпитаксиальная•cm-0.025Ω•см 150,0 mm +0mm/-0.2mm онлайн производитель

вафля ≤0.2 /cm2 0.015Ω 4H SiC эпитаксиальная•cm-0.025Ω•см 150,0 mm +0mm/-0.2mm
контакт

4H SiC Epitaxial Wafer ≤0.2 /Cm2 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm 150.0 mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-004 Overview The 200-mm wafers can be used for a variety of applications. These wafers are 50% thinner than the standard ... Подробнее
2024-10-29 11:49:58
Купить вафля 0.015Ω 4H SiC эпитаксиальная•cm-0.025Ω•² 150,0 mm +0mm/-0.2mm см ≤4000/cm онлайн производитель

вафля 0.015Ω 4H SiC эпитаксиальная•cm-0.025Ω•² 150,0 mm +0mm/-0.2mm см ≤4000/cm
контакт

4H SiC Epitaxial Wafer 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm ≤4000/cm2 150.0 mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-003 Overview The next type is beta silicon carbide. Beta SiC is produced at temperatures higher than 1700 degrees Celsius. ... Подробнее
2024-10-29 11:49:58
Page 1 of 4|< 1 2 3 4 >|
около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший Качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.