Отправить запрос |
Главная страница Продукцияp type silicon substrate онлайн производитель
Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

p type silicon substrate онлайн производство

(81)
Купить TTV ≤ 10μm A-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Сопротивляемость 0,1 Ω·cm Мощное устройство/Лазер W онлайн производитель

TTV ≤ 10μm A-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Сопротивляемость 0,1 Ω·cm Мощное устройство/Лазер W
контакт

Подробнее
2025-04-27 11:43:51
Купить 350 ± 25μm Толщина Недопированный свободно стоящий однокристаллический субстрат GaN N-типа с TTV ≤ 10μm и сопротивлением 0,1 Ω·cm онлайн производитель

350 ± 25μm Толщина Недопированный свободно стоящий однокристаллический субстрат GaN N-типа с TTV ≤ 10μm и сопротивлением 0,1 Ω·cm
контакт

Подробнее
2025-04-27 11:43:51
Купить Тип 6inch 4H SiC SI уровня p Semi изолируя субстрат 150mm онлайн производитель

Тип 6inch 4H SiC SI уровня p Semi изолируя субстрат 150mm
контакт

Подробнее
2022-10-24 10:21:46
Купить 2-дюймовый N-тип GaN на сапфировом эпитаксиальном пластинке для устройства LED-лазерного PIN-кода онлайн производитель

2-дюймовый N-тип GaN на сапфировом эпитаксиальном пластинке для устройства LED-лазерного PIN-кода
контакт

Подробнее
2024-12-06 17:48:43
Купить 350um 4H SiC подложка онлайн производитель

350um 4H SiC подложка
контакт

Подробнее
2022-10-09 16:57:57
Купить -сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг n типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночной кристаллической < 0,05 Ω·см приводит прибор в действие/лазер онлайн производитель

-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг n типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночной кристаллической < 0,05 Ω·см приводит прибор в действие/лазер
контакт

Подробнее
2025-04-04 22:43:36
Купить кремниевый карбид 4&quot; 4H Politype одиночного Кристл сторона Si ранга p онлайн производитель

кремниевый карбид 4" 4H Politype одиночного Кристл сторона Si ранга p
контакт

Подробнее
2022-09-27 17:01:35
Купить GaN фиолетовый лазер на кремниевом 2 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi пластинке UV LD Epi пластинке онлайн производитель

GaN фиолетовый лазер на кремниевом 2 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi пластинке UV LD Epi пластинке
контакт

Подробнее
2024-12-06 17:35:32
Купить 2 дюйма GaN на кремниевом Синий LD эпи вафли GaN синий лазер на кремниевом онлайн производитель

2 дюйма GaN на кремниевом Синий LD эпи вафли GaN синий лазер на кремниевом
контакт

Подробнее
2024-12-06 17:35:32
Купить Барьер AlGaN 4 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi вафеле галлиевого нитрида GaN-on-Si онлайн производитель

Барьер AlGaN 4 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi вафеле галлиевого нитрида GaN-on-Si
контакт

Подробнее
2024-12-06 17:33:44
Page 6 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший Качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.