Главная страница Продукцияsic epitaxial wafer c face онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(61)

Вафля Sic эпитаксиальная
(28)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

sic epitaxial wafer c face онлайн производство

(26)

0.015Ω•cm-0.025Ω•C-стороны вафли SiC см CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский
контакт

Подробнее

2023-02-17 15:51:34

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский
контакт

Подробнее

2022-10-24 10:26:24

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI
контакт

Подробнее

2023-03-22 16:09:10

подложка вафли СиК эпитаксиальной вафли 4Х СиК для фотонных приборов ИСО9001
контакт

Подробнее

2022-10-25 14:35:48

вафля 150,0 mm +0mm/-0.2mm параллельное to<11-20>±1° 47,5 mm SiC ± 1,5 mm эпитаксиальная
контакт

Подробнее

2023-02-17 15:11:59

150,0 мм + форма кристалла вафли 4Х СиК 0мм/-0.2мм эпитаксиальная кристаллическая
контакт

Подробнее

2022-10-24 10:20:57

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм
контакт

Подробнее

2022-10-24 10:21:01

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум
контакт

Подробнее

2022-10-24 10:21:37

вафля ≤0.2 /cm2 0.015Ω 4H SiC эпитаксиальная•cm-0.025Ω•см 150,0 mm +0mm/-0.2mm
контакт

Подробнее

2023-02-17 15:17:12

эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 47,5 мм ± 1,5 мм
контакт

Подробнее

2022-10-24 10:23:40

Page 1 of 3|< << 1 2 3 >> >|

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

sic epitaxial wafer c face онлайн производство

0.015Ω•cm-0.025Ω•C-стороны вафли SiC см CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский
контакт

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский
контакт

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI
контакт

подложка вафли СиК эпитаксиальной вафли 4Х СиК для фотонных приборов ИСО9001
контакт

вафля 150,0 mm +0mm/-0.2mm параллельное to<11-20>±1° 47,5 mm SiC ± 1,5 mm эпитаксиальная
контакт

150,0 мм + форма кристалла вафли 4Х СиК 0мм/-0.2мм эпитаксиальная кристаллическая
контакт

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм
контакт

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум
контакт

вафля ≤0.2 /cm2 0.015Ω 4H SiC эпитаксиальная•cm-0.025Ω•см 150,0 mm +0mm/-0.2mm
контакт

эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 47,5 мм ± 1,5 мм
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский