Отправить запрос |
Главная страница Продукцияp type silicon substrate онлайн производитель
Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

p type silicon substrate онлайн производство

(81)
Купить SP Face 5 X 10 мм2 Подложка из нитрида галлия 350 мкм онлайн производитель

SP Face 5 X 10 мм2 Подложка из нитрида галлия 350 мкм
контакт

5 x 10mm2 Free-standing GaN Substrates 350 ±25 µm From 1 x 105 to 3 x 106 cm-2 5*10mm2 SP-face (20-21)/(20-2-1) Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices ... Подробнее
2022-10-08 16:41:01
Купить тип субстрат 350,0 ± 25,0ум СиК ранга 4Х МОС вафли н 6инч 350,0 онлайн производитель

тип субстрат 350,0 ± 25,0ум СиК ранга 4Х МОС вафли н 6инч 350,0
контакт

6inch 4H-SiC substrate N-Type P-MOS Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.2/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview SiC is used for the fabrication of very high-voltage and high-power ... Подробнее
2022-10-24 10:21:10
Купить Субстраты SI GaN субстратов 2 дюймов u GaN 50.8mm онлайн производитель

Субстраты SI GaN субстратов 2 дюймов u GaN 50.8mm
контакт

2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates 350 ± 25 μm 50.8 ± 1 mm 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN Template ... Подробнее
2024-10-14 17:06:30
Купить SP-Face 11-12 Недопированный N-тип свободностоящий GaN однокристаллический субстрат Сопротивляемость 0,05 Ω·cm Макродефект плотность 0cm−2 онлайн производитель

SP-Face 11-12 Недопированный N-тип свободностоящий GaN однокристаллический субстрат Сопротивляемость 0,05 Ω·cm Макродефект плотность 0cm−2
контакт

5*10mm2 SP-face (11-12) Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Because GaN transistors are able to turn on faster than silicon ... Подробнее
2025-04-27 11:43:51
Купить Одиночная ООН стороны вафли 2inch c Кристл GaN эпитаксиальная дала допинг типу n онлайн производитель

Одиночная ООН стороны вафли 2inch c Кристл GaN эпитаксиальная дала допинг типу n
контакт

2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview High-quality GaN free-standing substrates with low dislocation density suitable ... Подробнее
2022-10-08 16:00:57
Купить 0,001-100 Ом-см Кремниевая пластина типа P Легирующая присадка бора онлайн производитель

0,001-100 Ом-см Кремниевая пластина типа P Легирующая присадка бора
контакт

0.001-100 ohm-cm Silicon Wafer Particle Подробнее
2022-09-27 16:52:32
Купить Тип тип n n Sb как кремниевая пластина 6 дюймов 8 дюймов онлайн производитель

Тип тип n n Sb как кремниевая пластина 6 дюймов 8 дюймов
контакт

Growth Method CZ Silicon Wafer Standard ± 25μm,Maximum Capabilities ± 5μm 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview Nearly all the electronic ... Подробнее
2023-02-17 12:43:17
Купить Дискретные устройства толщина 675ум 725ум 775ум кремниевой пластины 2 дюймов онлайн производитель

Дискретные устройства толщина 675ум 725ум 775ум кремниевой пластины 2 дюймов
контакт

Discrete Devices 2-Inch Silicon Wafer Thickness(μm) 279/380/525/625/675/725/775 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview Demand for semiconductor... Подробнее
2022-09-27 16:50:52
Купить Тип субстрат SiC n онлайн производитель

Тип субстрат SiC n
контакт

6inch 4H-SiC Substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm For Power And Microw 6inch 4H-SiC substrate N-Type Overview Currently silicon carbide (SiC) is widely used for ... Подробнее
2022-10-09 16:57:15
Купить Субстраты GaN эпитаксиальной вафли GaN стороны свободные стоя онлайн производитель

Субстраты GaN эпитаксиальной вафли GaN стороны свободные стоя
контакт

5*10.5mm2 A Face Free-Standing GaN Substrates Thickness 350 ±25 µm 5*10.5mm2 A-face Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Overview Gallium Nitride ... Подробнее
2023-02-17 10:57:06
Page 3 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший Качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.