Отправить запрос |
Главная страница Продукцияp type silicon substrate онлайн производитель
Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

p type silicon substrate онлайн производство

(81)
Купить 2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства онлайн производитель

2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства
контакт

Подробнее
2025-04-04 22:43:44
Купить Субстраты SI GaN субстратов 2 дюймов u GaN 50.8mm онлайн производитель

Субстраты SI GaN субстратов 2 дюймов u GaN 50.8mm
контакт

Подробнее
2024-10-14 17:06:30
Купить SP-Face 11-12 Недопированный N-тип свободностоящий GaN однокристаллический субстрат Сопротивляемость 0,05 Ω·cm Макродефект плотность 0cm−2 онлайн производитель

SP-Face 11-12 Недопированный N-тип свободностоящий GaN однокристаллический субстрат Сопротивляемость 0,05 Ω·cm Макродефект плотность 0cm−2
контакт

Подробнее
2025-04-27 11:43:51
Купить тип субстрат 350,0 ± 25,0ум СиК ранга 4Х МОС вафли н 6инч 350,0 онлайн производитель

тип субстрат 350,0 ± 25,0ум СиК ранга 4Х МОС вафли н 6инч 350,0
контакт

Подробнее
2022-10-24 10:21:10
Купить Одиночная ООН стороны вафли 2inch c Кристл GaN эпитаксиальная дала допинг типу n онлайн производитель

Одиночная ООН стороны вафли 2inch c Кристл GaN эпитаксиальная дала допинг типу n
контакт

Подробнее
2022-10-08 16:00:57
Купить 0,001-100 Ом-см Кремниевая пластина типа P Легирующая присадка бора онлайн производитель

0,001-100 Ом-см Кремниевая пластина типа P Легирующая присадка бора
контакт

Подробнее
2022-09-27 16:52:32
Купить Тип тип n n Sb как кремниевая пластина 6 дюймов 8 дюймов онлайн производитель

Тип тип n n Sb как кремниевая пластина 6 дюймов 8 дюймов
контакт

Подробнее
2023-02-17 12:43:17
Купить Дискретные устройства толщина 675ум 725ум 775ум кремниевой пластины 2 дюймов онлайн производитель

Дискретные устройства толщина 675ум 725ум 775ум кремниевой пластины 2 дюймов
контакт

Подробнее
2022-09-27 16:50:52
Купить Тип субстрат SiC n онлайн производитель

Тип субстрат SiC n
контакт

Подробнее
2022-10-09 16:57:15
Купить Плоская вафля Thk 440um субстрата сапфира длины (mm) обломок 16 СИД онлайн производитель

Плоская вафля Thk 440um субстрата сапфира длины (mm) обломок 16 СИД
контакт

Подробнее
2022-09-27 16:24:09
Page 3 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший Качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.