Отправить запрос |
Главная страница Продукцияp type silicon substrate онлайн производитель
Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

p type silicon substrate онлайн производство

(46)
Купить JDZJ01-001-004 Кристалл SiC в слитках 6 дюймов, класс P онлайн производитель

JDZJ01-001-004 Кристалл SiC в слитках 6 дюймов, класс P
контакт

Подробнее
2025-04-04 22:42:33
Купить кремниевый карбид Кристл 100.0mm 4" ранг 18.0mm p онлайн производитель

кремниевый карбид Кристл 100.0mm 4" ранг 18.0mm p
контакт

Подробнее
2022-09-27 17:01:26
Купить Основной плоский кремниевый карбид Кристл длины 32.5mm 4" ранг 100.0mm p онлайн производитель

Основной плоский кремниевый карбид Кристл длины 32.5mm 4" ранг 100.0mm p
контакт

Подробнее
2022-09-27 17:01:05
Купить 6-дюймовая подложка 4H SiC N, тип P, SBD, класс 350 мкм онлайн производитель

6-дюймовая подложка 4H SiC N, тип P, SBD, класс 350 мкм
контакт

Подробнее
2022-10-24 10:23:04
Купить 350um 4H SiC подложка онлайн производитель

350um 4H SiC подложка
контакт

Подробнее
2022-10-09 16:57:57
Купить кремниевый карбид 4" 4H Politype одиночного Кристл сторона Si ранга p онлайн производитель

кремниевый карбид 4" 4H Politype одиночного Кристл сторона Si ранга p
контакт

Подробнее
2022-09-27 17:01:35
Купить Mg-данная допинг 4-Inch вафля PIN лазера СИД см субстратов SSP Resistivity~10Ω GaN/сапфира эпитаксиальная онлайн производитель

Mg-данная допинг 4-Inch вафля PIN лазера СИД см субстратов SSP Resistivity~10Ω GaN/сапфира эпитаксиальная
контакт

Подробнее
2025-04-04 22:43:47
Купить вафля 6inch SiC эпитаксиальная онлайн производитель

вафля 6inch SiC эпитаксиальная
контакт

Подробнее
2022-10-09 16:56:20
Купить вафля 150,0 mm +0mm/-0.2mm параллельное to<11-20>±1° 47,5 mm SiC ± 1,5 mm эпитаксиальная онлайн производитель

вафля 150,0 mm +0mm/-0.2mm параллельное to<11-20>±1° 47,5 mm SiC ± 1,5 mm эпитаксиальная
контакт

Подробнее
2024-10-29 11:49:58
Купить вафля 0.015Ω 4H SiC эпитаксиальная•cm-0.025Ω•² 150,0 mm +0mm/-0.2mm см ≤4000/cm онлайн производитель

вафля 0.015Ω 4H SiC эпитаксиальная•cm-0.025Ω•² 150,0 mm +0mm/-0.2mm см ≤4000/cm
контакт

Подробнее
2024-10-29 11:49:58
Page 4 of 5|< 1 2 3 4 5 >|
около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.