Главная страница Продукцияp type silicon substrate онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(65)

Вафля Sic эпитаксиальная
(39)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

p type silicon substrate онлайн производство

(81)

JDCD07-001-002 5 дюймовый SOI эпитаксиальный вафля для обработки MEMS
контакт

5-inch SOI epitaxial wafer for MEMS processing Overview Silicon Wafers (Si Wafer) are thin slices of highly pure crystallized Silicon. Silicon wafers act as a substrate for microelectronic devices and are ... Подробнее

2025-04-27 11:43:50

0.015Ω•cm-0.025Ω•C-стороны вафли SiC см CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский
контакт

0.015Ω•cm—0.025Ω•cm SiC Epitaxial Wafer C-Face:Optical Polish,Si-Face CMP Overview A SiC wafer is a semiconductor material made of silicon. A silicon carbide wafer is a crystalline material that is made by ... Подробнее

2024-10-29 11:49:58

Вафля JDCD07-001-003 6-Inch SOI эпитаксиальная для обработки MEMS
контакт

6-inch SOI epitaxial wafer for MEMS processing Overview In electronics, Silicon wafers (also known as substrates) are thin slices of highly pure crystalline Silicon (c-Si), used in the production of integrated ... Подробнее

2025-04-04 22:42:31

JDCD07-001-004 7-дюймовый SOI эпитаксиальный вафля для обработки MEMS
контакт

7-inch SOI epitaxial wafer for MEMS processing Overview A silicon wafer is a material essential for manufacturing semiconductors, which are found in all kinds of electronic devices that enrich our lives. Few of ... Подробнее

2025-04-27 11:43:50

Вафля GaN Epi 2 дюймов толщины 370um 430um проставляет размеры 50mm
контакт

Thickness 400 ± 30 μm 2-Inch Free-Standing N-GaN Substrates Dimensions 50.0 ±0.3 mm 2inch C-face Si-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer ... Подробнее

2024-10-29 11:49:57

JDCD07-001-001 4-дюймовая эпитаксиальная пластина SOI для обработки МЭМС
контакт

4-Inch SOI Epitaxial Wafer For MEMS Processing Overview Although silicon crystals may look metallic, they are not entirely metals. Due to the "free electrons" that move easily between atoms, metals are good ... Подробнее

2025-04-27 11:43:50

JDZJ01-001-004 Кристалл SiC в слитках 6 дюймов, класс P
контакт

SiC ingot crystal 6" Pgrade Silicon carbide, exceedingly hard, synthetically produced crystalline compound of silicon and carbon. Its chemical formula is SiC. Since the late 19th century silicon carbide has ... Подробнее

2025-04-04 22:42:33

ГаН эпитаксиальная пластина, необходимая для производства высоковольтных высокочастотных чипов
контакт

Description: Epiaxial wafers refer to products formed by growing a new single crystal layer on a single crystal substrate. Epiaxial wafers determine about 70% of the performance of devices and are important raw ... Подробнее

2024-12-06 17:47:04

775um 725um 675um полупроводниковые устройства вафли 8 дюймов
контакт

2-Inch Silicon Wafer Thickness Tolerance Standard ± 25μm,Maximum Capabilities ± 5μm 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview Nearly all the ... Подробнее

2022-09-27 16:50:19

JDWY01-001-002 2 дюйма толщины пленки (1,2)Um AIN на сапфировой пластинке DSP XRD FWHM Of(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec
контакт

2 inch thick film (1,2)um AIN on sapphire wafer,DSP,XRD FWHM of(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec UV disinfection, LED chip A thin film of aluminum nitride is a form of semiconductor material. It is highly ... Подробнее

2025-04-27 11:43:50

Page 8 of 9|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >> >|

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

p type silicon substrate онлайн производство

JDCD07-001-002 5 дюймовый SOI эпитаксиальный вафля для обработки MEMS
контакт

0.015Ω•cm-0.025Ω•C-стороны вафли SiC см CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский
контакт

Вафля JDCD07-001-003 6-Inch SOI эпитаксиальная для обработки MEMS
контакт

JDCD07-001-004 7-дюймовый SOI эпитаксиальный вафля для обработки MEMS
контакт

Вафля GaN Epi 2 дюймов толщины 370um 430um проставляет размеры 50mm
контакт

JDCD07-001-001 4-дюймовая эпитаксиальная пластина SOI для обработки МЭМС
контакт

JDZJ01-001-004 Кристалл SiC в слитках 6 дюймов, класс P
контакт

ГаН эпитаксиальная пластина, необходимая для производства высоковольтных высокочастотных чипов
контакт

775um 725um 675um полупроводниковые устройства вафли 8 дюймов
контакт

JDWY01-001-002 2 дюйма толщины пленки (1,2)Um AIN на сапфировой пластинке DSP XRD FWHM Of(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский