Отправить запрос |
Главная страница Продукцияp type silicon substrate онлайн производитель
Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

p type silicon substrate онлайн производство

(81)
Купить JDWY01-001-004 плотная пленка 2 дюймов (2,3) um AIN на вафле сапфира, DSP, XRD FWHM (002) ≤100arcsec (102) ≤550arcsec онлайн производитель

JDWY01-001-004 плотная пленка 2 дюймов (2,3) um AIN на вафле сапфира, DSP, XRD FWHM (002) ≤100arcsec (102) ≤550arcsec
контакт

2 inch thick film (2,3)um AIN on sapphire wafer,DSP,XRD FWHM of(002)≤100arcsec(102) ≤550arcsec UV disinfection, LED chip Aluminum Nitride is also an excellent electrical insulator. It can be used in solar cells... Подробнее
2025-04-04 22:43:14
Page 9 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший Качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.