Отправить запрос |
Главная страница Продукцияp type silicon substrate онлайн производитель
Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

p type silicon substrate онлайн производство

(81)
Купить Кремниевая полупроводниковая пластина CZ 380um 525um 625um онлайн производитель

Кремниевая полупроводниковая пластина CZ 380um 525um 625um
контакт

Thickness(μm) 279 2-Inch Silicon Wafer Orientation ,, 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview Demand for semiconductors is seen as likely to ... Подробнее
2022-09-27 16:51:27
Купить TTV ≤ 10μm A-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Сопротивляемость 0,1 Ω·cm Мощное устройство/Лазер W онлайн производитель

TTV ≤ 10μm A-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Сопротивляемость 0,1 Ω·cm Мощное устройство/Лазер W
контакт

5*10mm2 A-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Gallium nitride (GaN) is a very hard, mechanically stable wide bandgap ... Подробнее
2025-04-27 11:43:51
Купить Тип 6inch 4H SiC SI уровня p Semi изолируя субстрат 150mm онлайн производитель

Тип 6inch 4H SiC SI уровня p Semi изолируя субстрат 150mm
контакт

P-Level SI-Type 6inch 4H-SiC Semi insulating substrate 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity≥1E9Ω·cm 6inch 4H-SiC substrate P-level SI-Type 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity≥1E9Ω·cm for power and microwave ... Подробнее
2022-10-24 10:21:46
Купить 2-дюймовый N-тип GaN на сапфировом эпитаксиальном пластинке для устройства LED-лазерного PIN-кода онлайн производитель

2-дюймовый N-тип GaN на сапфировом эпитаксиальном пластинке для устройства LED-лазерного PIN-кода
контакт

Description: Epiaxial wafers refer to products formed by growing a new single crystal layer on a single crystal substrate. Epiaxial wafers determine about 70% of the performance of devices and are important raw ... Подробнее
2024-12-06 17:48:43
Купить 350um 4H SiC подложка онлайн производитель

350um 4H SiC подложка
контакт

6inch 4H-SiC Substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm For Power And Microw 6inch 4H-SiC substrate N-Type Overview Silicon carbide (SiC) is a non-oxide ceramic ... Подробнее
2022-10-09 16:57:57
Купить -сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг n типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночной кристаллической &lt; 0,05 Ω·см приводит прибор в действие/лазер онлайн производитель

-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг n типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночной кристаллической < 0,05 Ω·см приводит прибор в действие/лазер
контакт

5*10mm2 A-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Power density is greatly improved in gallium nitride devices compared to ... Подробнее
2025-04-04 22:43:36
Купить кремниевый карбид 4&quot; 4H Politype одиночного Кристл сторона Si ранга p онлайн производитель

кремниевый карбид 4" 4H Politype одиночного Кристл сторона Si ранга p
контакт

JDZJ01-001-001 SiC Seed Crystal 4" P Grade Si-Face 90°Cw.From Primary Flat±5° SiC Seed Crystal 4" PGrade The physical and electronic properties of SiC make it the foremost semiconductor material for short ... Подробнее
2022-09-27 17:01:35
Купить Барьер AlGaN 4 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi вафеле галлиевого нитрида GaN-on-Si онлайн производитель

Барьер AlGaN 4 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi вафеле галлиевого нитрида GaN-on-Si
контакт

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Подробнее
2024-12-06 17:33:44
Купить 6 дюймов GaN на кремниевом HEMT Epi Wafer Power Device Галлиевый нитрид GaN на Си онлайн производитель

6 дюймов GaN на кремниевом HEMT Epi Wafer Power Device Галлиевый нитрид GaN на Си
контакт

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Подробнее
2024-12-06 17:38:23
Купить GaN фиолетовый лазер на кремниевом 2 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi пластинке UV LD Epi пластинке онлайн производитель

GaN фиолетовый лазер на кремниевом 2 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi пластинке UV LD Epi пластинке
контакт

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Подробнее
2024-12-06 17:35:32
Page 6 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший Качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.